Шпаргалка по общей электронике и электротехнике [Ольга Александровна Косарева] (fb2) читать онлайн
[Настройки текста] [Cбросить фильтры]
[Оглавление]
Ольга Александровна Косарева Шпаргалка по общей электротехники и электроники
1. ИСТОРИЯ ЭЛЕКТРОНИКИ
Фундамент для возникновения и развития электроники был заложен работами физиков в XVIII и XIX вв. Первые в мире исследования электрических разрядов в воздухе были осуществлены в XVIII в. в России академиками Ломоносовым и Рихманом и независимо от них американским ученым Франклином. Важным событием явилось открытие электрической дуги академиком Петровым в 1802 г. Исследования процессов прохождения электрического тока в разреженных газах проводили в прошлом веке в Англии Крукс, Томсон, Тоунсенд, Астон, в Германии Гейслер, Гитторф, Плюккер и др. В 1873 г. Лодыгин изобрел первый в мире электровакуумный прибор – лампу накаливания. Независимо от него несколько позже такую же лампу создал и усовершенствовал американский изобретатель Эдисон. Электрическая дуга впервые была применена для целей освещения Яблочковым в 1876 г. В 1887 г. немецкий физик Герц открыл фотоэлектрический эффект. Термоэлектронная эмиссии была открыта в 1884 г. Эдисоном. В 1901 г. Ричардсон провел детальное исследование термоэлектронной эмиссии. Первая электронно-лучевая трубка с холодным катодом была создана в 1897 г. Брауном (Германия). Использование электронных приборов в радиотехнике началось с того, что в 1904 г. английский ученый Флеминг применил двухэлектродную лампу с накаленным катодом для выпрямления высокочастотных колебаний в радиоприемнике. В 1907 г. американский инженер Ли-де-Форест ввел в лампу управления сетку, т. е. создал первый триод. В том же году профессор Петербургского технологического института Розинг предложил применить электронно-лучевую трубку для приема телевизионных изображений и в последующие годы осуществил экспериментальное подтверждение своих идей. В 1909-191 1 гг. в России Коваленков создал первые триоды для усиления дальней телефонной связи. Важное значение имело изобретение подогревного катода Чернышевым в 1921 г. В 1926 г. Хелл в США усовершенствовал лампы с экранирующей сеткой, а в 1930 г. он предложил пентод, ставший одной из наиболее распространенных ламп. В 1930 г. Кубецкий изобрел фотоэлектронные умножители, в конструкции которых значительный вклад внесли Векшин-ский и Тимофеев. Первое предложение о специальных передающих телевизионных трубках сделали независимо друг от друга в 1930–1931 гг. Константинов и Катаев. Подобные же трубки, названные иконоскопами, построил в США Зворыкин. Изобретение таких трубок открыло новые широкие возможности для развития телевидения. Несколько позднее в 1933 г. Шмаков и Тимофеев предложили новые более чувствительные передающие трубки (супериконоскопы или суперэмитроны), позволившие вести телевизионные передачи без сильного искусственного освещения. Русский радиофизик Рожановский в 1932 г. предложил создать новые приборы с модуляцией электронного потока по скорости. По его идеям Арсеньева и Хейль в 1939 г. построили первые такие приборы для усиления и генерации колебаний СВЧ, названные пролетными клистронами. В 1940 г. Коваленко изобрел более простой отражательный клистрон, который широко используется для генерирования колебаний СВЧ. Большое значение для техники дециметровых волн имели работы Девяткова, Данильцева, Хохлова и Гуревича, которые в 1938–1941 гг. сконструировали специальные триоды с плосковыми дисковыми электродами. По этому принципу в Германии были выпущены металлокерамические и в США ма-ячковые лампы.2. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ
По сравнению с электронными лампами у полупроводниковых приборов имеются существенные достоинства: 1) малый вес и малые размеры; 2) отсутствие затрат энергии на накал; 3) более высокая надежность в работе и большой срок службы (до десятка тысяч часов); 4) большая механическая прочность (стойкость к тряске, ударам и другим видам механических перегрузок); 5) различные устройства (выпрямители, усилители, генераторы) с полупроводниковыми приборами имеют высокий КПД, так как потери энергии в самих приборах незначительны; 6) маломощные устройства с транзисторами могут работать при очень низких питающих напряжениях; 7) принципы устройства и работы полупроводниковых приборов использованы для создания нового важного направления развития электроники – полупроводниковой микроэлектроники. Вместе с тем полупроводниковые приборы в настоящее время обладают следующими недостатками: 1) параметры и характеристики отдельных экземпляров приборов данного типа имеют значительный разброс; 2) свойства и параметры приборов сильно зависят от температуры; 3) наблюдается изменение свойств приборов с течением времени (старение); 4) их собственные шумы в ряде случаев больше, нежели у электронных приборов; 5) большинство типов транзисторов непригодно для работы на частотах выше десятков мегагерц; 6) входное сопротивление у большинства транзисторов значительно меньше, чем у электронных ламп; 7) транзисторы пока еще не изготавливают для таких больших мощностей, как электровакуумные приборы; 8) работа большинства полупроводниковых приборов резко ухудшается под действием радиоактивного излучения. Транзисторы успешно применяются в усилителях, приемниках, передатчиках, генераторах, телевизорах, измерительных приборах, импульсных схемах, электронных счетных машинах и др. Использование полупроводниковых приборов дает огромную экономию в расходовании электрической энергии источников питания и позволяет во много раз уменьшить размеры аппаратуры. Ведутся исследования по улучшению полупроводниковых приборов по применению для них новых материалов. Созданы полупроводниковые выпрямители на токи в тысячи ампер. Применение кремния вместо германия позволяет эксплуатировать приборы при температуре до 125" С и выше. Созданы транзисторы для частот до сотен мегагерц и более, а также новые типы полупроводниковых приборов для сверхвысоких частот. Замена электронных ламп полупроводниковыми приборами успешно осуществлена во многих радиотехнических устройствах. Промышленность выпускает большое количество полупроводниковых диодов и транзисторов различных типов.3. ДВИЖЕНИЕ ЭЛЕКТРОНОВ В ОДНОРОДНОМ ЭЛЕКТРИЧЕСКОМ ПОЛЕ
Взаимодействие электронов с электрическим полем является основным процессом в электровакуумных и полупроводниковых приборах. Электрон является частицей материи с отрицательным электрическим зарядом, у которого абсолютное значение e = 1,610-19Кл. Масса неподвижного электрона равна m = 9,110-28г. С возрастанием скорости движения масса электронов увеличивается. теоретически при скорости движения, равной с = 3·108м/с, масса электрона должна стать бесконечно большой. В обычных электровакуумных приборах скорость электронов не превышает 0,1с. При этом условии можно считать массу электрона постоянной, равной т. Если разность потенциалов между электродами U, а расстояние между ними d, то напряженность поля равна: Е= U/d. Для однородного электрического поля величина Е является постоянной. Пусть из электрода, имеющего более низкий потенциал, например из катода, вылетает электрон с кинетической энергией W0 и начальной скоростью v0, направленной вдоль силовых линий поля. Поле действует на электрон и ускоряет его движение к электроду, имеющему более высокий потенциал, например к аноду. То есть электрон притягивается к электроду с более высоким потенциалом. В данном случае поле называется ускоряющим. В ускоряющем поле происходит увеличение кинетической энергии электрона за счет работы поля по перемещению электрона. В соответствии с законом сохранения энергии увеличение кинетической энергии электрона W-W0 равно работе поля, которая определяется произведением перемещаемого заряда е на пройденную им разность потенциалов U: W-W! = mv2/2 – mv20/2 = eU. Если начальная скорость электрона равна нулю, то W0 = mv20/2 = 0 и W=mv2/2 = eU, т. е. кинетическая энергия электрона равна работе поля. Скорость электрона в ускоряющем поле зависит от пройденной разности по'тенциалов. Пусть направление начальной скорости электрона v0 противоположно силе F, действующей на электрон со стороны поля, т. е. электрон вылетает с некоторой начальной скоростью из электрода с более высоким потенциалом. Так как сила F направлена навстречу скорости v0, то электрон тормозится и движется прямолинейно, равномерно замедленно. Поле в этом случае называется тормозящим. Следовательно, данное поле для одних электронов является ускоряющим, а для других – тормозящим в зависимости от направления начальной скорости электрона. В тормозящем поле электрон отдает энергию полю. В обратном направлении электрон движется без начальной скорости в ускоряющем поле, которое возвращает электрону энергию, потерянную им при замедленном движении. Если электрон влетает с начальной скоростью v0 под прямым углом к направлению силовых линий поля, то поле действует на электрон с силой F, определяемой по формуле f = eE и направленной в сторону более высокого потенциала. При отсутствии силы Рпотенци-ал совершил бы равномерное движение по инерции со скоростью v0. А под действием силы F электрон должен равноускоренно двигаться в направлении, перпендикулярном v0. Результирующее движение электрона происходит по параболе, причем электрон отклоняется в сторону положительного электрода. Если электрон не попадает на этот электрод и выйдет за пределы поля, то дальше он будет двигаться по инерции прямолинейно и равномерно. Электрон движется по некоторой параболе, причем либо попадает на один из электродов, либо выходит за пределы поля. Электрическое поле всегда изменяет в ту или другую сторону кинетическую энергию и скорость электрона. Таким образом, между электроном и электрическим полем всегда имеется энергетическое взаимодействие, т. е. обмен энергией. Если начальная скорость электрона направлена не вдоль силовых линий, а под некоторым углом к ним, то электрическое поле еще и искривляет траекторию электрона.4. ДВИЖЕНИЕ ЭЛЕКТРОНОВ В НЕОДНОРОДНОМ ЭЛЕКТРИЧЕСКОМ ПОЛЕ
Для неоднородных электрических полей характерна разнообразная и часто сложная структура. Существует множество не похожих друг на друга неоднородных полей, в которых напряженность от точки к точке изменяется по различным законам, а силовые линии обычно представляют собой кривые той или иной формы. Наиболее простым является часто встречающееся в электровакуумных приборах радикальное неоднородное поле, образующееся между цилиндрическими электродами. Если начальная скорость электрона, вылетевшего с поверхности внутреннего электрода, направлена вдоль силовых линий, то электрон будет двигаться прямолинейно и ускоренно по радиусу. Но по мере удаления от внутреннего электрода напряженность поля и сила, действующая на электрон, становится меньше, а значит, уменьшается и ускорение. В более общем случае неоднородное поле имеет силовые линии в виде кривых линий. Если это поле является ускоряющимся, то электрон с начальной скоростью v0 движется по криволинейной траектории, имеющей такой же характер кривизны, как и силовые линии. На электрон действует со стороны поля сила F, направленная под углом к вектору собственной скорости электрона. Эта сила искривляет траекторию электрона и увеличивает его скорость. При этом траектория электрона не совпадает с силовой линией. Если бы электрон не обладал массой, а следовательно, и инерцией, то он двигался бы по силовой линии. Однако электрон имеет массу и стремится двигаться по инерции прямолинейно со скоростью, приобретенной за время предыдущего движения. Сила, действующая на электрон, направлена по касательной к силовой линии и в случае кривых силовых линий образует некоторый угол с вектором скорости электрона. Поэтому траектория электрона искривляется, но «отстает» в этом искривлении от силовой линии из-за инерции электрона. В случае тормозящего неоднородного поля с кривыми силовыми линиями сила, действующая на электрон со стороны поля, также искривляет траекторию электрона и изменяет величину его скорости. Но искривление траектории получается в сторону, противоположную той, куда искривляются силовые линии, т. е. траектория электрона стремится удалиться от силовой линии. При этом скорость электрона уменьшается, так как он переходит в точки с более отрицательным потенциалом. Рассмотрим движение потока электронов в неоднородном поле, пренебрегая для простоты взаимодействием электронов. Пусть электронный поток движется в ускоряющем неоднородном поле, которое симметрично относительно средней прямой силовой линии. В данном случае в направлении движения электронов силовые линии сходятся, т. е. напряженность поля возрастает. Условимся такое поле называть сходящимся. Пусть в это поле влетает поток электронов, скорости которых направлены параллельно. Траектории электронов искривляются в ту же сторону, куда искривлены силовые линии. И только средний электрон движется прямолинейно вдоль средней силовой линии. В результате электроны сближаются, т. е. получается фокусировка электронного потока, напоминающая фокусировку светового потока с помощью собирающей линзы. Кроме того, увеличиваются скорости электронов. Если силовые линии в направлении движения электронов расходятся, то поле можно условно назвать расходящимся. В нем электронный поток рассеивается, так как у электронов траектории при искривлении удаляются друг от друга. Поэтому ускоряющее расходящееся поле является для электронного потока рассеивающей линзой. Если поле будет тормозящее сходящееся, то происходит не фокусировка, а рассеивание электронов с уменьшением их скорости. И наоборот, в тормозящем расходящемся поле получается фокусировка электронного потока.5. ДВИЖЕНИЕ ЭЛЕКТРОНОВ В ОДНОРОДНОМ МАГНИТНОМ ПОЛЕ
В некоторых электровакуумных приборах используется движение электронов в магнитном поле. Рассмотрим случай, когда электрон влетает в однородное магнитное поле с начальной скоростью v0, направленной перпендикулярно магнитным силовым линиям. В этом случае на движущийся электрон действует так называемая сила Лоренца F, которая перпендикулярна вектору н0 и вектору напряженности магнитного поля Н. Величина силы F определяется выражением: F= ev0H. При v0 = 0 сила Рравна нулю, т. е. на неподвижный электрон магнитное поле не действует. Сила F искривляет траекторию электрона в дугу окружности. Поскольку сила F действует под прямым углом к скорости н0, она не совершает работы. Энергия электрона и его скорость не изменяются по величине. Происходит лишь изменение направления скорости. Известно, что движение тела по окружности (вращение) с постоянной скоростью получается благодаря действию направленной к центру центростремительной силы, которой именно и является сила F. Направление поворота электрона в магнитном поле в соответствии с правилом левой руки удобно определяется по следующим правилам. Если смотреть в направлении магнитных силовых линий, то электрон движется по часовой стреле. Иначе говоря, поворот электрона совпадает с вращательным движением винта, который ввинчивается по направлению магнитных силовых линий. Определим радиус r окружности, описываемой электроном. Для этого воспользуемся выражением для центростремительной силы, известным из механики: F = mv20/r. Приравняем его значению силы F = ev0H: mv20/r = ev0H. Теперь из этого уравнения можно найти радиус: r= mv0/(eH). Чем больше скорость электрона v0, тем сильнее он стремится двигаться прямолинейно по инерции и радиус искривления траектории будет больше. С другой стороны, с увеличением Н растет сила F, искривление траектории возрастает и радиус окружности уменьшается. Выведенная формула справедлива для движения в магнитном поле частиц с любыми массами и зарядом. Рассмотрим зависимость rот mи e. Заряженная частица с большей массой mсильнее стремится лететь по инерции прямолинейно и искривление траектории уменьшится, т. е. rстанет больше. А чем больше заряд e, тем больше сила F и тем сильнее искривляется траектория, т. е. ее радиус становится меньше. Выйдя за пределы магнитного поля, электрон дальше летит по инерции по прямой линии. Если же радиус траектории мал, то электрон может описывать в магнитном поле замкнутые окружности. Таким образом, магнитное поле изменяет только направление скорости электронов, но не ее величину, т. е. между электроном и магнитным полем нет энергетического взаимодействия. По сравнению с электрическим полем действие магнитного поля на электроны является более ограниченным. Именно поэтому магнитное поле применяется для воздействия на электроны значительно реже, нежели электрическое поле.6. ЭЛЕКТРОНЫ В ТВЕРДЫХ ТЕЛАХ
Современной физикой доказано, что электроны в теле не могут обладать произвольными энергиями. Энергия каждого электрона может принимать лишь определенные значения, называемые уровнями энергии (или энергетическими уровнями). Электроны, расположенные ближе к ядру атома, обладают меньшими энергиями, т. е. находятся на более низких энергетических уровнях. Чтобы удалить электрон от ядра, надо преодолеть взаимное притяжение между электроном и ядром. Для этого надо затратить некоторую энергию. Поэтому удаленные от ядра электроны обладают большими энергиями; они находятся на более высоких энергетических уровнях. Когда электрон переходит с более высокого энергетического уровня на более низкий, выделяется определенное количество энергии, называемое квантом (или фотоном). Если атом поглощает один квант энергии, то электрон переходит с более низкого энергетического уровня на более высокий. Таким образом, энергия электронов изменяется только квантами, т. е. определенными порциями. Распределение электронов по уровням энергии изображают схематически: по вертикали откладывают энергию Wэлектрона, а горизонтальными линиями показывают уровни энергии. В соответствии с так называемой зоной теорией твердого тела энергетические уровни объединяются в отдельные зоны. Электроны внешней оболочки атома заполняют ряд энергетических уровней, составляющих валентную зону. Более низкие энергетические уровни входят в состав других зон, заполненных электронами, но эти зоны не играют роли в явлениях электропроводности и поэтому они не изображаются на рисунке. В металлах и полупроводниках существует большое количество электронов, находящихся на I более высоких энергетических уровнях. Эти уровни составляют зону проводимости. Электроны этой зоны, называемые электронами проводимости, совершают беспорядочное движение внутри тела, переходя от одних атомов к другим. Именно электроны проводимости обеспечивают высокую электропроводность металлов. Атомы вещества, отдавшие электроны в зону проводимости, можно рассматривать как положительные ионы. Они располагаются в определенном порядке, образуя пространственную решетку, называемую иначе ионной, или кристаллической. Состояние этой решетки соответствует равновесию сил взаимодействия между атомами и минимальному значению общей энергии всех частиц тела. Внутри пространственной решетки происходит беспорядочное движение электронов проводимости. Иная энергетическая структура характерна для диэлектриков. У них между зоной проводимости и валентной зоной существует запрещенная зона, соответствующая уровням энергии, на которых электроны не могут быть. При нормальной температуре у диэлектриков в зоне проводимости имеется только очень небольшое количество электронов и поэтому диэлектрик обладает ничтожно малой проводимостью. Но при нагревании некоторые электроны валентной зоны, получая добавочную энергию, переходят в зону проводимости, и тогда диэлектрик приобретает заметную электропроводность. Полупроводники при низких температурах являются диэлектриками, а при нормальной температуре значительное количество электронов переходит из валентной зоны в зону проводимости. В настоящее время для изготовления полупроводниковых приборов наиболее широко используют германий и кремний, имеющие валентность, равную 4. Пространственная кристаллическая решетка германия или кремния состоит из атомов, связанных друг с другом валентными электронами. Такая связь называется ковалентной или парноэлектронной.7. СОБСТВЕННАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ И ДЫРОЧНАЯ ЭЛЕКТРОПРОВОДИМОСТИ
Полупроводники представляют собой вещества, которые по своей удельной электрической проводимости занимают среднее место между проводниками и диэлектриками. Для полупроводников характерен отрицательный температурный коэффициент электрического сопротивления. При возрастании температуры сопротивление полупроводников уменьшается, а не увеличивается, как у большинства твердых проводников. Кроме того, электрическое сопротивление полупроводников очень сильно зависит от количества примесей, а также от таких внешних воздействий, как свет, электрическое поле, ионизирующее излучение и др. В полупроводниках существует электропроводность двух видов. Так же как и металлы, полупроводники обладают электронной электропроводностью, которая обусловлена перемещением электронов проводимости. При обычных рабочих температурах в полупроводниках всегда имеются электроны проводимости, которые очень слабо связаны с ядрами атомов и совершают беспорядочное тепловое движение между атомами кристаллической решетки. Эти электроны под действием разности потенциалов могут получить дополнительное движение в определенном направлении, которое и является электрическим током. Полупроводники обладают также дырочной электропроводностью, которая не наблюдается в металлах. В полупроводниках кристаллическая решетка достаточно прочна. Ее ионы, т. е. атомы, лишенные одного электрона, не передвигаются, а остаются на своих местах. Отсутствие электрона в атоме условно назвали дыркой. Этим подчеркивают, что в атоме не хватает одного электрона, т. е. образовалось свободное место. Дырки ведут себя как элементарные положительные заряды. При дырочной электропроводности в действительности тоже перемещаются электроны, но более ограниченно, чем при электронной электропроводности. Электроны переходят из данных атомов только в соседние. Результатом этого является перемещение положительных зарядов – дырок – в направлении, противоположном движению электронов. Электроны и дырки, которые могут перемещаться и поэтому создавать электропроводность, называют подвижными носителями заряда или просто носителями заряда. Принято говорить, что под действием теплоты происходит генерация пар носителей заряда, т. е. возникают пары: электрон проводимости – дырка проводимости. Вследствие того что электроны и дырки проводимости совершают хаотическое тепловое движение, обязательно происходит и процесс, обратный генерации пар носителей. Электроны проводимости снова занимают свободные места в валентной зоне, т. е. объединяются с дырками. Такое исчезновение пар носителей называется рекомбинацией носителей заряда. Процессы генерации и рекомбинации пар носителей всегда происходят одновременно. Полупроводник без примесей называют собственным полупроводником. Он обладает собственной электропроводностью, которая складывается из электронной и дырочной электропроводности. При этом, несмотря на то что количество электронов и дырок проводимости в собственном полупроводнике одинаково, электронная электропроводность преобладает, что объясняется большей подвижностью электронов по сравнению с подвижностью дырок.8. ПРИМЕСНАЯ ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ
Если в полупроводнике имеются примеси других веществ, то дополнительно к собственной электропроводности появляется еще примесная электропроводность, которая в зависимости от рода примеси может быть электронной или дырочной. Например, германий, будучи четырехвалентным, обладает примесной электронной электропроводностью, если к нему добавлены пятивалентные сурьма и мышьяк. Их атомы взаимодействуют с атомами германия только четырьмя своими электронами, а пятый электрон отдают в зону проводимости. В результате получается некоторое количество дополнительных электронов проводимости. Примеси, у которых атомы отдают электроны, называют донорами. Атомы доноров, теряя электроны, сами заряжаются положительно. Полупроводники с преобладанием электронной электропроводности называют электронными полупроводниками или полупроводниками п-типа. Вещества, отбирающие электроны и создающие примесную дырочную электропроводность, называют акцепторами. Атомы акцепторов, захватывая электроны, сами заряжаются отрицательно. Полупроводники с преобладанием дырочной электропроводности называют дырочными полупроводниками или полупроводниками р-типа. В полупроводниковых приборах используются главным образом полупроводники, содержащие донорные или акцепторные примеси и называемые примесными. При обычных рабочих температурах в таких полупроводниках все атомы примеси участвуют в создании примесной электропроводности, т. е. каждый атом примеси либо отдает, либо захватывает один электрон. Чтобы примесная электропроводность преобладала над собственной, концентрация атомов донорной примеси или акцепторной примеси должна превышать концентрацию собственных носителей заряда. Носители заряда, концентрация которых в данном полупроводнике преобладает, называются основными. Ими являются электроны в полупроводнике п-типа и дырки в полупроводнике р-типа. Неосновными называют носители заряда, концентрация которых меньше, чем концентрация основных носителей. Концентрация неосновных носителей в примесном полупроводнике уменьшается во столько раз, во сколько увеличивается концентрация основных носителей. Если в германии было определенное число электронов, а после добавления донорной примеси концентрация электронов возросла в 1000 раз, то концентрация неосновных носителей(дырок)уменьшится в 1000 раз, т. е. будет в миллион раз меньше концентрации основных носителей. Это объясняется тем, что при увеличении в 1000 раз концентрации электронов проводимости, полученных от донорных атомов, нижние энергетические уровни зоны проводимости оказываются занятыми и переход электронов из валентной зоны возможен только на более высокие уровни зоны проводимости. Но для такого перехода электроны должны иметь большую энергию и поэтому значительно меньшее число электронов может его осуществить. Соответственно значительно уменьшается число дырок проводимости в валентной зоне. Таким образом, ничтожно малое количество примеси существенно изменяет характер электропроводности и величину проводимости полупроводника. Получение полупроводников с таким малым и строго дозированным содержанием нужной примеси является весьма сложным процессом. При этом исходный полупроводник, к которому добавляется примесь, должен быть очень чистым.9. ДИФФУЗИЯ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ПОЛУПРОВОДНИКАХ
В полупроводниках, помимо тока проводимости, может быть еще диффузионный ток, причиной возникновения которого является не разность потенциалов, а разность концентраций носителей. Выясним сущность этого тока. Если концентрация носителей заряда распределена равномерно по полупроводнику, то она является равновесной. Под влиянием каких-либо внешних воздействий в разных частях полупроводника концентрация может стать неодинаковой, т. е. неравновесной. Например, если часть полупроводника подвергнуть действию излучения, то в ней усилится процесс генерации пар носителей и возникнет дополнительная концентрация носителей, называемая избыточной. Так как носители имеют собственную кинетическую энергию, то они всегда стремятся переходить из мест с более высокой концентрацией в места с меньшей концентрацией,т. е. стремятся к выравниванию концентрации. Явление диффузии наблюдается для многих частиц вещества, а не только для подвижных носителей заряда. Всегда причиной диффузии является неодинаковость концентрации частиц, а сама диффузия совершается за счет собственной энергии теплового движения частиц. Диффузное движение подвижных носителей заряда (электронов и дырок) представляет собой диффузный ток /. Этот ток так же, как ток проводимости, может быть электронным или дырочным. Плотности этих токов определяются следующими формулами: i = eDn ?n /?x и ip=– eDp?p /?x, где величины ?n/?x и ?с/?x являются так называемыми градиентами концентрации, а Dnи Dp– коэффициенты диффузии. Градиент концентрации характеризует, насколько резко меняется концентрация вдоль расстояния х, т. е. каково изменение концентрации nили pна единицу длины. Если разности концентрации нет, то ?n=0 или ?p =0 и никакого тока диффузии не возникает. А чем больше изменение концентрации ?n или ?p на данном расстоянии ?x, тем больше ток диффузии. Коэффициент диффузии характеризует интенсивность процесса диффузии. Он пропорционален подвижности носителей, различен для разных веществ и зависит от температуры. Коэффициент диффузии для электронов всегда больше, чем для дырок. Знак «минус» в правой части формулы для плотности дырочного диффузионного тока поставлен потому, что дырочный ток направлен в сторону уменьшения концентрации дырок. Если за счет какого-то внешнего воздействия в некоторой части полупроводника создана избыточная концентрация носителей, а затем внешнее воздействие прекратилось, то избыточные носители будут рекомбинировать и распространяться путем диффузии в другие части полупроводника. Величина, характеризующая процесс убывания избыточной концентрации во времени, называется временем жизни неравновесных носителей. Рекомбинация неравновесных носителей происходит в объеме полупроводника и на его поверхности и сильно зависит от примесей, а также от состояния поверхности. При диффузном распространении неравновесных носителей, например электронов, вдоль полупроводника концентрация их вследствие рекомбинации также убывает с расстоянием.10. ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД ПРИ ОТСУТСТВИИ ВНЕШНЕГО НАПРЯЖЕНИЯ
Область на границе двух полупроводников с различными типами электропроводности называется электронно-дырочным, или р-п-переходом. Электронно-дырочный переход обладает свойством несимметричной проводимости, т. е. имеет нелинейное сопротивление. Работа большинства полупроводниковых приборов, применяемых в радиоэлектронике, основана на использовании свойств одного или нескольких р-п-переходов. Рассмотрим физические процессы в таком переходе. Пусть внешнее напряжение на переходе отсутствует. Так как носители заряда в каждом полупроводнике совершают беспорядочное тепловое движение, т. е. имеются собственные скорости, то происходит их диффузия (проникновение) из одного полупроводника в другой. Носители перемещаются оттуда, где их концентрация велика, туда, где концентрация мала. Таким образом, из полупроводника п-типа в полупроводник р-типа диффундируют электроны, а в обратном направлении из полупроводника р-типа в полупроводник п-типа диффундируют дырки. В результате диффузии носителей по обе стороны границы раздела двух полупроводников с различным типом электропроводности создаются объемные заряды различных знаков. В области п возникает положительный объемный заряд. Он образован главным образом положительно заряженными атомами до-норной примеси и в небольшой степени пришедшими в эту область дырками. Подобно этому в области р возникает отрицательный объемный заряд, образованный отрицательно заряженными атомами акцепторной примеси и отчасти пришедшими сюда электронами. Между образовавшимися объемными зарядами возникает так называемая контактная разность потенциалов и электрическое поле. В р-п-переходе возникает потенциальный барьер, препятствующий диффузионному переходу носителей. Чем больше концентрация примесей, тем выше концентрация основных носителей и тем большее количество их диффундирует через границу. Плотность объемных зарядов возрастает и увеличивается контактная разность потенциалов, т. е. высота потенциального барьера. При этом толщина р-п-перехода уменьшается. Одновременно с диффузным перемещением основных носителей через границу происходит и обратное перемещение носителей под действием электрического поля контактной разности потенциалов. Это поле перемещает дырки из п-области обратно в р-область и электроны из р-области обратно в п-область. При определенной температуре р-п-переход находится в состоянии динамического равновесия. Каждую секунду через границу в противоположных направлениях диффундирует определенное количество электронов и дырок, а под действием поля такое же их количество дрейфует в обратном направлении. Перемещение носителей за счет диффузии является диффузионным током, а движение носителей под действием поля представляет собой ток проводимости. При динамическом равновесии перехода эти токи равны и противоположны по направлению. Поэтому полный ток через переход равен нулю, что и должно быть при отсутствии внешнего напряжения. Каждый из токов имеет электронную и дырочную составляющие. Величины этих составляющих различны, так как они зависят от концентрации и подвижности носителей. Высота потенциального барьера всегда автоматически устанавливается именно такой, при которой наступает равновесие, т. е. диффузионный ток и ток проводимости взаимно компенсируют друг друга.11. ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД ПРИ ДЕЙСТВИИ ПРЯМОГО НАПРЯЖЕНИЯ
Пусть источник внешнего напряжения подключен положительным полюсом к полупроводнику р-типа, а отрицательным полюсом – к полупроводнику п-типа. Электрическое поле, создаваемое в р-п-переходе прямым напряжением, действует навстречу полю контактной разности потенциалов. Результирующее поле становится слабее и разность потенциалов в переходе уменьшается, т. е. высота потенциального барьера понижается, возрастает диффузионный ток. Ведь пониженный барьер может преодолеть большее количество носителей. Ток проводимости почти не изменяется, так как он зависит главным образом только от числа неосновных носителей, попадающих за счет своих тепловых скоростей в область р-п-перехода из объемов п– и р-областей. При отсутствии внешнего напряжения диффузный ток и ток проводимости равны и взаимно компенсируют друг друга. При прямом напряжении iдиф> iпров и поэтому полный ток через переход, т. е. прямой ток, уже не равен нулю: iпр = iдиф – iпров> 0. Если барьер значительно понижен, то iдиф»iпров и можно считать, что iпр ~ iдиф, т. е. прямой ток в переходе является диффузионным. Явление введения носителей заряда через понизившийся потенциальный барьер в область, где эти носители являются неосновными, называется инжек-цией носителей заряда. Область полупроводникового прибора, из которой инжектируются носители, называется эмиттерной областью, или эмиттером. А область, в которую инжектируются неосновные для этой области носители заряда, называется базовой областью, или базой. Таким образом, если рассматривать инжекцию электронов, то п-область является эмиттером, а р-область – базой. Для инжекции дырок, наоборот, эмиттером служит р-область, а п-об-ласть является базой. В полупроводниковых приборах обычно концентрация примесей, а следовательно, и основных носителей в п– и р-областях весьма различна. Поэтому инжекция из области с более высокой концентрацией основных носителей резко преобладает. Соответственно этой преобладающей инжекции и дают название эмиттер и база. Например, если пп»рр, то инжек-ция электронов из п-области в р-область значительно превосходит инжекцию дырок в обратном направлении. В данном случае эмиттером считают п-область, а базой р-область, так как инжекцией дырок можно пренебречь. При прямом напряжении не только понижается потенциальный барьер, но и уменьшается толщина запирающего слоя. Это приводит к уменьшению сопротивления запирающего слоя. Его сопротивление в прямом направлении получается малым. Поскольку высота барьера при отсутствии внешнего напряжения составляет несколько десятых долей вольта, то для значительного понижения барьера и существенного уменьшения сопротивления запирающего слоя достаточно подвести к р-п-переходу прямое напряжение всего лишь порядка десятых долей вольта. Поэтому значительный прямой ток можно получить при очень небольшом прямом напряжении. Очевидно, что при некотором прямом напряжении можно вообще уничтожить потенциальный барьер в р-п-переходе. Тогда сопротивление перехода, т. е. запирающего слоя, станет близко к нулю и им можно будет пренебречь. Прямой ток в этом случае возрастет и будет зависеть от сопротивления объемов пи р-областей. Теперь уже этими сопротивлениями пренебрегать нельзя, так как именно они остаются в цепи и определяют величину тока.12. ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД ПРИ ОБРАТНОМ НАПРЯЖЕНИИ
Пусть источник внешнего напряжения подключен положительным полюсом к области п, а отрицательным – к области р. Под действием такого обратного напряжения через проход протекает очень небольшой обратный ток, что объясняется следующим образом. Поле, создаваемое обратным напряжением, складывается с полем контактной разности потенциалов. Результирующее поле усиливается. Уже при небольшом повышении барьера диффузионное перемещение основных носителей через переход прекращается, так как собственные скорости носителей недостаточны для преодоления барьера. А ток проводимости остается почти неизменным, поскольку он определяется главным образом числом неосновных носителей, попадающих в область р-п-перехода из объемов п-и р-областей. Выведение неосновных носителей через р-п-переход ускоряющим электрическим полем, созданным внешним напряжением, называют экстракцией носителей заряда. Таким образом, обратный ток представляет собой практически ток проводимости, образованный перемещением неосновных носителей. Обратный ток получается очень небольшим, так как неосновных носителей мало и, кроме того, сопротивление запирающего слоя при обратном напряжении очень велико. Действительно, при повышении обратного напряжения поле в области перехода становится сильнее и под действием этого поля больше основных носителей «выталкивается» из пограничных слоев в глубь пи р– областей. Поэтому с увеличением обратного напряжения увеличивается не только высота потенциального барьера, но и толщина запирающего слоя. Этот слой еще больше обедняется носителями, и его сопротивление значительно возрастает. Уже при сравнительно небольшом обратном напряжении обратный ток достигает почти постоянной величины, которую можно назвать током насыщения. Это объясняется тем, что количество неосновных носителей ограничено. С повышением температуры концентрация их возрастает и обратный ток увеличивается, а обратное сопротивление уменьшается. Рассмотрим несколько подробнее, как устанавливается обратный ток при включении обратного напряжения. Сначала возникает переходный процесс, связанный с движением основных носителей. Электроны в п-области движутся по направлению к положительному полюсу источника, т. е. удаляются от р-п-пере-хода. А в р-области, удаляясь от р-п-перехода, движутся дырки. У отрицательного электрода они рекомбинируют с электронами, которые приходят из провода, соединяющего этот электрод с отрицательным полюсом источника. Поскольку из п-области уходят электроны, она заряжается положительно, так как в ней остаются положительно заряженные атомы донорной примеси. Подобно этому р-область заряжается отрицательно, ее дырки заполняются приходящими электронами и в ней остаются отрицательно заряженные атомы акцепторной примеси. Рассмотренное движение основных носителей в противоположные стороны продолжается лишь малый промежуток времени. Такой кратковременный ток подобен зарядному току конденсатора. По обе стороны р-п-перехода возникают два разноименных объемных заряда, и вся система становится аналогичной заряженному конденсатору с плохим диэлектриком, в котором имеется ток утечки (его роль играет обратный ток). Но ток утечки конденсатора в соответствии с законом Ома пропорционален приложенному напряжению, а обратный ток р-п-перехода сравнительно мало зависит от напряжения.13. ВОЛЬТ-АМПЕРНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДИОДА
Для любого электрического прибора важна зависимость между током через прибор и приложенным напряжением. Зная эту зависимость, можно определить ток при заданном напряжении или, наоборот, напряжение, соответствующее заданному току. Если сопротивление прибора является постоянным, не зависящим от тока или напряжения, выражается законом Ома: i= u/R, или i= Gu. Ток прямо пропорционален напряжению. Коэффициентом пропорциональности является проводимость G =1/R. График зависимости между током и напряжением называется «вольт-амперная характеристика» данного прибора. Для прибора, подчиняющегося закону Ома, характеристикой является прямая линия, проходящая через начало координат. Приборы, подчиняющиеся закону Ома и имеющие вольт-амперную характеристику в виде прямой линии, проходящей через начало координат, называются линейными. Существуют также приборы, у которых сопротивление не является постоянным, а зависит от напряжения или тока. Для таких приборов связь между током и напряжением выражается не законом Ома, а более сложным образом, и вольт-амперная характеристика не является прямой линией. Эти приборы называются нелинейными. Электронно-дырочный переход по существу представляет собой полупроводниковый диод. Обратный ток при увеличении обратного напряжения сначала быстро возрастает. Это вызвано тем, что уже при небольшом обратном напряжении за счет повышения потенциального барьера в переходе резко снижается диффузионный ток, который направлен навстречу току проводимости. Следовательно, полный ток резко увеличивается. Однако при дальнейшем повышении обратного напряжения ток растет незначительно, т. е. наступает явление, напоминающее насыщение. Рост токапроисходит вследствие нагрева перехода током, за счет утечки по поверхности, а также за счет лавинного размножения носителей заряда, т. е. увеличения числа носителей заряда в результате ударной ионизации. Явление это состоит в том, что при более высоком обратном напряжении электроны приобретают большую скорость и, ударяясь в атомы кристаллической решетки, выбивают из них новые электроны, которые в свою очередь разгоняются полем и также выбивают из атомов электроны. Такой процесс усиливается с повышением напряжения. При некотором значении обратного напряжения возникает пробой p-n-перехода, при котором обратный ток резко возрастает и сопротивление запирающего слоя резко уменьшается. Следует различать электрический и тепловой пробой p-n-перехода. Электрический пробой является обратимым, если при этом пробое в переходе не происходит необратимых изменений (разрушений структуры вещества). Поэтому работа диода в режиме электрического пробоя допустима. Могут существовать два вида электрического пробоя, которые нередко сопутствуют друг другу: лавинный и туннельный. Лавинный пробой объясняется рассмотренным лавинным размножением носителей за счет ударной ионизации. Этот пробой характерен для p-n-перехо-дов большой толщины, получающихся при сравнительно малой концентрации примесей в полупроводниках. Пробивное напряжение для лавинного пробоя обычно составляет десятки или сотни вольт. Туннельный пробой объясняется весьма интересным явлением туннельного эффекта. Сущность его состоит в том, что при достаточно сильном поле с напряженностью более 105В/см, действующем в p-з-переходе малой толщины, некоторые электроны проникают через переход без изменения своей энергии. Тонкие переходы, в которых возможен туннельный эффект, получаются при высокой концентрации примесей. Пробивное напряжение, соответствующее туннельному пробою, обычно не превышает единиц вольт.14. ЕМКОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДИОДА
Р-п-переход при обратном напряжении аналогичен конденсатору со значительной утечкой в диэлектрике. Запирающий слой имеет очень высокое сопротивление и по обе его стороны расположены два разноименных объемных заряда, созданных ионизированными атомами донорной и акцепторной примеси. Поэтому p-n-переход обладает емкостью, подобной емкости конденсатора с двумя обкладками. Эту емкость называют барьерной емкостью. Барьерная емкость, как и емкость обычных конденсаторов, возрастает при увеличении площади p-n-перехода и диэлектрической проницаемости вещества полупроводника и уменьшении толщины запирающего слоя. Особенность барьерной емкости состоит в том, что она является нелинейной емкостью, т. е. изменяется при изменении напряжения на переходе. Если обратное напряжение возрастает, то толщина запирающего слоя увеличивается. А так как этот слой играет роль диэлектрика, то барьерная емкость уменьшается. Барьерная емкость вредно влияет на выпрямление переменного тока, так как она шунтирует диод и через нее на более высоких частотах проходит переменный ток. Но вместе с тем имеется и полезное применение барьерной емкости. Специальные диоды, называемые варикапами, используют в качестве конденсаторов переменной емкости для настройки колебательных контуров, а также в некоторых схемах, работа которых основана на применении нелинейной емкости. В отличие от обычных конденсаторов переменной емкости, в которых изменение емкости происходит механическим путем, в варикапах это изменение достигается регулировкой величины обратного напряжения. Способ настройки колебательных контуров с помощью варикапов называют электронной настройкой. При прямом напряжении диод, кроме барьерной емкости, обладает так называемой диффузионной емкостью, которая также нелинейна и возрастает при увеличении прямого напряжения. Диффузионная емкость характеризует накопление подвижных носителей заряда в п– и p-областях при наличии прямого напряжения на переходе. Она существует только при прямом напряжении, когда носители заряда в большом количестве диффундируют через пониженный потенциальный барьер и, не успев рекомбинировать, накапливаются в п– и p-областях. Так, например, если в некотором диоде p-область является эмиттером, а п-область – базой, то при подаче прямого напряжения из p-области в п-область через переход устремляется большое количество дырок и, следовательно, в п-области появляется положительный заряд. Одновременно под действием источника прямого напряжения из провода внешней цепи в п-область входят электроны и в этой области возникает отрицательный заряд. Дырки и электроны в п-области не могут мгновенно рекомбинировать. Поэтому каждому значению прямого напряжения соответствует определенная величина двух равных разноименных зарядов, накопленных в п-области за счет диффузии носителей через переход. Диффузионная емкость значительно больше барьерной, но она в большинстве случаев не оказывает существенного влияния на работу диода и использовать ее также не удается, так как она всегда зашунти-рована малым прямым сопротивлением самого диода. Практическое значение, как правило, имеет только барьерная емкость.15. ПРИМЕНЕНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ ДЛЯ ВЫПРЯМЛЕНИЯ ПЕРЕМЕННОГО ТОКА
Выпрямление переменного тока является одним из основных процессов в радиоэлектронике. В выпрямительном устройстве энергия переменного тока преобразуется в энергию постоянного тока. Полупроводниковые диоды хорошо проводят ток в прямом направлении и плохо проводят в обратном, и, следовательно, основным назначением большинства диодов является выпрямление переменного тока. В выпрямителях для питания радиоэлектронной аппаратуры генератором переменной ЭДС обычно служит силовой трансформатор, включенный в электрическую сеть. Вместо трансформатора иногда применяется автотрансформатор. В некоторых случаях выпрямитель питается от сети трансформатора. Роль нагрузочного резистора, т. е. потребителя энергии постоянного тока, в практических схемах играют те цепи или приборы, которые питаются выпрямителем. При выпрямлении токов высокой частоты, например в детекторных каскадах радиоприемников, генератором переменной ЭДС служит трансформатор высокой частоты или резонансный колебательный контур, а специально включенный нагрузочный резистор имеет большое сопротивление. Применение конденсатора удваивает обратное напряжение по сравнению с его величиной при отсутствии конденсатора. Весьма опасным является короткое замыкание нагрузки, которое, в частности, получается при пробое конденсатора сглаживающего фильтра. Тогда все напряжение источника будет приложено к диоду и ток станет недопустимым. Происходит тепловой пробой диода. Достоинством полупроводниковых диодов по сравнению с вакуумными является не только отсутствие накала катода, но и малое падение напряжения на диоде при прямом токе. Независимо от величины тока, т. е. от мощности, на которую рассчитан полупроводниковый диод, прямое напряжение на нем составляет десятые доли вольта или немногим больше 1 В. Поэтому КПД выпрямителей с полупроводниковыми диодами выше, чем с вакуумными диодами. При выпрямлении более высоких напряжений КПД повышается, так как в этом случае потеря напряжения около 1В на самом диоде не имеет существенного значения. Таким образом, полупроводниковые диоды по сравнению с вакуумными более экономичны и выделяют при работе меньше тепла, создающего вредное нагревание других деталей, расположенных вблизи. Также полупроводниковые диоды имеют очень большой срок службы. Но их недостатком является сравнительно невысокое предельное обратное напряжение не более сотен вольт, а у высоковольтных кенотронов оно может быть до десятков киловольт. Полупроводниковые диоды могут применяться в любых выпрямительных схемах. Если сглаживающий фильтр выпрямителя начинается с конденсатора большой емкости, то при включении переменного напряжения на заряд конденсатора происходит импульс тока, часто превышающий допустимое значение прямого тока данного диода. Поэтому для уменьшения такого тока иногда последовательно с диодом включают ограничительный резистор с сопротивлением порядка единиц или десятков Ом. В полупроводниковых диодах, работающих в выпрямительном режиме, при перемене полярности напряжения могут наблюдаться значительные импульсы обратного тока. Эти импульсы возникают по двум причинам. Во-первых, под влиянием обратного напряжения получается импульс тока, заряжающего барьерную емкость р-п-перехода. Чем больше эта емкость, тем больше такой импульс. Во-вторых, при обратном напряжении происходит рассасывание неосновных носителей, накопившихся в п– и р-областях. Практически вследствие неодинаковости концентраций примесей в этих областях главную роль играет больший заряд, накопившийся в одной из областей.16. ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ О ТРАНЗИСТОРАХ
В числе электропреобразовательных полупроводниковых приборов, т. е. приборов, служащих для преобразования электрических величин, важное место занимают транзисторы. Они представляют собой полупроводниковые приборы, пригодные для усиления мощности и имеющие три вывода или больше. Транзисторы могут иметь разное число переходов между областями с различной электропроводностью. Наиболее распространены транзисторы с двумя р-п-пе-реходами. Эти транзисторы называют биполярными, так как их работа основана на использовании носителей заряда обоих знаков. Первые транзисторы были точечными, но они работали недостаточно устойчиво. В настоящее время изготавливаются и применяются исключительно плоскостные транзисторы. Плоскостной биполярный транзистор представляет собой пластинку германия или другого полупроводника, в которой созданы три области с различной электропроводностью. Средняя область транзистора называется базой, одна крайняя область – эмиттером, другая – коллектором. Таким образом, в транзисторе имеются два р-п-перехода – эмиттерный между эмиттером и базой и коллекторный между базой и коллектором. Расстояние между ними должно быть очень малым, не более единиц микрон, т. е. область базы должна быть очень тонкой. Это является важнейшим условием для хорошей работы транзистора. Кроме того, обычно концентрация примесей в базе значительно меньше, чем в коллекторе и эмиттере. С помощью металлических электродов от базы, эмиттера и коллектора сделаны выводы. ( Транзистор может работать в трех режимах в зависимости от того, каковы напряжения на его переходах. Работа в активном режиме получается в случае, если на эмиттерном переходе напряжение прямое, а на коллекторном – обратное. Режим отсечки или запирания достигается подачей обратного напряжения на оба перехода. Если на обоих переходах напряжение прямое, то транзистор работает в режиме насыщения. Активный режим является основным. В частности, он используется в большинстве усилителей и генераторов. В практических схемах с транзисторами обычно образуются две цепи. Входная, или управляющая, цепь служит для управления работой транзистора. В выходной, или управляемой, цепи получаются усиленные колебания. Источник усиливаемых колебаний включается во входную цепь, а в выходную цепь включают нагрузку. Зависимости между токами и напряжениями в транзисторах выражаются их статическими характеристиками, т. е. характеристиками, снятыми на постоянном токе и при отсутствии нагрузки в выходной цепи. Входные и выходные характеристики транзистора имеют тесную связь с вольт-амперной характеристикой полупроводникового диода. Входные характеристики относятся к эмиттерному переходу, который работает при прямом напряжении. Поэтому они аналогичны характеристике обратного тока диода. Выходные характеристики подобны характеристике обратного тока диода, так как они отображают свойства коллекторного перехода, работающего при обратном напряжении. Существуют еще характеристики обратной связи, которые показывают, как изменяется напряжение на входе транзистора под влиянием изменения выходного напряжения при условии, что входной ток постоянен.17. ФИЗИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В ТРАНЗИСТОРЕ
Рассмотрим, как работает транзистор в статическом режиме без нагрузки, когда включены только источники постоянных питающих напряжений. Полярность их такова, что на эмиттерном переходе напряжение прямое, а на коллекторном – обратное. Поэтому сопротивление эмиттерного перехода мало и для получения нормального тока в этом переходе достаточен источник с напряжением порядка десятых долей вольта. Сопротивление коллекторного перехода велико и напряжение обычно составляет единицы или десятки вольт. Принцип работы транзистора заключается в том, что прямое напряжение эмиттерного перехода существенно влияет на ток коллектора: чем больше напряжение, тем больше токи эмиттера и коллектора. При этом изменение тока коллектора лишь незначительно меньше изменений тока эмиттера. Таким образом, входное напряжение управляет током коллектора. Усиление электрических колебаний с помощью транзистора основано именно на этом явлении. Физические процессы в транзисторе происходят следующим образом. При увеличении прямого входного напряжения понижается потенциальный барьер в эмиттерном переходе и соответственно возрастает ток через этот переход – ток эмиттера. Электроны этого тока инжектируются из эмиттера в базу и благодаря явлению диффузии проникают сквозь базу в область коллекторного перехода, увеличивая ток коллектора. Так как коллекторный переход работает при обратном напряжении, то в области этого перехода получаются объемные заряды. Между ними возникает электрическое поле. Оно способствует продвижению через коллекторный переход электронов, пришедших сюда из эмиттера, т. е. втягивает электроны в область коллекторного перехода. Если толщина базы достаточно мала и концентрация дырок в ней невелика, то большинство электронов, пройдя через базу, не успевает рекомбинировать с дырками базы и достигает коллекторного перехода. Лишь небольшая часть электронов рекомбинирует в базе с дырками. В результате этой рекомбинации возникает ток базы, протекающий в проводе базы. Вследствие рекомбинации какое-то количество дырок каждую секунду исчезает, но такое же количество новых дырок каждую секунду возникает за счет того, что из базы уходит в направлении к полюсу источника такое же количество электронов. В базе не может происходить накопления какого-то большого количества электронов. Ток базы является бесполезным и даже вредным. Желательно, чтобы ток базы был как можно меньше. Для этого базу делают очень тонкой и уменьшают в ней концентрацию примесей, которая определяет концентрацию дырок. При выполнении этих условий меньшее количество электронов будет рекомбинировать в базе с дырками. Данное одному из электродов название «эмиттер» подчеркивает, что электроны как бы эмитируют из этого электрода в базу. На самом же деле происходит не эмиссия, а инжекция электронов из эмиттера в базу. Применение этого термина необходимо для того, чтобы отличать данное явление от электронной эмиссии, в результате которой получаются электроны в вакууме или разреженном газе. Эмиттером следует называть область транзистора, назначением которой является инжекция носителей заряда в базу. Коллектором называют область, назначением которой является экстракция носителей заряда из базы. А базой является область, в которую инжектируются эмиттером неосновные для этой области носители заряда. Эмиттер и коллектор можно поменять местами. Но в транзисторах, как правило, коллекторный переход делается со значительно большей площадью, нежели эмиттерный переход, так как мощность, рассеиваемая в коллекторном переходе, гораздо больше, чем в эмиттерном.18. ОСНОВНЫЕ СХЕМЫ ВКЛЮЧЕНИЯ ТРАНЗИСТОРОВ
Применяют три основные схемы включения транзисторов в усилительные или иные каскады. В этих схемах один из электродов транзистора является общей точкой входа и выхода каскада. Основные схемы включения транзисторов называются соответственно схемами с общим эмиттером, общей базой и общим коллектором. Схема с общим эмиттером является наиболее распространенной, так как она дает наибольшее усиление по мощности. Коэффициент усиления по току такого каскада представляет собой отношение амплитуд выходного или входного переменного токов, т. е. переменных составляющих токов коллектора и базы. Поскольку ток коллектора в десятки раз больше тока базы, то коэффициент усиления по току получается порядка десятков. Усилительные свойства транзистора при включении его по схеме с общим эмиттером характеризует один из главных его параметров – статический коэффициент усиления по току для схемы с общим эмиттером. Поскольку он должен характеризовать только сам транзистор, то его определяют в режиме без нагрузки, т. е. при постоянном напряжении «коллектор – эмиттер». Коэффициент усиления каскада по напряжению равен отношению амплитуд выходного и входного переменных напряжений. Входным является напряжение «база – эмиттер», а выходным – переменное напряжение на резисторе нагрузки или между коллектором и эмиттером. Схема с общей базой дает значительно меньшее усиление мощности и имеет еще меньшее входное сопротивление, чем схема с общим эмиттером, все же ее применяют довольно часто, так как по своим частотным и температурным свойствам она значительно лучше схемы с общим эмиттером. Коэффициент усиления по току каскада с общей базой всегда несколько меньше единицы. Это вытекает из того, что ток коллектора всегда лишь немного меньше тока эмиттера. Важнейшим параметром транзисторов является статический коэффициент усиления по току для схемы с общей базой. Он определяется для режима без нагрузки, т. е. при постоянном напряжении «коллектор – база». Для схемы с общей базой сдвиг фаз между выходным и входным напряжением отсутствует, т. е. фаза напряжения при усилении не переворачивается. Схема с общим коллектором. В ней действительно коллектор является общей точкой входа и выхода, поскольку источники питания всегда шунтированы конденсаторами большой емкости и для переменного тока могут считаться коротким замыканием. Особенность этой схемы в том, что входное напряжение полностью передается обратно на вход, т. е. имеется очень сильная отрицательная обратная связь. Входное напряжение равно сумме переменного напряжения «база – эмиттер» и выходного напряжения. Коэффициент усиления по току каскада с общим коллектором почти такой же, как и в схеме с общим эмиттером, т. е. имеет величину порядка десятков. Коэффициент усиления по напряжению близок к единице, но всегда меньше ее. Выходное напряжение совпадает по фазе с входным и почти равно ему по величине. То есть выходное напряжение повторяет входное.19. ЧАСТОТНЫЕ СВОЙСТВА ТРАНЗИСТОРОВ
С повышением частоты усиление, даваемое транзисторами, снижается. Имеются две главные причины этого явления. Во-первых, на более высоких частотах вредно влияет емкость коллекторного перехода. На низких частотах сопротивление емкости очень большое, коллекторное сопротивление также очень велико и можно считать, что весь ток идет в нагрузочный резистор. Но на некоторой высокой частоте сопротивление емкости становится сравнительно малым и в нее ответвляется заметная часть тока, создаваемого генератором, а ток в резисторе соответственно уменьшается. Следовательно, уменьшаются выходное напряжение и выходная мощность. Емкость эмиттерного перехода также уменьшает свое сопротивление с повышением частоты, но она всегда шунтирована малым сопротивлением эмиттер-ного перехода и поэтому ее вредное влияние может проявляться только на очень высоких частотах. Практически на менее высоких частотах емкость, которая шунтирована очень большим сопротивлением коллекторного перехода, уже настолько сильно влияет, что работа транзистора, на который могла бы влиять емкость, становится нецелесообразной. Поэтому влияние емкости в большинстве случаев можно не рассматривать. Второй причиной снижения усиления на более высоких частотах является отставание по фазе переменного тока коллектора от переменного тока эмиттера. Оно вызвано инерционностью процесса перемещения носителей через базу от эмиттерного перехода к коллекторному, а также инерционностью процессов накопления и рассасывания заряда в базе. Носители, например электроны в транзисторе типа n-p-n, совершают в базе диффузионное движение и поэтому скорость их не очень велика. Время пробега носителей через базу в обычных транзисторах получается порядка 10-7с, т. е. 0,1 мкс и менее. Конечно, это время очень небольшое, но при частотах порядка единиц и десятков мегагерц и выше оно вызывает заметный сдвиг фаз между токами коллектора и эмиттера. За счет такого сдвига фаз на высоких частотах возрастает переменный ток базы, а от этого снижается коэффициент усиления по току. Обозначим коэффициент усиления по току для схемы с общим эмиттером в, а коэффициент усиления по току для схемы с общей базой б. При повышении частоты в уменьшается значительно сильнее, чем б. Коэффициент б снижается от влияния емкости, а на величину в влияет еще и сдвиг фаз между токами коллектора и эмиттера за счет времени пробега носителей через базу. Схема с общим эмиттером по сравнению со схемой с общей базой обладает значительно худшими частотными свойствами. Принято считать предельно допустимым уменьшение величин б и в на 30 % по сравнению с их значениями на низких частотах. Те частоты, на которых получается такое снижение усиления, называют граничными, или предельными, частотами усиления для схем с общей базой и общим эмиттером. Помимо предельных частот усиления, транзистор характеризуется еще максимальной частотой генерации, при которой коэффициент усиления по мощности каскада снижается до 1. На высоких частотах происходит не только изменение величин б и в. Вследствие влияния емкостей переходов и времени пробега носителей через базу, а также процессов накопления и рассасывания зарядов в базе собственные параметры транзистора на высоких частотах изменяют свою величину и уже не являются чисто активными сопротивлениями. Изменяются также и все другие параметры. Более высокие предельные частоты могут быть получены при использовании полупроводников, у которых подвижность носителей выше.20. ИМПУЛЬСНЫЙ РЕЖИМ ТРАНЗИСТОРОВ
Транзисторы, как и полупроводниковые диоды, применяются в различных импульсных устройствах. Работа транзисторов в импульсном режиме, иначе называемом ключевым или режимом переключения, имеет ряд особенностей. Рассмотрим импульсный режим транзистора с помощью его выходных характеристик для схемы с общим эмиттером. Пусть в цепь коллектора включен резистор нагрузки. Обычно до поступления на вход транзистора импульса входного тока или входного напряжения транзистор находится в запертом состоянии. В цепи коллектора проходит малый ток, и, следовательно, эту цепь приближенно можно считать разомкнутой. Напряжение источника почти все полностью приложено к транзистору. Если на вход подан импульс тока с максимальным значением, то транзистор переходит в область насыщения. Получается импульс тока коллектора с максимальным значением. Иногда его называют током насыщения. В этом режиме транзистор выполняет роль замкнутого ключа и почти все напряжение источника падает на резистор, а на транзисторе имеется лишь очень небольшое остаточное напряжение порядка десятка долей вольта, обычно называемое напряжением насыщения. Если импульс входного тока будет меньше максимального значения, то импульс тока коллектора тоже уменьшится. Но зато увеличение импульса тока базы сверх максимального значения уже не дает возрастания импульса выходного тока. Импульсный режим характеризуется также коэффициентом усиления по току, который в отличие от в определяется не через приращение токов, а как отношение токов, соответствующих режиму насыщения. Иначе говоря, в является параметром, характеризующим усиление малых сигналов, а коэффициент усиления по току относится к усилению больших сигналов, в частности импульсов, и по величине несколько отличается от в. Параметром импульсного режима транзистора служит также его сопротивление насыщения. Величина сопротивления насыщения у транзисторов, предназначенных для импульсной работы, обычно бывает порядка единиц, иногда десятков Ом. Аналогично рассмотренной схеме с общим эмиттером работает в импульсном режиме и схема с общей базой. Если длительность входного импульса во много раз больше времени переходных процессов накопления и рассасывания зарядов в базе транзистора, то импульс выходного тока будет иметь почти такую же длительность и форму, как входной импульс. Но при коротких импульсах может наблюдаться значительное искажение формы импульса выходного тока и увеличение его длительности. Постепенное увеличение тока связано с процессом накопления носителей в базе. Кроме того, носители, инжектированные в базу в начале импульса входного тока, имеют разные скорости своего диффузионного движения и не все сразу достигают коллектора. После окончания входного импульса за счет процесса рассасывания заряда, накопившегося в базе, ток продолжается некоторое время, а затем постепенно спадает в течение времени спада. Следовательно, замедляется процесс включения и выключения коллекторной цепи, затягивается время, в течение которого находится в замкнутом состоянии. Иначе говоря, за счет инерционности процессов накопления и рассасывания заряда в базе транзистор не может осуществлять достаточно быстрое включение и выключение, т. е. не обеспечивает достаточное быстродействие ключевого режима.21. ОСНОВНЫЕ ТИПЫ ТРАНЗИСТОРОВ
Существующие типы транзисторов классифицируются по методу изготовления, применяемым материалам, особенностям работы, назначению, мощности, диапазону рабочих частот и по другим признакам. Точечные транзисторы, исторически бывшие первыми, теперь не применяются. Рассмотрим плоскостные транзисторы. В качестве полупроводников для транзисторов, выпускаемых промышленностью, применяются германий и кремний. По предельной мощности, выделяемой в коллекторном переходе, различают транзисторы малой, средней и большой мощности. В зависимости от предельной рабочей частоты транзисторы бывают низкочастотные (до 3 МГц), средней частоты (от 3 до 30 МГц) и высокочастотные (выше 30 МГц). У подавляющего большинства транзисторов основным физическим процессом является инжекция носителей, но имеется группа транзисторов, работающих без инжекции. К ним, в частности, относятся полевые (канальные) транзисторы. Транзисторы с инжекцией могут иметь различное число p-n-пере-ходов. Исключительно широкое распространение получили биполярные транзисторы, имеющие два p-n-пере-хода. Различают два вида таких транзисторов: дрейфовые, в которых перенос неосновных носителей заряда через базу осуществляется главным образом посредством дрейфа, т. е. под действием ускоряющего электрического поля, и бездрейфовые, в которых такой перенос осуществляется главным образом посредством диффузии. Бездрейфовые транзисторы имеют во всем объеме базы одну и ту же концентрацию примеси. Вследствие этого в базе не возникает электрического поля и но– сители в ней совершают диффузионное движение от эмиттера к коллектору. Скорость такого движения меньше скорости дрейфа носителей в ускоряющем поле. Следовательно, бездрейфовые транзисторы предназначены для более низких частот, нежели дрейфовые. В дрейфовых транзисторах электрическое поле в базе ускоряет неосновные носители при их движении к коллектору. Поэтому повышаются предельная частота и коэффициент усиления по току. Чаще всего электрическое поле в базе создается за счет неодинаковой концентрации примесей в объеме базы, что может быть достигнуто при диффузионном методе изготовления p-n-переходов. Транзисторы, изготовленные таким методом, называют диффузионными. Бездрейфовые транзисторы в большинстве имеют сплавные переходы, полученные по такой технологии, как у диодов. Эти транзисторы принято называть сплавными. В основную пластинку полупроводника с двух сторон вплавляются примеси, образующие эмиттерную и коллекторную области. Так как на коллекторном переходе рассеивается большая мощность, то он обычно имеет значительно большие размеры, чем эмиттерный переход. Однако могут быть изготовлены и симметричные сплавные транзисторы, у которых оба перехода одинаковы. Дрейфовые транзисторы делаются на предельные частоты в десятки раз более высокие, нежели у сплавных транзисторов. Под действием ускоряющего поля носители гораздо быстрее движутся в базе. При изготовлении дрейфовых транзисторов применяется метод диффузии, при котором база может быть сделана очень тонкой. Коллекторный переход получается плавным и тогда его емкость гораздо меньше, чем у сплавных переходов. За счет малой толщины базы коэффициенты усиления б и в значительно выше, чем у сплавных транзисторов. Метод диффузии позволяет изготавливать транзисторы более точно, с меньшим разбросом параметров и характеристик.22. ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ ОБ ЭЛЕКТРОВАКУУМНЫХ ПРИБОРАХ И ПРИНЦИПЫ ИХ КЛАССИФИКАЦИИ
Электровакуумные приборы получили широкое распространение. С помощью этих приборов можно преобразовать электрическую энергию одного вида в электрическую энергию другого вида, отличающуюся по форме, величине и частоте тока или напряжения, а также энергию излучения в электрическую и обратно. При помощи электровакуумных приборов можно осуществить регулирование различных электрических, световых и других величин плавно или по ступеням, с большой или малой скоростью и с малыми затратами энергии на сам процесс регулирования, т. е. без значительного снижения КПД, характерного для многих других способов регулирования и управления. Эти достоинства электровакуумных приборов обусловили их использование для выпрямления, усиления, генерирования и преобразования частоты различных электрических токов, осциллографии электрических и неэлектрических явлений, автоматического управления и регулирования, передачи и приема телевизионных изображений, различных измерений и других процессов. Электровакуумными приборами называют приборы, в которых рабочее пространство, изолированное газонепроницаемой оболочкой, имеет высокую степень разрежения или заполнено специальной средой (парами или газами) и действие которых основано на использовании электрических явлений в вакууме или газе. Электровакуумные приборы делятся на электронные приборы, в которых проходит чисто электронный ток в вакууме, и ионные приборы (газоразрядные), для которых характерен электрический разряд в газе или парах. В электронных приборах ионизация практически отсутствует, а если и наблюдается в небольшой степени, то не оказывает заметного влияния на работу этих приборов. Разрежение газа в этих приборах оценивается давлением остаточных газов менее 10-6мм рт. ст., характерным для высокого вакуума. В ионных приборах давление остаточных газов бывает 10-3мм рт. ст. и выше. При таком давлении значительная часть движущихся электронов сталкивается с молекулами газа, приводит к ионизации, и, следовательно, в этих приборах процессы являются электронно-ионными. Действие проводниковых (безразрядных)электровакуумных приборов основано на использовании явлений, связанных с электрическим током в твердых или жидких проводниках, находящихся в разреженном газе. В этих приборах электрического разряда в газе или в вакууме нет. Электровакуумные приборы подразделяются по различным признакам. Особую группу составляют электронные лампы, т. е. электронные приборы, предназначенные для различных преобразований электрических величин. Эти лампы по своему назначению бывают генераторными, усилительными, выпрямительными, частотопреобразовательными, детекторными, измерительными и т. д. Большинство их рассчитано на работу в непрерывном режиме, но выпускают лампы и для импульсного режима. Они создают электрические импульсы, т. е. кратковременные токи при условии, что длительность импульсов много меньше, чем промежутки между импульсами. Электровакуумные приборы классифицируются еще и по многим другим признакам: по типу катода (накаленный или холодный), по устройству баллона (стеклянный, металлический, керамический или комбинированный), по роду охлаждения (естественное, т. е. лучистое, принудительное воздушное, водяное).23. УСТРОЙСТВО И ПРИНЦИП РАБОТЫ ДИОДА
Главным назначением двухэлектродной лампы, называемой диодом, является выпрямление переменного тока. Диод имеет два металлических электрода в стеклянном, металлическом или керамическом баллоне с вакуумом. Одним электродом является накаленный катод, служащий для эмиссии электронов. Другой электрод – анод – служит для притяжения электронов, испускаемых катодом, и создания потока свободных электронов. Катод и анод вакуумного диода аналогичны эмиттеру и базе полупроводникового диода. Анод притягивает электроны в случае, если он имеет положительный потенциал относительно катода. В пространстве между анодом и катодом образуется электрическое поле, которое при положительном потенциале анода является ускоряющим для электронов, испускаемых катодом. Электроны, вылетающие из катода, под действием поля движутся к аноду. В простейшем случае катод делают в виде металлической проволочки, которая накаливается током. С ее поверхности вылетают электроны. Такие катоды называют катодами прямого и непосредственного накала. Большое распространение получили также катоды косвенного накала, иначе называемые подогревными. Катод такого типа имеет металлический цилиндр, у которого поверхность покрыта активным слоем, эмитирующим электроны. Внутри цилиндра находится подогреватель в виде проволочки, накаливаемой током. Между анодом и катодом электроны образуют распределенный в пространстве отрицательный электрический заряд, называемый объемным или пространственным и препятствующий движению электронов к аноду. При недостаточно большом положительном потенциале анода не все электроны могут преодолеть тормозящее действие объемного заряда и часть их возвращается на катод. Чем выше потенциал анода, тем больше электронов преодолевает объемный заряд и уходит к аноду, т. е. тем больше катодный ток. В диоде ушедшие с катода электроны попадают на анод. Поток электронов, летящих внутри лампы от катода к аноду и попадающих на анод, называют анодным током. Анодный ток является основным током электронной лампы. Электроны анодного тока движутся внутри лампы от катода к аноду, а вне лампы – от анода к плюсу анодного источника, внутри последнего – от его плюса к минусу и затем – от минуса источника к катоду лампы. При изменении положительного потенциала анода изменяется катодный ток и равный ему анодный ток. В этом заключается электростатический принцип управления анодным током. Если потенциал анода отрицателен относительно катода, то поле между анодом и катодом является тормозящим для электронов, вылетающих из катода. Эти электроны под действием поля тормозятся и возвращаются на катод. В этом случае катодный и анодный токи равны нулю. Таким образом, основным свойством диода является его способность проводить ток в одном направлении. Диод обладает односторонней проводимостью. Маломощные детекторные диоды выпускаются с катодами косвенного накала. Они имеют электроды небольшого размера, рассчитаны на малые анодные токи, малую предельную мощность, выделяемую на аноде, и невысокое обратное напряжение. Детекторные диоды для высоких и сверхвысоких частот делают с возможно меньшей емкостью. Более мощные диоды (кенотроны) для выпрямления переменного тока электросети выпускаются с катодами как прямого, так и косвенного накала, и рассчитаны на более высокое обратное напряжение. Широкое применение имеют двойные диоды, т. е. два диода в одном баллоне.24. ТРИОД И ЕГО ЦЕПИ
В отличие от диодов триоды имеют третий электрод – управляющую сетку, называемую обычно простой сеткой и расположенную между анодом и катодом. Она служит для электростатического управления анодным током. Если изменять потенциал сетки относительно катода, то будет изменяться электрическое поле и вследствие этого станет изменяться катодный ток лампы. В этом заключается управляющее действие сетки. Катод и анод триодов такие же, как у диодов. Сетка в большинстве ламп выполняется из проволоки, окружающей катод. Катод, сетка и анод вакуумного диода аналогичны соответственно эмиттеру, базе и коллектору биполярного транзистора или истоку, затвору и стоку полевого транзистора. Все, что относится к сетке, обозначается буквой «с». Триод имеет цепи накала и анода, подобные таким же цепям диода, и цепь сетки. В практических схемах в цепь сетки включают резисторы и другие детали. Разность потенциалов между сеткой и катодом является сеточным напряжением (напряжением сетки) и обозначается Uc. Для лампы с катодом прямого накала сеточное напряжение определяется относительно конца катода, соединенного с отрицательным полюсом анодного источника. При положительном напряжении сетки часть электронов, испускаемых катодом, попадает на сетку, и в ее цепи образуется сеточный ток (ток сетки), обозначаемый iс. Часть триода, состоящая из катода, сетки и пространства между ними, по своим свойствам подобна диоду, а цепь сетки сходна с анодной цепью диода. Роль анода в этом диоде выполняет сетка. Основным и полезным током в триоде является анодный ток. Он аналогичен коллекторному току биполярного транзистора или току стока полевого транзистора. Сеточный ток, аналогичный току базы транзистора, как правило, бесполезен и даже вреден. Обычно он бывает значительно меньше анодного тока. Во многих случаях стремятся к тому, чтобы сеточного тока вообще не было. Для этого напряжение сетки должно быть отрицательным. Тогда сетка отталкивает электроны и сеточный ток практически отсутствует. Встречаются случаи, когда триоды работают при сравнительно больших положительных напряжениях сетки, и тогда сеточный ток имеет значительную величину. Возможность работы вакуумного триода без вредного сеточного воздействия существенно отличает его от биполярного транзистора, который не может работать без тока базы. В проводе катода протекает вместе анодный и сеточный токи. Суммарный ток здесь является катодным током, или током катода, и обозначается iк; iк = iа + iс. Катодный ток аналогичен эмиттерному току биполярного транзистора или току истока полевого транзистора и определяется суммарным потоком электронов, движущихся от катода в направлении к сетке. В диоде катодный ток всегда равен анодному току, а в триоде эти токи равны только при Uc <0, так как в этом случае iс = 0. В триоде с катодом прямого накала в цепи накала катодный ток разветвляется на две части, которые складываются алгебраически с током накала. Чтобы измерить в этом случае катодный ток, надо включить миллиамперметр. Подобно диодам, триоды обладают односторонней проводимостью и могут быть использованы для выпрямления переменного тока. Но для этого их применять нет смысла, так как диоды проще по конструкции и дешевле. Возможность управления анодным током с помощью сетки определяет основное назначение триодов – усиление электрических колебаний. Триоды применяются также для генерирования электрических колебаний различной частоты. Работа триодов в генераторах и во многих других специальных схемах в большинстве случаев сводится к усилению колебаний.25. ПРОСТЫЕ И СЛОЖНЫЕ КАТОДЫ
Простые катоды, т. е. катоды из чистых металлов, делаются почти исключительно из вольфрама (редко из тантала) и имеют прямой накал. Главным достоинством вольфрамового катода является устойчивость его эмиссии. При постоянном накале эмиссия лишь постепенно снижается в течение срока службы катода. А за короткие промежутки времени изменения эмиссии практически отсутствуют. После временного, не очень длительного перекала эмиссия не уменьшается. Сильный перекал опасен, так как катод может расплавиться. Длительный перекал значительно сокращает долговечность вольфрамового катода. Увеличение напряжения накала лишь на 5 % уменьшает срок службы в 2 раза, понижение накала на 5 %, наоборот, дает увеличение срока службы вдвое. Вольфрамовый катод не разрушается и не снижает эмиссии от ударов ионов. Стойкость вольфрамового катода к ионной бомбардировке делает его особенно пригодным для мощных ламп, работающих с высокими анодными напряжениями. Катоды из вольфрама применяются также в специальных электрометрических лампах, в которых важно постоянство эмиссии. У ламп с вольфрамовым катодом испаряющиеся частички вольфрама образуют на поверхности баллона слой, поглощающий газы и улучшающий вакуум. Основной недостаток вольфрамового катода – низкая эффективность. Из всех катодов он наименее экономичен. Эмиссия у него сравнительно мала. Зато вследствие высокой температуры интенсивно излучаются тепловые и световые лучи, на что бесполезно расходуется почти вся мощность накала. Именно это послужило толчком к созданию более экономичных сложных катодов. Сложные катоды могут иметь различное устройст-, во. У многих типов катодов на поверхность чистого металла наносится активирующий слой, который уменьшает работу выхода и позволяет получать большую эмиссию при сравнительно невысоких температурах. Главным достоинством сложных катодов является их экономичность. Рабочая температура у некоторых типов катодов составляет 1000 К. Долговечность доходит до тысячи и даже до десятков тысяч часов. К концу этого срока происходит понижение эмиссии от уменьшения количества активирующих примесей, например за счет их испарения. Некоторые типы сложных катодов дают сверхвысокую эмиссию в импульсном режиме, т. е. в течение коротких промежутков времени, разделенных друг от друга значительно более длительными паузами. Основным недостатком сложных катодов является невысокая устойчивость эмиссии. Эти катоды снижают эмиссионную способность при временном перекале, что объясняется испарением активирующих веществ при повышеннойтемпературе. Для уменьшения возможности ионизации в лампах со сложными катодами важно поддерживать очень высокий вакуум. Это достигается применением специального газопоглотителя. Сложные катоды могут быть пленочные и полупроводниковые. Применяются катоды новых типов: бариево-вольф-рамовые, ториево-оксидные и ряд других. Бариево-вольфрамовые катоды делают косвенного накала. На поверхности пористого вольфрама создается пористая активирующая пленка бария и стронция. Пленка, испаряясь, пополняется за счет диффузии сквозь вольфрам атомов бария и стронция из таблетки окислов этих металлов. Их преимуществом является стойкость при электронной и ионной бомбардировке. В так называемых синтерированных катодах оксид наносится на никелевую губку или сетку. Сопротивление подобного катода значительно снижается, и он гораздо меньше склонен к искривлению и возникновению очагов перегрева.26. КАТОДЫ ПРЯМОГО И КОСВЕННОГО НАКАЛА
Катоды прямого накала представляют собой проволоку круглого или прямоугольного сечения. Толщина ее бывает от 0,01 мм у самых маломощных ламп до 1–2 мм у мощных ламп. Короткие катоды делаются прямыми. Более длинные изгибаются в виде ломаной линии. В ионных приборах нередко катод имеет форму соленоида. Мощные катоды этих приборов изготовляют из ленты, изогнутой «гармошкой» или по винтовой линии. Достоинствами катодов прямого накала являются простота устройства и возможность их изготовления для самых маломощных ламп в виде тонких нитей на малый ток накала. Катоды прямого накала применяются в мощных генераторных лампах для маломощных переносных и передвижных радиостанций, питаемых от сухих батарей или аккумуляторов, так как в этих случаях важна экономия энергии источников тока. Катод в виде тонкой нити после включения накала быстро разогревается, что весьма удобно. Но большим недостатком этих катодов являются паразитные пульсации анодного тока при питании накала переменным током. Они создают большие помехи, искажая и заглушая полезные сигналы. При слуховом приеме эти пульсации проявляют себя характерным гудением – «фоном переменного тока». Недостатком тонких катодов прямого накала является микрофонный эффект. Он состоит в том, что анодный ток пульсирует при механических сотрясениях лампы. Внешние толчки создают у катода вибрации. Расстояние между катодом и другими электродами изменяется. Это и приводит к пульсации анодного тока. Широкое применение имеют катоды косвенного накала. Обычно катод косвенного накала имеет никелевую трубку с оксидным слоем, внутрь которой вставлен вольфрамовый подогреватель, свернутый петлей. Для изоляции от катода подогреватель покрывается массой из прокаленной окиси алюминия, называемой алундом. При значительной длине подогреватель изгибают несколько раз или скручивают по винтовой линии. В некоторых лампах катод сделан в виде невысокого цилиндра с верхним основанием, покрытым оксидом. Внутри цилиндра находится подогреватель с алундовой изоляцией, имеющий форму петли, свернутой спиралью. Катоды косвенного накала, как правило, оксидные. Главным достоинством катодов косвенного накала является почти полное устранение вредных пульсаций при питании переменным током. Колебание температуры практически отсутствует, так как масса, а следовательно, и теплоемкость у этих катодов значительно больше, нежели у катодов прямого накала. Катод косвенного накала обладает большой тепловой инерцией. От момента включения тока накала до полного разогрева катода проходят десятки секунд. Столько же времени нужно для остывания катода. Катод косвенного накала является эквипотенциальным. Вдоль него нет падения напряжения от тока накала. Анодное напряжение для всех точек его поверхности одно и то же. Оно не пульсирует при колебаниях напряжения накала. Достоинством катодов косвенного накала является незначительный микрофонный эффект. Масса катода сравнительно велика, и его трудно привести в состояние колебаний. Катоды косвенного накала имеют некоторые недостатки. Они сложнее по конструкции и обладают несколько меньшей эффективностью. Катоды косвенного накала трудно сконструировать на очень малые токи и поэтому они менее пригодны для маломощных экономичных ламп, рассчитанных на питание от батарей.27. ЗАКОН СТЕПЕНИ ТРЕХ ВТОРЫХ ДЛЯ ДИОДА
Для диода, работающего в режиме объемного заряда, анодный ток и анодное напряжение связаны нелинейной зависимостью, которая на основании теоретических расчетов приближенно выражается так называемым законом степени трех вторых: /а = диа3/2, где коэффициент дзависит от геометрических размеров и формы электродов, а также от выбранных единиц. Анодный ток пропорционален анодному напряжению в степени 3/2, а не в первой степени, как в законе Ома. Если увеличить, например, анодное напряжение вдвое, то анодный ток возрастает примерно в 2,8 раза, т. е. станет на 40 % больше, чем должен быть по закону Ома. Таким образом, анодный ток растет быстрее, нежели анодное напряжение. Графически закон степени трех вторых изображается кривой линией, которая называется полукубической параболой. Закон степени трех вторых справедлив для положительных анодных напряжений, меньших напряжений насыщения. Если расшифровать коэффициент д в законе степени трех вторых, то этот закон для диода с плоскими электродами следует писать так: iа = 2,33 · 10-6(Qа /d2а. к)Uа3/2, где Qа – площадь анода, dа. к – расстояние «анод – катод». Для диодов с электродами другой формы в постоянный коэффициент вводятся некоторые поправки, а Qа представляет собой действующую поверхность анода, т. е. ту поверхность, которая принимает на себя основной электронный поток. В этой формуле ток получается в амперах, если напряжение взято в вольтах, а Qа и d2ак.выражены в любых одинаковых единицах, например в квадратных миллиметрах. Ток обратно пропорционален квадрату расстояния «анод – катод». Уменьшение этого расстояния резко увеличивает этот анодный ток. Закон степени трех вторых, несмотря на свою неточность, полезен, так как он в наиболее простой форме учитывает нелинейные свойства электронной лампы. Рассмотрим вывод формулы закона степени трех вторых для диода с плоскими электродами. Будем считать, что объемный заряд q, в который входят все электроны, летящие к аноду, расположен так близко к катоду, что расстояние между этим зарядом и «анодом» можно принять равным расстоянию анод – катод dа.к. Если время пролета электронов вдоль расстояния dа.к. равно t, то величина анодного тока равна: ia, = q/ t. Заряд q можно выразить через анодное напряжение и емкость анод – катод Сак: q= Са.к. Uа. При этом для емкости Са.к. имеем формулу: Са.к. = ?0Qа / dа.к., где ?0 = 8,86 · 10-16Ф/м – диэлектрическая проницаемость вакуума, а Qа – площадь анода. Время пролета t определим через среднюю скорость: t= dа. к. / ?ср, но ?ср = v/2, где v – конечная скорость. В действительности вследствие неоднородности поля средняя скорость несколько меньше, чем определенная по вышеуказанным формулам. Вследствие приближенности вывода постоянный коэффициент в этом выражении несколько завышен. Более строгий вывод дает более точное значение постоянного коэффициента, но этот вывод также основан на допущениях, не соответствующих действительности. В частности, начальная скорость электронов полагается равной нулю, а распределение потенциала принимается таким, как в режиме насыщения, хотя закон степени трех вторых относится только к режиму объемного заряда.28. ФИЗИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В ТРИОДЕ
Катод и анод работают в триоде так же, как в диоде. В режиме объемного заряда около катода образуется потенциальный барьер. Как и в диоде, величина катодного тока зависит от высоты этого барьера. Управляющее действие сетки в триоде подобно действию анода в диоде. Если изменить напряжение сетки, то изменяется напряженность поля, создаваемого сеткой. Под влиянием этого изменяется высота потенциального барьера около катода. Следовательно, будет изменяться количество электронов, преодолевающих этот барьер, т. е. величина барьерного тока. Когда напряжение сетки изменяется в положительную строну, то потенциальный барьер понижается, его преодолевает большее количество эмитированных электронов, меньше их возвращается на катод и катодный ток возрастает. А при изменении сеточного напряжения в отрицательную сторону потенциальный барьер у катода повышается. Тогда его сможет преодолеть меньшее количество электронов. Увеличится число электронов, возвращающихся на катод, и катодный ток уменьшится. Сетка действует на катодный ток значительно сильнее, чем анод, потому что она расположена к катоду ближе, чем анод, и является экраном для электрического поля анода. Соотношение влияний сетки и анода на анодный ток характеризует важнейший параметр триода – коэффициент усиления. Коэффициент усиления – это отвлеченное число, показывающее, во сколько раз напряжение сетки действует на анодный ток сильнее, чем напряжение анода. Сравнительно небольшое отрицательное напряжение сетки может значительно уменьшить анодный ток и даже совсем его прекратить. Увеличение сеточного напряжения сетки сопровождается ростом анодного и сеточного токов. При больших положительных анодных напряжениях сетки ток сетки настолько возрастает, что анодный ток может даже уменьшиться. Значительное влияние на работу триода оказывает так называемый островковый эффект. Из-за неоднородной структуры сетки поле, создаваемое сеткой, также неоднородно, и оно влияет на потенциальный барьер около катода в различных его участках неодинаково. Сетка своим полем сильнее действует на потенциальный барьер около тех участков катода, которые ближе к проводникам сетки. Характеристики триода при работе его на постоянном токе и без нагрузки называются статическими. Различают теоретические и действительные характеристики триодов. Теоретические характеристики могут быть построены на основании закона трех вторых и не являются точными. Действительные характеристики снимаются экспериментально. Они более точны. Причины отклонения действительных характеристик от теоретических у триода те же, что и у диода. Значительное влияние оказывают неодинаковость температуры в разных точках катода, неэквипотенциаль-ность катода, дополнительный подогрев катода анодным током. На участки характеристик для малых анодных токов сильное влияние оказывают начальная скорость электронов, контактная разность потенциалов и термо-ЭДС. В триоде эти факторы влияют сильнее, нежели в диоде, так как их действие распространяется не только на анодную цепь, но и на цепь сетки.29. ДЕЙСТВУЮЩЕЕ НАПРЯЖЕНИЕ И ЗАКОН СТЕПЕНИ ТРЕХ ВТОРЫХ ДЛЯ ТРИОДА
Действующее напряжение триода позволяет рассчитать катодный ток триода путем замены триода эквивалентным диодом. Эта замена состоит в следующем. Если в триоде на место сетки поместить анод, имеющий такую же поверхность, какую занимает сетка, то в этом диоде при некотором его анодном напряжении анодный ток получается равным катодному току в триоде. Напряжение, приложенное к аноду эквивалентного диода и создающее в нем анодный ток, равный катодному току реального диода, называется действующем напряжением ид. Его действие эквивалентно совместному действию сеточного и анодного напряжений. То есть действующее напряжение должно создавать около катода эквивалентного диода такую же напряженность поля, какая создается около катода триода. Величина действующего напряжения определяется приближенно формулой Uд ~ Uс + Dиа = Uс + Uа /?. Напряжение сетки действует своим полем без ослабления, а поле, создаваемое анодным напряжением в пространстве «сетка – катод», ослаблено за счет экранирующего действия сетки. Ослабление действия анода характеризуется проницаемостью D или коэффициентом усиления ?. Поэтому величину Uа нельзя складывать с Uс, а нужно сначала умножить ее на D или разделить на ? (? и D являются обратными величинами только при iс = 0). Приближенная формула для Uд является приближенной, так как не учитывает, что поле около катода может быть неоднородным. Эта формула применяется в тех случаях, когда сетка не слишком редкая (при D<0,1 или ?>10). Действующий заряд qд должен быть равен сумме заряда q1, созданного на катоде действием поля сетки, и заряда q2, созданного полем, проникающим сквозь сетку от анода. Выразим эти заряды через напряжения и емкости: q1= Сск, Uс и q2 = Сак Uа. Заряд q2 на катод равен той небольшой части всего заряда анода, от которой электрические силовые линии проходят сквозь сетку до катода. Заменяя qД суммой q1 + q2, получаем: uд = (q1 + q2) / Сс.к. = (Сс.к. uс + Са.к. uа) / Сс.к. = uс + uаСа.к. / Сск. Обозначим D= Са.к. / Сск. Тогда окончательно получим: uд = uс + DUa, В эквивалентном диоде анодный ток равен катодному току триода, а роль анодного напряжения выполняет действующее напряжение. Поэтому закон степени трех вторых для триода можно написать так: iк = дuд3/2= g(ис + Duа)3/2. Учитывая, что в эквивалентном диоде анод расположен на месте сетки реального триода, коэффициент g для триода с плоскими электродами равен: g = 2,33 · 10-6(Qа/ d2с.к.). Поверхность анода эквивалентного диода в этом случае равна поверхности действительного анода. Закон степени трех вторых для триодов является весьма приближенным. Существенное значение имеет неточность определения действующего напряжения. Тем не менее закон степени трех вторых полезен при рассмотрении теории работы триода и при конструировании ламп.30. ТОК СЕТКИ В ТРИОДЕ
За счет начальных скоростей электронов, вылетающих из катода, контактной разности потенциалов и тер-мо-ЭДС, действующих в сеточной цепи, характеристика тока сетки начинается в области небольших отрицательных сеточных напряжений. Хотя ток сетки в этой области весьма невелик и у приемно-усилительных ламп составляет малые доли миллиампера, во многих случаях с ним приходится считаться. Реже встречаются характеристики тока сетки, начинающиеся в области положительных сеточных напряжений. Они получаются тогда, когда контактная разность потенциалов создает на сетке отрицательное напряжение и действует сильнее начальной скорости электронов. В лампах, работающих при значительных положительных напряжениях на сетке, например генераторных, при возрастании положительного сеточного напряжения ток сетки сначала увеличивается и достигает максимума, который иногда располагается в области отрицательных значений тока. При дальнейшем увеличении напряжения сетки ток снова растет. Такое явление объясняется вторичной эмиссией сетки. Под ударами первичных электронов при положительном напряжении сетки из нее выбиваются вторичные электроны. С увеличением сеточного напряжения коэффициент вторичной эмиссии растет и увеличивается поток первичных электронов, бомбардирующих сетку. Вследствие этого возрастает число вторичных электронов. Их поток направлен на анод, имеющий более высокий положительный потенциал. В цепи сетки появляется ток вторичных электронов, имеющий направление, обратное току первич– ных электронов. Результирующий ток сетки уменьшается и может даже изменить направление на обратное, если коэффициент вторичной эмиссии больше 1. При этом ток анода возрастает, так как к току первичных электронов, летящих от катода, добавляется ток вторичных электронов. Явление возникновения тока вторичных электронов называется динатронным эффектом. Когда сеточное напряжение превысит анодное, то поле между анодом и сеткой станет тормозящим для вторичных электронов сетки и они будут возвращаться на сетку. Но зато вторичные электроны, выбиваемые из анода, будут ускоряться этим полем и лететь к сетке, т. е. возникает динатронный эффект со стороны анода. При этом ток сетки дополнительно возрастает за счет тока вторичных электронов, а ток анода несколько уменьшится. При отрицательном сеточном напряжении существует очень небольшой сеточный ток. Он называется обратным сеточным током, потому что его направление противоположно направлению сеточного тока при положительном напряжении сетки (электроны обратного тока во внешних проводах сеточной цепи движутся по направлению к сетке). Обратный сеточный ток имеет несколько составляющих: ионный ток, тер-моток и ток утечки. С уменьшением отрицательного напряжения сетки увеличивается анодный ток и возрастает ионизация. К сетке подходит большее число ионов, ионный ток растет. При положительном напряжении сетки электронный ток резко возрастает и настолько преобладает над ионным, что последний уже практически не играет роли. Если сетка имеет высокую температуру, то может возникнуть ток термоэлектронной эмиссии (термоток) сетки. Для уменьшения этого тока сетки делают из металла с большой работой выхода и малым коэффициентом вторичной эмиссии.31. РАБОЧИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ТРИОДА
Анодно-сеточной характеристикой называется график зависимости анодного тока от сеточного напряжения при постоянных значениях напряжения анодного источника и сопротивления нагрузки. В отличие от статических характеристик для рабочей характеристики не ставится условие постоянства анодного напряжения, так как оно в рабочем режиме меняется. Форма рабочей характеристики и ее положение зависят от величины и характера анодного нагрузочного сопротивления. Для построения анодно-сеточной рабочей характеристики должны быть заданы семейство анодно-сеточных статических характеристик, напряжение анодного источника и сопротивление нагрузки. Если напряжение анода равно напряжению анодного источника, а ток равен нулю, то лампа заперта, так как только в этом случае нет падения напряжения на сопротивлении нагрузки. Рабочая анодно-сеточная характеристика имеет меньшую крутизну, чем статические характеристики. Чем больше анодный ток, тем меньше становится анодное напряжение. Поэтому рабочая характеристика всегда проходит, пересекая статические характеристики. Наклон рабочей характеристики зависит от сопротивления нагрузки. С увеличением сопротивления нагрузки анодный ток уменьшается и рабочая характеристика проходит более полого. Когда сопротивление нагрузки постоянно, то рабочая характеристика сдвигается вправо, если напряжение анодного источника уменьшается, или влево, если анодное напряжение увеличивается. С помощью рабочей характеристики можно рассчитать изменения анодного тока при изменении сеточного напряжения. Можно определить и анодное напряжение, если учесть, что каждая точка рабочей характеристики соответствует некоторому анодному напряжению. Для построения анодной рабочей характеристики должны быть заданы семейство статических анодных характеристик, а также анодное напряжение и сопротивление нагрузки. Рабочая характеристика представляет собой линию нагрузки. С помощью линии нагрузки можно определить анодный ток и анодное напряжение при любом напряжении сетки. Линия нагрузки позволяет решать и другие задачи. Можно, например, найти, при каком сеточном напряжении получается анодный ток нужной величины. Рабочая анодная характеристика по сравнению с анодно-сеточной имеет некоторые преимущества. Поскольку она является прямой, то строится по двум точкам и получается точнее. С ее помощью удобнее определяется анодное напряжение, так как оно отложено по оси абсцисс. Для практических расчетов чаще используют рабочую анодную характеристику, хотя в некоторых случаях более удобной оказывается анодно-сеточная характеристика. Наклон рассматриваемой характеристики зависит от сопротивления нагрузки. Чем больше сопротивление нагрузки, тем более полого идет линия нагрузки. Если сопротивление нагрузки равно нулю, то линия нагрузки превращается в вертикальную прямую. При напряжении нагрузки равной бесконечности линия нагрузки совпадает с осью абсцисс. В этом случае при любых напряжениях анодный ток равен нулю. В некоторых случаях необходимо построить анод-но-сеточную рабочую характеристику, если имеются только анодные статические характеристики.32. УСТРОЙСТВО И РАБОТА ТЕТРОДА
Четырехэлектродные лампы, или тетроды, имеют вторую сетку, называемую экранирующей, или экранной, и расположенную между управляющей сеткой и анодом. Назначением экранирующей сетки является повышение коэффициента усиления и внутреннего сопротивления и уменьшение проходной емкости. Если экранирующая сетка соединена с катодом, то она экранирует катод и управляющую сетку от действия анода. Экранирующая сетка перехватывает большую часть электрического поля анода. Можно сказать, что сквозь экранирующую сетку проникает лишь небольшая доля электрических силовых линий, выходящих из анода. Ослабление поля анода экранирующей сетки учитывается величиной проницаемости этой сетки. Электрическое поле, проникающее через экранирующую сетку, далее перехватывается управляющей сеткой, через которую также проникает небольшая часть силовых линий. Ослабление поля анода управляющей сеткой зависит от ее проницаемости. Сквозь обе сетки от анода к потенциальному барьеру около катода проникает ничтожная часть общего числа силовых линий, которая характеризуется произведением проницаемостей сеток. Эта результирующая проницаемость обеих сеток называется проницаемостью тетрода. Проницаемость тетрода характеризует соотношение воздействий анода и управляющей сетки на катодный ток. Она показывает, какую долю воздействия напряжения управляющей сетки на катодный ток составляет воздействие напряжения анода. С помощью двух не очень густых сеток достигаются высокий коэффициент усиления и высокое внутреннее сопротивление. При этом, если на экранирующую сетку подано значительное положительное напряжение, то анодно-сеточные характеристики тетрода получаются «левыми», т. е. тетрод может нормально работать в области отрицательных сеточных напряжений. Катодный ток в тетроде является суммой токов анода, экранирующей и управляющей сеток. На экранирующую сетку подается постоянное положительное напряжение, составляющее 20–50 % анодного напряжения. Оно создается на участке «катод – экранирующая сетка – ускоряющее поле», понижает потенциальный барьер у катода. Это необходимо для движения электронов к аноду. Анод через две сетки очень слабо действует на потенциальный барьер около катода. Если напряжение экранирующей сетки равно нулю, то тормозящее поле, создаваемое отрицательным напряжением управляющей сетки, значительно сильнее слабого ускоряющего поля, проникающего от анода. Результирующее поле на участке «управляющая сетка – катод» получается тормозящим. Иначе говоря, действующее напряжение в этом случае отрицательно и потенциальный барьер у катода настолько высок, что электроны его не могут преодолеть. Следовательно, лампа заперта и анодный ток равен нулю. Проходная емкость между электродами лампы уменьшается примерно во столько раз, во сколько увеличивается коэффициент усиления. Чем гуще экранирующая сетка, тем меньше ее проницаемость, тем в большей степени уменьшается проходная емкость. Если бы экранирующая сетка была сплошной, то проходная емкость уменьшилась бы до нуля, но сетка перестала бы пропускать электроны к аноду.33. ДИНАТРОННЫЙ ЭФФЕКТ В ТЕТРОДЕ
Существенным недостатком тетрода является динатронный эффект анода. Электроны, ударяя в анод, выбивают из него вторичные электроны. Вторичная эмиссия из анода существует во всех лампах, но в диодах и триодах она не вызывает последствий и остается незаметной. В этих лампах вторичные электроны, вылетевшие из анода, все возвращаются на него, так как анод имеет наибольший положительный потенциал по сравнению с потенциалами других электродов. Поэтому никакого тока вторичных электронов не возникает. В тетроде вторичная эмиссия анода не проявляет себя, если напряжение экранирующей сетки меньше напряжения анода. При этом условии вторичные электроны возвращаются на анод. Если же тетрод работает в режиме нагрузки, то при увеличении анодного тока возрастает падение напряжения на нагрузке, а напряжение анода в некоторые промежутки времени может стать меньше постоянного напряжения экранирующей сетки. Тогда вторичные электроны, вылетев с анода, не возвращаются на него, а притягиваются к экранирующей сетке, имеющей более высокий положительный потенциал. Возникает ток вторичных электронов, направленный противоположно току первичных электронов. Общий анодный ток уменьшается, а ток экранирующей сетки увеличивается. Такое явление называют динатронным эффектом анода. Динатронный эффект существенно влияет на анодные характеристики тетрода. При нулевом анодном напряжении существует очень небольшой начальный анодный ток, которым обычно можно пренебречь. Ток экранирующей сетки при этом наибольший. Подобно тому, как было в триоде режим возврата, в данном случае электроны, которые пролетели сквозь экранирующую сетку, участвуют в создании ее тока вместе с теми электронами, которые перехватываются этой сеткой. Изменение анодного напряжения изменяет iвысоту этого барьера, в результате чего резко изменяется распределение электронного потока между анодом и экранирующей сеткой. В анодных характеристиках тетрода можно отметить четыре области. Первая область соответствует небольшим анодным напряжениям, примерно до 10–20 В. Вторичной эмиссии из анода еще нет, так как скорость первичных электронов недостаточна для выбивания вторичных электронов. С увеличением анодного напряжения наблюдается резкое возрастание анодного тока и уменьшение тока экранирующей сетки, что характерно для режима возврата. Анодное напряжение слабо влияет на катодный ток, так как поле анода действует на потенциальный барьер у катода через две сетки. Поэтому катодный ток изменяется мало и его характеристика идет с небольшим подъемом. Если напряжение анода превысит 10–20 В, то появляется вторичная эмиссия и возникает динатрон-ный эффект. С увеличением анодного напряжения вторичная эмиссия анода увеличивается, ток анода уменьшается, а ток экранирующей сетки возрастает. Минимум анодного тока получается при наиболее сильно выраженном динатронном эффекте. В подобном режиме ток вторичных электронов наибольший. Этот ток зависит от величины вторичной эмиссии и напряжения экранирующей сетки-анода, которое создает ускоряющее поле для вторичных электронов. Когда анодное напряжение становится выше напряжения экранирующей сетки, то наблюдается небольшой рост анодного тока и незначительное уменьшение тока экранирующей сетки. Вторичная эмиссия анода в этой области существует, но вторичные электроны все возвращаются на анод, т. е. динатронного эффекта со стороны анода нет. Зато происходит попадание на анод вторичных электронов, выбитых с экранирующей сетки, за счет которых анодный ток несколько возрастает, а ток экранирующей сетки уменьшается. Чтобы динатронный эффект не мог возникнуть, напряжение экранирующей сетки должно быть всегда меньше анодного напряжения.34. УСТРОЙСТВО И РАБОТА ПЕНТОДА
Основной недостаток тетрода – динатронный эффект – привел к тому, что были разработаны и получили широкое распространение пятиэлектродные лампы, называемые пентодами. В них еще сильнее выражены все положительные свойства тетродов и вместе с тем устранен динатронный эффект. В пентоде для устранения динатронного эффекта имеется еще одна сетка, расположенная между анодом и экранирующей сеткой. Ее называют защитной сеткой, так как она защищает лампу от возникновения динатронного эффекта. Встречаются также и другие названия этой сетки: антидинатронная, противодинат-ронная, пентодная, третья. Защитная сетка обычно соединяется с катодом, т. е. имеет нулевой потенциал относительно катода и отрицательный относительно анода. В некоторых случаях на защитную сетку подается небольшое постоянное напряжение. Например, для увеличения полезной мощности генераторные пентоды работают при положительном напряжении на защитной сетке, а для модуляции колебаний путем изменения напряжения защитной сетки на ней устанавливается отрицательное смещение. Однако и в этих случаях потенциал защитной сетки обычно остается гораздо ниже потенциала анода и антидинатронное действие этой сетки примерно такое же, как и при нулевом ее потенциале. Во многих пентодах соединение защитной сетки с катодом делают внутри лампы, и тогда на этой сетке напряжение всегда равно нулю. Если же имеется вывод защитной сетки, то соединение ее с катодом производят в монтаже схемы. Роль защитной сетки состоит в том, что между ней и анодом создается электрическое поле, которое тормозит, останавливает и возвращает на анод вторичные электроны, выбитые из анода. Они не могут проникнуть на экранирующую сетку, даже если ее напряжение выше анодного, и динатронный эффект полностью устраняется. На участке между экранирующей и защитной сетками для электронов, летящих от катода, создается тормозящее поле, и может показаться, что это вызовет уменьшение анодного тока. Однако электроны, получив большую скорость под действием ускоряющего поля экранирующей сетки и пролетев через нее, долетают до защитной сетки и не теряют полностью своей скорости, так как в пространстве между витками этой сетки потенциал не нулевой, а положительный. Нулевой потенциал имеется на проводниках защитной сетки, а в промежутках между ними потенциал выше нуля, но ниже, чем на аноде. В промежутке анод – экранирующая сетка создается вторичный потенциальный барьер, который не могут преодолеть вторичные электроны, выбитые из анода. Этотбарьер существенно влияет на процесс токораспреде-ления в пентоде. Пентоды отличаются от тетродов более высоким коэффициентом усиления, достигающим у некоторых пентодов несколько тысяч. Это объясняется тем, что защитная сетка выполняет роль дополнительной экранирующей сетки. Следовательно, в пентоде действие анода по сравнению с действием управляющей сетки еще слабее, нежели в тетроде. Соответственно возрастает и внутреннее сопротивление, которое у некоторых пентодов доходит до миллионов Ом. Проходная емкость становится еще меньше, чем у тетродов. Крутизна пентодов такого же порядка, как у триодов и тетродов, т. е. в пределах 1-50 мА/В. Пентод можно привести к эквивалентному диоду таким же путем, как это было сделано для тетрода. Проницаемость пентода – весьма малая величина. Следовательно, коэффициент усиления пентода может быть очень большим.35. ПАРАМЕТРЫ ТЕТРОДОВ И ПЕНТОДОВ
Статические параметры тетродов и пентодов определяются аналогично параметрам триода. Для практического определения параметров берут отношение конечных приращений. Управляющая сетка в тетродах и пентодах расположена относительно катода так же, как и в триодах. Поэтому крутизна у тетродов и пентодов такого же порядка, как у триодов,т. е. составляет единицы или десятки миллиампер на вольт, хотя некоторое снижение крутизны получается за счет того, что анодный ток всегда меньше катодного тока. Вследствие того что действие анодного напряжения в тетроде или пентоде ослаблено во много раз, внутреннее сопротивление получается в десятки и сотни раз большим, чем у тетрода, и доходит до сотен килоом. Внутреннее сопротивление сильно зависит от процесса токораспределения, так как при изменении анодного напряжения анодный ток изменяется за счет этого процесса. Можно считать, что внутреннее сопротивление пентода состоит как бы из двух сопротивлений, соединенных параллельно. Одно из них определяется воздействием поля анода сквозь три сетки на потенциальный барьер у катода, за счет чего происходит очень небольшое изменение анодного тока. Чем гуще сетки, тем это сопротивление больше. Второе сопротивление определяется изменением анодного тока за счет процесса токораспределе-ния и обычно значительно меньше первого сопротивления. Коэффициент усиления может быть в десятки и сотни тысяч раз большим, чем у триодов, т. е. величина его доходит до сотен и тысяч. В тетродах и пентодах катодный ток всегда больше анодного, поскольку ток экранирующей сетки всегда существует вместе с анодным током. Вследствие значительной нелинейной характеристики тетрода и пентода параметры при изменении режима довольно сильно изменяются. При увеличении отрицательного напряжения управляющей сетки, т. е. при уменьшении анодного тока, крутизна уменьшается, а внутреннее сопротивление и коэффициент усиления увеличиваются. Особенностью тетродов и пентодов по сравнению с триодами является сильная зависимость коэффициента усиления от режима. Если в режиме возврата характеристики переплетаются, то крутизна и коэффициент усиления могут иметь значения, равные нулю и меньше нуля. С увеличением отрицательного напряжения управляющей сетки анодные характеристики в рабочей области идут более полого и ближе друг к другу, что соответствует увеличению внутреннего сопротивления и уменьшению крутизны. В некоторых схемах тетрод или пентод используется так, что его триодная часть, состоящая из катода, управляющей сетки и экранирующей сетки, работает в одном каскаде, а вся лампа входит в состав другого каскада. Крутизна и коэффициент усиления по экранирующей сетке обычно не представляют интереса, так как экранирующая сетка, как правило, не используется в качестве управляющей и напряжение на ней бывает постоянно. Помимо рассмотренных параметров, имеются и другие, аналогичные тем, какие были указаны для триода. При расчете режимов работы и практическом применении тетродов и пентодов необходимо учитывать предельные значения токов, напряжений и мощностей, в частности важна предельная мощность, выделяемая на экранирующей сетке.36. УСТРОЙСТВО И РАБОТА ЛУЧЕВОГО ТЕТРОДА
Позднее пентодов были разработаны и получили распространение лучевые тетроды. В них динатрон-ный эффект устранен путем создания для вторичных электронов, выбитых с анода, непреодолимого потенциального барьера, расположенного между экранирующей сеткой и анодом. Лучевой тетрод по сравнению с обычным тетродом имеет следующие особенности конструкции. Увеличено расстояние между экранирующей сеткой и анодом. Управляющая и экранирующая сетка имеют одинаковое число витков, причем витки их расположены точно друг против друга. В пространстве между сетками происходит фокусировка электронных потоков. Благодаря этому электроны летят от катода к аноду более плотными пучками – «лучами». Чтобы электроны не летели в направлении держателей сеток, имеются специальные экраны, или лучеобразующие пластины, соединенные с катодом. Кроме того, части поверхности катода, находящиеся против держателей сеток, не покрываются оксидным слоем и поэтому не дают эмиссии. В лучевом тетроде получаются более плотные электронные потоки, нежели в обычном тетроде. Увеличение плотности тока дает возрастание плотности объемного заряда. Это, в свою очередь, вызывает понижение потенциала в пространстве между анодом и экранирующей сеткой. Если напряжение анода ниже, чем экранирующей сетки, то в обычном тетроде наблюдается динатронный эффект, а в лучевом тетроде его не будет, так как в промежутке «экранирующая сетка – анод» образуется потенциальный барьер для вторичных электронов. Вторичные электроны, имеющие относительно не– большие начальные скорости, не могут преодолеть потенциальный барьер и попасть на экранирующую сетку, хотя на последней напряжение выше, чем на аноде. Первичные электроды, имея большие скорости, полученные за счет напряжения экранирующей сетки, преодолевают потенциальный барьер и попадают на анод. В обычных тетродах экранирующая сетка «разбивает» электронные потоки и перехватывает много электронов. Такое же действие оказывают и держатели сеток. Поэтому в обычных тетродах не получаются достаточно плотные электронные потоки и не создается необходимый потенциальный барьер для вторичных электронов. Образованию потенциального барьера способствует увеличенное расстояние между экранирующей сеткой и анодом. Чем больше это расстояние, тем больше здесь находится заторможенных электронов, имеющих малые скорости. Именно эти электроны увеличивают объемный отрицательный заряд и понижение потенциала становится более значительным. Достоинством лучевых тетродов по сравнению с обычными тетродами является также значительно меньший ток экранирующей сетки. Он бесполезен и его уменьшение весьма желательно. В лучевых тетродах электроны летят через просветы экранирующей сетки и почти не перехватываются ею. Поэтому ток экранирующей сетки составляет не более 5–7% анодного тока. Анодно-сеточные характеристики лучевых тетродов такие же, как у обычных тетродов или пентодов. В мощных каскадах усиления низкой и высокой частоты лучевые тетроды с успехом заменяют пентоды. Для получения улучшенных характеристик выпускают лучевые пентоды. У них сетки подобны сеткам лучевого тетрода, и электроны летят к аноду лучами через просветы защитной сетки. Поэтому у лучевых пентодов ток экранирующей сетки значительно меньше, чем у обычных пентодов.37. ПРИНЦИП ПРЕОБРАЗОВАНИЯ ЧАСТОТЫ
Преобразованием частоты является любое ее изменение. Например, при выпрямлении переменный ток с частотой превращается в постоянный ток, у которого частота равна нулю. В генераторах энергия постоянного тока, имеющего частоту, равную нулю, преобразуется в энергию переменного тока нужной частоты. Вспомогательное напряжение получают от маломощного генератора, называемого гетеродином. На выходе преобразователя получается колебание с новой преобразованной частотой, которую называют промежуточной частотой. В качестве преобразователя частоты должен применяться нелинейный или параметрический прибор. Если бы преобразователь частоты был линейным прибором, то в нем бы произошло бы просто сложение двух колебаний. Например, при сложении двух колебаний с близкими, но не кратными частотами получились бы биения, т. е. сложное колебание, у которого частота менялась бы в некоторых пределах около среднего значения, а амплитуда изменялась бы с частотой, равной разности частот. Такие биения не содержат составляющего колебания с новой частотой. Но если биения детектировать (выпрямить), то вследствие нелинейности этого процесса возникает составляющая с промежуточной частотой. На выходе преобразователя частоты получается сложное колебание, имеющее составляющие многих частот. Все новые частоты, представляющие собой комбинации частот и их гармоник, называются комбинационными частотами. Выбирая подходящую вспомогательную частоту, можно получить новую частоту.! Среди новых частот содержатся и гармоники первоначальных колебаний с частотами в несколько раз больше исходных. Но их можно получить проще при нелинейном искажении одного из подводимых напряжений. Наличие двух напряжений для возникновения гармоник необязательно. Как правило, амплитуды комбинационных колебаний (и гармоник) тем меньше, чем выше значения частот. Поэтому в большинстве случаев в качестве колебания новой промежуточной частоты используют колебание разностной частоты, а иногда суммарной. Комбинационные частоты более высокого порядка применяются редко. Преобразование частоты в радиоприемниках в большинстве случаев осуществляется так, что при приеме сигналов различных радиостанций, работающих на разных частотах, создаются колебания одной и той же промежуточной частоты. Это позволяет получить большое усиление и высокую избирательность, причем они остаются почти постоянными во всем диапазоне частот принимаемых сигналов. Кроме того, при постоянной промежуточной частоте получается более устойчивая работа усилительных каскадов и они значительно проще по устройству, нежели каскады, рассчитанные на диапазон частот. В радиоприемных и радиоизмерительных устройствах в качестве промежуточной чаще всего используется разностная частота, причем вспомогательная частота обычно выше преобразуемой частоты сигнала. Такое соотношение между частотами обязательно, если промежуточная частота должна быть выше частоты сигнала.38. ЛАМПЫ ДЛЯ ПРЕОБРАЗОВАНИЯ ЧАСТОТЫ
Для преобразования частоты применяют различные нелинейные или параметрические приборы. Например, в приемниках для дециметровых и сантиметровых волн в преобразователях частоты работают вакуумные или полупроводниковые диоды. Триоды используют для преобразования частоты вдиапазонахдециметровых и метровых волн. Преобразование осуществляется следующим образом. К лампе подводят напряжение с частотами сигнала и вспомогательной частоты. Тогда анодный ток лампы пульсирует одновременно с этими частотами. Вследствие того что лампа является нелинейной, или параметрическим прибором, в ее анодном токе появляются составляющие с комбинационными частотами. На одну из них, обычно на разностную, настроен анодный колебательный контур. Он имеет большое сопротивление только для тока резонансной частоты и на нем получается усиленное напряжение только с промежуточной частотой. Таким образом, контур выделяет колебания промежуточной частоты. В схемах преобразовательной частоты необходимо по возможности устранить связь между цепями приходящих сигналов и цепями гетеродина. Обычно в тех и других имеются колебательные контуры. При наличии связи между ними наблюдается влияние одного контура на другой, нарушение правильной их настройки, ухудшение стабильности частоты гетеродина и при отсутствии усилителя высокой частоты паразитное излучение колебаний гетеродина и при отсутствии усилителя высокой частоты паразитное излучение колебаний гетеродина через антенну приемника. При использовании триода напряжения сигнала и гетеродина подаются в цепь сетки и это приводит к значительной связи между цепями сигнала и гетеродина. Подобный метод преобразования частоты называется односеточным. Ослабление связи между цепями сигнала и гетеродина достигается при двухсеточном преобразовании частоты, которое можно осуществить с помощью пентода, если использовать его в качестве лампы с двойным управлением. В этом случае сложение колебаний сигнала и гетеродина происходит в электронном потоке внутри лампы вследствие того, что колебания поданы на различныесетки. Напряжение сигнала подводится к управляющей сетке, а напряжение гетеродина – к защитной сетке, которая используется как вторая управляющая. Если напряжение этой сетки остается значительно ниже минимального напряжения анода, то она по-прежнему работает и как защитная сетка. Экранирующая сетка почти полностью устраняет паразитную емкостную связь между цепями сигнала и гетеродина. Лампу, в которой осуществляется преобразование частоты, иногда называют смесительной, так как в ней происходят сложения двух колебаний с различными частотами, а каскад, в котором работает эта лампа, называют смесителем. Таким образом, преобразование частоты состоит из смесителя и гетеродина, в каждом из которых должна работать своя лампа. Многоэлектродные лампы с двойным управлением для преобразования частоты – гептоды – имеют две управляющие сетки и работают одновременно в смесителе и гетеродине, т. е. заменяют две лампы, они используются в приемниках средних и коротких волн, но на УКВ работают плохо. Гептод имеет пять сеток. Достоинством гептодов является наличие защитной сетки, благодаря которой увеличивается внутреннее сопротивление лампы. При работе гептодов на волнах короче 20 м стабильность частоты гетеродина оказывается недостаточной и приходится применять гетеродин с отдельной лампой, т. е. использовать гептод только в качестве смесительной, а не преобразовательной лампы. На этих волнах лучшие результаты в преобразователях частоты дают пентоды и триоды.39. ХАРАКТЕРИСТИКИ И ПАРАМЕТРЫ ЛАМП С ДВОЙНЫМ УПРАВЛЕНИЕМ
Все многосеточные лампы с двойным управлением имеют экранирующую сетку и подобны пентодам или тетродам, в которые добавлены еще сетки, образующие триодную (гетеродинную) часть. По своим характеристикам и параметрам эти лампы аналогичны пентодам и тетродам, а по характеристикам и параметрам триодной части – обычным триодам. Кроме того, лампы с двойным управлением имеют дополнительные характеристики и параметры, обусловленные наличием двух управляющих сеток. Ток анода растет при изменении в положительную сторону напряжений обеих сеток. Крутизна по первой сетке тем больше, чем выше напряжение сетки. Если напряжение изменяется в положительную сторону, то понижается потенциальный барьер у катода и все большее количество электродов преодолевает этот барьер. Соответственно растут катодный ток, анодный ток и ток экранирующей сетки. При изменении напряжения происходит изменение токораспределения между анодом и сеткой подобное тому, которое наблюдается в пентоде при изменении напряжения его защитной сетки. Двойное управление анодным током сводится к тому, что изменение напряжения одной управляющей сетки изменяет крутизну характеристики по другой управляющей сетке. Вследствие изменения крутизны – основного параметра, характеризующего управляющее действие сетки, под влиянием напряжения другой управляющей сетки лампа является параметрическим прибором, пригодным для преобразования частоты. Процесс преобразования частоты в лампе с двойным управлением можно пояснить с помощью семейства характеристик гептода. Так как анодный колебательный контур настроен на промежуточную частоту и на частотах сигнала и гетеродина имеет малое сопротивление, то для колебаний этих частот лампа практически работает в режиме без нагрузки и изменения анодного тока определяются из статических характеристик. Важнейшим параметром, характеризующим часто-топреобразовательные лампы, является крутизна преобразования. Она представляет собой отношение амплитуды первой гармоники переменной составляющей промежуточной частоты, полученной в анодном токе, к амплитуде напряжения сигнала. При этом напряжения на экранирующих и защитной сетках и аноде постоянны. Крутизна преобразования растет с увеличением амплитуды напряжения гетеродина. Многие частотопреобразовательные лампы имеют удлиненные характеристики для осуществления автоматической регулировки усиления преобразовательного каскада. Но тогда при приеме сильных сигналов, т. е. при смещении рабочей точки на нижние нелинейные участки характеристики, резко возрастают амплитуды комбинационных колебаний, которые могут быть причинами помех в приемнике. В современной аппаратуре используют комбинированные лампы, имеющие в одном баллоне две, а иногда три или четыре отдельные системы электродов. Применение таких ламп уменьшает габариты аппаратуры и упрощает монтаж. На схематических изображениях комбинированных ламп для упрощения часто показывают только один подогреватель и один катод. Во многих лампах, особенно предназначенных для высоких частот, ставят экраны, устраняющие паразитную емкостную связь между отдельными системами электродов. Конструктивное выполнение электродов комбинированных ламп бывает различным. Часто встречаются отдельные электродные системы с экраном. В некоторых лампах делают общий катод, а электронные потоки, идущие от разных частей его поверхности, используются каждый в своей системе электродов. Возможна установка вдоль общего катода электродных систем с разделительными экранами.40. СПЕЦИАЛЬНЫЕ ТИПЫ ПРИЕМНО-УСИЛИТЕЛЬНЫХ ЛАМП
Увеличение крутизны достигается уменьшением расстояния «сетка – катод» до нескольких десятков микрон. Но изготовление ламп с малым расстоянием «сетка – катод» сложно и недостаточно надежно, так как имеется опасность замыкания сетки с неровной поверхностью оксидного катода. Другим методом повышения крутизны является применение катодной сетки, расположенной между управляющей сеткой и катодом и имеющей некоторый положительный потенциал. Электроны, испускаемые катодом, ускоряются катодной сеткой, пролетают в ее просветы и создают на очень малом расстоянии от управляющей сетки область повышенной плотности объемного заряда и второй потенциальный барьер. На его высоту напряжение управляющей сетки влияет очень сильно. В результате управляющая сетка может весьма эффективно управлять электронным потоком. Значительное повышение крутизны достигается в лампах со вторичной эмиссией. Исследования по применению вторичной эмиссии в лампах велись давно, но долго не удавалось сконструировать такие лампы, работающие устойчиво и создающие не слишком большие собственные шумы. Причина этих шумов – неравномерность процесса вторичной эмиссии. Найдены новые сплавы тяжелых металлов с легкими, например меди с бериллием, которые дают высокую и устойчивую вторичную эмиссии. При их использовании шумы снижаются, хотя они все же больше, чем в обычных лампах. Лампы со вторичной эмиссией имеют дополнительный электрод – вторично-эмиссионный катод (динод). В него подается положительный потенциал, меньший, чем на анод. Первичные электроны, летящие с катода, ударяют во вторично-эмиссионный катод и выбивают из него вторичные электроны, которые летят к аноду, имеющему более высокий положительный потенциал. Поток вторичных электронов в несколько раз больше, чем поток вторичных электронов. Именно потому крутизна лампы получается высокой. Ток вторично-эмиссионного катода незначительно меньше анодного тока и во внешней части цепи имеет направление, обратное анодному току. Крутизна лампы по току вторично-эмиссионного катода обычно незначительно меньше, чем крутизна по анодному току. Электроны анодного тока движутся по проводнику внешней части анодной цепи от анода, а электроны тока вторично-эмиссионного катода во внешней цепи движутся по направлению к этому катоду, так как внутри лампы от него уходит больше вторичных электронов, чем приходит к нему первичных. При подаче на сетку переменного напряжения вследствие противоположности направлений токов анода и вторично-эмиссионного катода на нагрузочных резисторах, включенных в цепи этих электродов, получают усиленные переменные напряжения, находящиеся в противофазе. Обычный каскад усиления переворачивает фазу напряжения. А в цепи вторично-эмиссионного катода получается усиленное напряжение, совпадающее по фазе с переменным напряжением сетки. Это свойство позволяет весьма просто осуществить положительную обратную связь между цепями вторично-эмиссионного катода и управляющей сетки для генерации колебаний различной формы, увеличения усиления, уменьшения ширины полосы частот пропускаемых колебаний и других целей. Выпускаются сверхминиатюрные приемно-усили-тельные металлокерамические триоды и тетроды, называемые нувисторами. Они предназначены для усиления, генерирования и преобразования частоты. Они имеют миниатюрный металлокерамический баллон.41. ВИДЫ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ РАЗРЯДОВ В ГАЗАХ
Различают самостоятельные и несамостоятельные разряды в газе. Самостоятельный разряд поддерживается за счет действия только электрического напряжения. Несамостоятельный разряд может существовать при условии, что, помимо электрического напряжения, действуют еще какие-либо внешние ионизирующие факторы. Ими могут быть лучи света, радиоактивное излучение, термоэлектронная эмиссия накаленного электрода и др. Рассмотрим основные виды электрических разрядов, встречающиеся в ионных приборах. Темный (или тихий) разряд является несамостоятельным. Он характеризуется плотностями тока порядка микроампер на квадратный сантиметр и весьма малой плотностью объемных зарядов. Поле, созданное приложенным напряжением, при темном разряде практически не изменяется за счет объемных зарядов, т. е. их влиянием можно пренебречь. Свечение газа отсутствует. В ионных приборах для радиоэлектроники темный разряд не используется, но он предшествует началу других видов разряда. Тлеющий разряд относится к самостоятельным. Для него характерно свечение газа, напоминающее свечение тлеющего тела. Плотность тока при этом разряде достигает единиц и десятков миллиампер на квадратный сантиметр и получаются объемные заряды, существенно влияющие на электрическое поле между электродами. Напряжение, необходимое для тлеющего разряда, составляет десятки или сотни вольт. Разряд поддерживается за счет электронной эмиссии катода под ударами ионов. Основными приборами тлеющего разряда являются стабилитроны – ионные стабилизаторы напряжения, газосветные лампы, тиратроны тлеющего разряда, цифровые индикаторные лампы и декатроны – ионные счетные приборы. Дуговой разряд получается при плотностях тока, значительно больших, чем в тлеющем разряде. К приборам несамостоятельного дугового разряда относятся газотроны и тиратроны с накаленным катодом; в ртутных вентилях (экзитронах) и игнитронах, имеющих жидкий ртутный катод, а также в газовых разрядниках происходит самостоятельный дуговой разряд. Дуговой разряд может быть не только при пониженном, но и при нормальном или повышенном атмосферном давлении. Искровой разряд имеет сходство с дуговым. Он представляет собой кратковременный (импульсный) электрический разряд при сравнительно высоком давлении газа, например при нормальном атмосферном. Обычно в искре наблюдается ряд импульсных разрядов, следующих друг за другом. Высокочастотные разряды могут возникать в газе под действием переменного электромагнитного поля даже при отсутствии токоподводящих электродов (безэлектродный разряд). Коронный разряд является самостоятельным и используется в ионных приборах для стабилизации напряжения. Он наблюдается при сравнительно больших давлениях газа в случаях, когда хотя бы один из электродов имеет очень малый радиус кривизны. Тогда поле между электродами получается неоднородным и около заостренного электрода, называемого коро-нирующим, напряженность поля резко увеличена. Коронный разряд возникает при напряжении порядка сотен или тысяч вольт и характеризуется малыми токами.42. ТЛЕЮЩИЙ РАЗРЯД
Рассмотрим тлеющий разряд между плоскими электродами. При отсутствии разряда, когда объемных разрядов нет, поле однородно и потенциал между электродами распределен по линейному закону. В электронном (вакуумном) приборе при наличии эмиссии существует отрицательный объемный заряд, создающий вблизи катода потенциальный барьер. Этот барьер препятствует получению большого анодного тока. В ионном приборе с тлеющим разрядом за счет большого количества положительных ионов создается положительный объемный заряд. Он вызывает изменение потенциала в пространстве «анод – катод» в положительную сторону. В ионном приборе распределение потенциала таково, что почти все анодное напряжение падает в тонком слое газа около катода. Эта область называется катодной частью разрядного промежутка. Ее толщина не зависит от расстояния между электродами. Около катода создается сильное ускоряющее поле. Анод как бы приближается к катоду. Роль анода выполняет «нависшее» над катодом ионное облако с положительным зарядом. В результате действие отрицательного объемного заряда компенсируется и потенциального барьера около катода нет. Вторая часть разрядного промежутка характеризуется небольшим падением напряжения. Напряженность поля в ней мала. Ее называют областью газовой, или электронно-ионной, плазмы. Из нее выделяют часть, прилегающую к аноду и вызываемую анодной частью разрядного промежутка, или областью анодного падения потенциала. Область между катодной и анодной частями называют столбом разряда. Анодная часть не имеет важного значения, и можно рассматривать столб разряда и анодную часть как одну область плазмы. Плазма – это сильно ионизированный газ, в котором количество электронов и ионов практически одинаково. В плазме беспорядочное движение частиц преобладает над их направленным движением. Но все же электроны движутся к аноду, а ионы – к катоду. Силы поля, действующие на электроны и ионы, одинаковы и лишь противоположны по направлению, так как заряды этих частиц равны, но обратны по знаку. Но масса иона в тысячи раз больше массы электрона. Поэтому ионы получают соответственно меньшие ускорения и приобретают относительно малые скорости. По сравнению с электронами ионы почти неподвижны. Следовательно, ток в ионных приборах практически является перемещением электронов. Доля ионного тока весьма мала и ее можно не принимать во внимание. Ионы выполняют свою задачу. Они создают положительный объемный заряд, который значительно превышает отрицательный объемный заряд и уничтожает потенциальный барьер около катода. Область катодного напряжения играет важную роль. Проникшие из плазмы в эту область ионы получают здесь ускорение. Ударяя в катод с большой скоростью, ионы выбивают из него электроны. Этот процесс необходим для поддержания разряда. Если скорость ионов недостаточна, то электронной эмиссии не получится и разряд прекратится. Вылетевшие из катода электроны в области катодного падения также ускоряются и влетают в плазму со скоростью, значительно большей, чем необходимо для ионизации атомов газа. Электроны сталкиваются с атомами газа в различных частях плазмы. Поэтому ионизация проходит во всем объеме. В плазме совершается также и рекомбинация. Только малая часть ионов, возникших в плазме, участвует в создании электронной эмиссии катода. Большинство ионов рекомбинирует с электронами и не доходит до катода.43. СТАБИЛИТРОНЫ
Приборами тлеющего, или коронного, разряда являются стабилитроны. Наиболее широко распространены стабилитроны тлеющего разряда, работающие в режиме нормального катодного напряжения. Поскольку темный разряд, предшествующий тлеющему разряду, не используется, не представляет интереса, его не показывают на вольт-амперной характеристике стабилитрона. Точку возникновения разряда показывают на вертикальной оси. Практически так и получается, потому что миллиамперметр для измерения тока тлеющего разряда не покажет ничтожно малого тока темного разряда. Область нормального катодного падения, пригодная для стабилизации, ограничена минимальным и максимальным токами. При токе, меньшем минимального, разряд может прекратиться. Максимальный ток либо соответствует началу режима аномального катодного падения, либо при нем достигается предельный нагрев электродов. Скачок тока при возникновении разряда может быть различным в зависимости от сопротивления резистора. Если оно большое, то появляется сравнительно небольшой ток, а если взять малое, то возникает большой ток. Для стабилизации это невыгодно, так как участок стабилизации напряжения сокращается. При малом сопротивлении может даже произойти скачок тока в область аномального катодного падения, и стабилизации вообще не получится. Таким образом, ограничительный резистор с достаточным сопротивлением необходим по двум причинам: чтобы не произошло чрезмерного возрастания тока (короткого замыкания) и чтобы мог существовать режим стабилизации напряжения. Чем больше площадь катода, тем шире получается область стабилизации, так как минимальный ток остается неизменным, а максимальный ток возрастает пропорционально площади катода. Поэтому для стабилитронов характерен катод с большой поверхностью. Анод делают малых размеров, но он не должен перегреваться от максимального тока. Наиболее распространены двухэлектродные стабилитроны тлеющего разряда с цилиндрическим катодом из никеля или стали. Анодом служит проволочка диаметром 1–1,5 мм. Баллон наполнен смесью инертных газов(неон, аргон, гелий) при давлении в десятки миллиметров ртутного столба. Параметрами стабилитрона являются: нормальное рабочее напряжение или напряжение стабилизации, соответствующее средней точке области стабилизации, напряжение возникновения разряда, минимальный и максимальный ток, изменение напряжения стабилизации и внутреннее сопротивление переменному току. Применяя разные смеси газов, подбирают нужное значение напряжения стабилизации. Для стабилитронов коронного разряда характерны высокие напряжения и малые токи. У таких стабилитронов электроды цилиндрической формы сделаны из никеля. Баллон наполнен водородом, причем напряжение стабилизации зависит от давления газа. Рабочие токи находятся в пределах 3-100 мкА. Внутреннее сопротивление переменному току этих стабилитронов составляет сотни килоом. Процесс возникновения разряда стабилитронов коронного разряда длится 15–30 с. Стабилитроны наиболее часто работают в режиме, когда сопротивление нагрузки неизменно, а напряжение источника нестабильно. Для стабилизации более высоких напряжений стабилитроны соединяют последовательно, обычно не более двух-трех. Они могут быть на разные напряжения, но на одинаковые минимальные и максимальные токи.44. ГАЗОТРОНЫ
Газотроны – это ионные диоды с несамостоятельным дуговым разрядом, который поддерживается за счет термоэлектронной эмиссии катода. Назначением газотронов является выпрямление переменного тока. В настоящее время применяются газотроны с инертным газом в виде аргона или ксеноно-крипто-новой смеси при давлении порядка единиц миллиметров ртутного столба. У большинства газотронов катод оксидный прямого или косвенного накала. В более мощных газотронах он имеет значительную поверхность. Анод в форме диска, полусферы или цилиндра имеет сравнительно небольшие размеры. Для газотронов характерно низкое напряжение накала, не более 5 В. Если применить более высокое напряжение, то может возникнуть дуговой разряд между концами подогревателя, на что будет бесполезно расходоваться энергия источника накала. При низком напряжении накала катоды мощных газотронов приходится питать большим током. Преимущество газотронов перед кенотронами заключается в малом падении напряжения на самом газотроне. Оно составляет примерно 15–20 В и почти не зависит от анодного тока. Поэтому КПД газотронных выпрямителей выше, чем кенотронных, и он тем больше, чем выше выпрямляемое напряжение. В высоковольтных выпрямителях на газотронах КПД бывает до 90 % и более. До возникновения разряда в газотроне наблюдается электронный ток, который растет при увеличении напряжения так же, как в вакуумном диоде. Этот ток очень мал и практического значения не имеет. Возникновение дугового разряда получается при напряжении, которое незначительно больше потенциала ионизации. Так как газотрон включается обязательно через ограничительный резистор, то после возникновения разряда появляется падение напряжения на резисторе и напряжение на газотроне несколько снижается. При увеличении напряжения источника ток в газотроне растет, а падение напряжения на нем меняется незначительно, хотя не остается постоянным, как в стабилитронах. Об использовании газотрона для стабилизации не может быть и речи, так как невыгодно получать низкое напряжение при значительных затратах энергии на накал газотрона. Рабочее напряжение на газотроне такого же порядка, как потенциал ионизации, т. е. 15–25 В. Относительное постоянство напряжения на газотроне получается не за счет режима катодного напряжения, характерного для приборов тлеющего разряда. В газотронах площадь катода не изменяется, но при возрастании тока сопротивление прибора постоянному току уменьшается, так как увеличиваются ионизация и соответственно количество электронов и ионов в единице объема. Кроме того, приближается к катоду положительный объемный заряд ионов, что равносильно уменьшению расстояния «анод – катод». В газотроне распределение потенциала в пространстве «анод – катод» примерно такое же, как в приборах тлеющего разряда, но величина анодного напряжения меньше и около катода имеется потенциальный барьер, как в электронных лампах. Катод в газотроне работает в тяжелых условиях вследствие бомбардировки его положительными ионами. Имея сравнительно большую массу, ионы разрушают оксидный слой, если их скорость превысит допустимое значение.45. ТИРАТРОНЫ ДУГОВОГО РАЗРЯДА
Тиратроны с накаленным катодом, работающие подобно газотронам в режиме дугового разряда, используют для выпрямления переменного тока и как реле в автоматике, телеуправлении, импульсной технике, радиолокации и других областях. По многим свойствам и по устройству тиратроны сходны с газотронами, но сетка позволяет управлять величиной напряжения возникновения разряда. Сетка в тиратронах должна быть такой, чтобы разряд проходил только через нее, а не обходным путем. Поэтому сетка сама или в сочетании с тепловым экраном охватывает катод почти со всех сторон. Рабочая часть сетки делается с несколькими отверстиями, а остальная ее часть представляет собой экран. У некоторых тиратронов небольшой мощности конструкция электродов почти такая же, как у электронных ламп. Катод и анод в тиратроне работают также, как в газотроне. Особенности работы и правило эксплуатации газотронов полностью относятся и к тиратронам. Роль сетки в тиратроне заключается в том, чтобы при положительном напряжении анода держать тиратрон в запертом состоянии с помощью отрицательного напряжения сетки. А при уменьшении этого напряжения или повышении анодного напряжения возникает разряд, т. е. тиратрон отпирается. Чем больше отрицательное напряжение сетки, тем при более высоком анодном напряжении возникает разряд. Это объясняется тем, что при отрицательном сеточном напряжении в промежутке «сетка – катод» создается высокий потенциальный барьер для электронов, эмитированных катодом. Электроны не смогут преодолевать этот барьер и пролететь к аноду. Уменьшение отрицательного потенциала сетки или увеличение анодного напряжения понижает потенциальный барьер. Когда электроны начинают его преодолевать, то они движутся к аноду, набирают скорость, нужную для ионизации, процесс ионизации лавинообразно нарастает и возникает дуговой разряд. Зависимость между анодным напряжением возникновения разряда и напряжением сетки показывает пусковая характеристика или характеристика зажигания. Она снимается с помощью такой же схемы, как и для исследования вакуумного триода, но с ограничительным резистором в анодной цепи. Удобнее снимать ее так. Для каждой точки сначала устанавливают анодное напряжение, равное нулю, и некоторое отрицательное напряжение сетки. Затем увеличивают анодное напряжение и замечают его значение при возникновении разряда. Далее понижают анодное напряжение до нуля, снимают следующую точку и т. д. Пусковая характеристика показывает, что с увеличением отрицательного напряжения сетки повышается анодное напряжение, необходимое для возникновения разряда. Пусковые характеристики при работе тиратрона с переменным напряжением несколько отличаются от статических пусковых характеристик, снятых на постоянном токе. Это объясняется тем, что при переменном напряжении влияет предразрядный (предпусковой)сеточный ток. Он возникает вследствие того, что во время отрицательного полупериода, когда тиратрон заперт, рекомбинация происходит не мгновенно и между электродами имеются электроны и ионы. Это служит причиной возникновения обратного анодного тока. Вместе с тем положительные ионы притягиваются к отрицательно заряженной сетке, образуя в ее цепи предразрядный ток. В образовании предразряд-ного тока может также играть роль термоэлектронная эмиссия сетки. Чем больше анодный ток и выше частота, тем сильнее предразрядный ток. Наличие такого тока облегчает зажигание тиратрона.46. ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВЫЕ ТРУБКИ
К электронно-лучевым приборам относятся электронно-лучевые трубки для осциллографии, приема телевизионных изображений и индикаторных устройств радиолокаторов, для передачи телевизионных изображений, запоминающие трубки для электронно-вычислительных машин, электронно-лучевые переключатели и другие приборы. Во всех этих приборах создается тонкий пучок электронов (луч), управляемый с помощью электрического или магнитного поля или обоими полями. Трубки могут быть с фокусировкой электронного луча электрическим или магнитным полем и с электрическим или магнитным отклонением луча. В зависимости от цвета изображения на люминесцирующем экране бывают трубки с зеленым, оранжевым или желто-оранжевым свечением – для визуального наблюдения, синим – для фотографирования осциллограмм, белым или трехцветным – для приема телевизионных изображений. Электронно-лучевые трубки с электростатическим управлением, т. е. с фокусировкой и отклонением луча электрическим полем, называемые для краткости электростатическими трубками, особенно широко применяют в осциллографах. Баллон трубки имеет цилиндрическую форму с расширением в виде конуса, а иногда в виде цилиндра. На внутреннюю поверхность основания расширенной части нанесен люминесцирующий экран – слой веществ, способных давать свечение под ударами электронов. Внутри трубки расположены электроды, имеющие выводы на штырьки цоколя. Катод обычно бывает оксидный косвенного накала в виде цилиндра с подогревателем. Вывод катода иногда совмещен с одним выводом подогревателя. Оксидный слой нанесен на донышко катода. Вокруг катода располагается управляющий электрод, называемый модулятором, цилиндрической формы с отверстием в донышке. Этот катод служит для управления плотностью электронного потока и для предварительной фокусировки его. На модулятор подается отрицательное напряжение. С увеличением этого напряжения все больше электронов возвращается на катод. При некотором отрицательном напряжении модулятора трубка запирается. Следующие электроды, также цилиндрической формы, являются анодами. В простейшем случае их только два. На втором аноде напряжение бывает от 500 В до нескольких киловольт, а на первом аноде напряжение в несколько раз меньше. Внутри анодов обычно имеются перегородки с отверстиями (диафрагмы). Под действием ускоряющего поля анодов электроны приобретают значительную скорость. Окончательная фокусировка электронного потока осуществляются с помощью неоднородного электрического поля в пространстве между анодами, а также благодаря диафрагмам. Более сложные фокусирующие системы состоят из большего числа цилиндров. Система, состоящая из катода, модулятора и анодов, называется электронным прожектором (электронной пушкой) и служит для создания электронного луча, т. е. тонкого потока электронов, летящих с большой скоростью от второго анода к люминесцирующе-муэкрану. Отклонение электронного луча и светящегося пятна на экране пропорционально напряжению на отклоняющихся пластинах. Коэффициент пропорциональности в этой зависимости называется чувствительностью трубки.47. ОСОБЕННОСТИ РАБОТЫ ЛАМП НА СВЕРХВЫСОКИХ ЧАСТОТАХ
Лампы для средних и коротких волн работают неудовлетворительно на СВЧ, что объясняется следующими причинами. Влияние междуэлектродных емкостей и индук-тивностей выводов. Емкости и индуктивности сильно влияют на работу ламп в диапазоне СВЧ. Они изменяют параметры колебательных систем, подключенных к лампе. В результате уменьшается собственная частота колебательных систем и становится невозможной настройка их на частоту выше некоторой предельной. Для каждой лампы характерна некоторая предельная частота, которая соответствует резонансной частоте колебательного контура, получающегося при коротком замыкании выводов от электродов лампы. Индуктивности выводов и междуэлектродные емкости, будучи включены в те или иные цепи лампы, создают нежелательные положительные или отрицательные обратные связи и фазовые сдвиги, ухудшающие работу схемы. Особенно сильно влияет индуктивность катодного вывода. Она входит одновременно в анодную и сеточную цепи и создает значительную обратную связь, вследствие которой изменяется режим работы и уменьшается входное сопротивление лампы, на которое нагружается источник усиливаемого переменного напряжения. Междуэлектродные емкости также способствуют уменьшению входного сопротивления лампы. Кроме того, эти емкости, имея на сверхвысоких частотах весьма небольшое сопротивление, могут вызывать в более мощных лампах появление значительных емкостных токов, нагревающих выводы от электродов и создающих дополнительные потери энергии. Влияние инерции электронов. Вследствие того что электроны имеют массу, они не могут мгновенно изменять свою скорость и мгновенно пролетать расстояние между электродами. Лампа перестает быть безынерционным или малоинерционным прибором. На СВЧ проявляется инерция электронов. Инерция электронных процессов в лампе создает вредные фазовые сдвиги, искажает форму импульсов анодного тока и служит причиной возникновения значительных сеточных токов. В результате получаются резкое снижение входного сопротивления лампы, увеличение потерь энергии в лампе, а также уменьшение полезной мощности. При рассмотрении работы ламп для упрощения считают, что ток в цепи какого-либо электрода образуется благодаря попаданию на этот электрод потока электронов, летящих внутри лампы. Такой поток электронов называется конвекционным током. Ток во внешней цепи любого электрода лампы представляет собой наведенный (индукционный) ток. В электронных лампах роль движущегося индуктирующего заряда играет поток электронов, летящих от одного электрода к другому, т. е. конвекционный ток. Конвекционные токи внутри лампы всегда возбуждают наведенные токи во внешних проводах, соединенных с электродами лампы. Наведенный ток увеличивается при увеличении количества и скорости летящих электронов, а также при уменьшении расстояния между ними и данным электродом. С помощью наведенного тока можно лучше понять преобразование энергии, происходящее при движении электронов в электрическом поле. Поток летящих внутри лампы электронов создает в цепи аккумуляторной батареи наведенный ток, направление которого совпадает с направлением конвекционного тока. В случае ускоряющего поля наведенный ток, проходящий через батарею, будет для нее разрядным током. Батарея разряжается, т. е. расходует свою энергию, которая с помощью электрического поля передается летящим электронам и увеличивает их кинетическую энергию. В тормозящем поле электроны движутся за счет своих начальных энергий. В этом случае наведенный ток, наоборот, будет для батареи зарядным током, т. е. электроны в тормозящем поле отдают свою энергию, которая накапливается в батарее.48. ВХОДНОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ И ПОТЕРИ ЭНЕРГИИ В ЛАМПАХ
Усилительный каскад характеризуется коэффициентом усиления по мощности К, показывающим, во сколько раз усиливается мощность: К= Рвых / Рвх, где Рвых-полезная мощность, отдаваемая лампой, а Рвх – мощность, подводимая ко входу лампы. При малом значении входного сопротивления мощность может настолько возрасти, что коэффициент станет равен единице или будет еще меньше. Очевидно, нецелесообразно применять усилители, дающие усиление мощности меньше чем в 2–3 раза. С переходом на СВЧ входное сопротивление обычных ламп резко уменьшается и усиление мощности получается малым или даже отсутствует. Уменьшение входного сопротивления ламп на СВЧ объясняется возникновением наведенных токов в цепи сетки. В зависимости от соотношения времени пролета и периода колебаний, соотношения расстояний участков «катод – сетка» и «сетка – анод» величины напряжений на электродах процессы в триоде могут происходить различно, но все же в любом случае из-за проявления инерции электронов на СВЧ получаются большие наведенные токи в цепи сетки, приводящие к резкому уменьшению входного сопротивления. Самое неприятное следствие инерции электронных процессов состоит в появлении активной составляющей сеточного тока. Оно обусловливает наличие у лампы входного активного сопротивления, которое уменьшается с повышением частоты и снижает коэффициент усиления по мощности. Активное входное сопротивление лампы характеризует потерю энергии источника колебаний, включенного в цепь сетки. В данном случае эта энергия переносится активной составляющей наведенного тока от источника колебаний к электрическому полю и передается электронам, которые увеличивают свою кинетическую энергию и расходуют ее на нагрев анода. Если же 1 лампа работает на более низких частотах и временем пролета можно пренебречь, то при напряжении сетки токи будут иметь такую же прямоугольную форму и длительность, как и напряжение, и они не будут сдвинуты по времени относительно друг друга. Поскольку эти токи равны и противоположны по направлению, то суммарный сеточный ток равен нулю. Следовательно, никакого расхода энергии от источника колебаний в этом случае нет. При синусоидальном переменном напряжении все процессы происходят сложнее, но на СВЧ обязательно возникнет активный наведенный ток в цепи сетки, на создание которого расходуется энергия источника колебаний. Эта энергия в конечном итоге теряется на дополнительный нагрев анода и катода конвекционным током. Действительно, положительная полуволна сеточного напряжения, ускоряя электроны, летящие от катода, дает им дополнительную энергию, а во время отрицательного полупериода сетки отталкивает электроны, движущиеся к аноду, и они тоже получают дополнительную энергию. В результате электроны бомбардируют с большей силой анод, который дополнительно нагревается. Кроме того, электроны, не пролетевшие сквозь сетку, а повернувшие обратно на катод, также отталкиваются сеткой во время отрицательного полупериода и получают еще дополнительную энергию. Эти электроны бомбардируют дополнительный катод и вызывают его дополнительный нагрев. Таким образом, источник колебаний в течение всего периода отдает энергию электронам, а они расходуют ее на бомбардировку анода и катода. Потери энергии в лампах, работающих на СВЧ, происходят не только из-за инерции электронов, но и по ряду других причин. Вследствие поверхностного эффекта увеличивается активное сопротивление электродов и их выводов. По поверхности металлических проводников проходят значительные токи, которые создают бесполезный нагрев. На СВЧ увеличиваются потери во всех твердых диэлектриках, находящихся под воздействием переменного электрического поля.49. ПРОЛЕТНЫЙ КЛИСТРОН
Для сантиметровых волн успешно применяются клистроны, работа которых основана на изменении скорости электронного потока. В этих приборах значительное время полета электронов не вредно, а необходимо для нормальной работы прибора. Клистроны бывают пролетные (двух-резонаторные и многорезонаторные), пригодные для генерации и усиления колебаний, и отражательные (однорезонаторные), работающие только в качестве генераторов. Электронный поток от катода к аноду проходит через две пары сеток, представляющих собой части стенок двух объемных резонаторов. Первый резонатор служит входным контуром. К нему с помощью коаксиальной линии и витка связи подводятся усиливаемые колебания с частотой. Его сетки образуют модулятор, в котором происходит модуляция скорости электронов. Второй резонатор служит выходным контуром для усиления колебаний. Их энергия отбирается с помощью витка связи и коаксиальной линии. На оба резонатора и на анод подано положительное напряжение, создающее между сеткой и катодом ускоряющее поле, под влиянием которого электроны влетают в модулятор со значительной начальной скоростью. Если в первый резонатор вводятся колебания, то между сетками существует переменное электрическое поле, которое действует на электронный поток и изменяет (модулирует) его скорость. В тот полупериод, когда на второй сетке имеется положительный, а на первой сетке отрицательный потенциалы, поле между сетками будет ускоряющим и электроны, проходящие модулятор, получают добавочную скорость. Электроны, имеющие большие скорости, догоняют электроны, движущиеся с меньшими скоростями, в результате чего электронный поток разбивается на отдельные более плотные группы электронов – электронные сгустки. То есть благодаря модуляции электронного потока по скорости в пространстве группирования получается модуляция этого потока по плотности. Группируются лишь электроны, пролетающие через модулятор во время одной половины периода. Хорошее группирование возможно только в случае, если изменение скорости электронов под влиянием модулирующего переменного поля незначительно по сравнению со скоростью, которую они получили от постоянного ускоряющего напряжения. Поэтому переменное напряжение между сетками резонатора должно быть значительно меньше, чем постоянное напряжение. Группирование электронов в сгусток повторяется в течение одной половины периода. После точки наибольшего сгущения электронного потока электроны снова расходятся. Электронные сгустки пролетают через второй резонатор тогда, когда электрическое поле в нем тормозящее. Пролетевшие второй резонатор электроны попадают на анод и нагревают его. Часть электронов попадает и на сетки резонаторов. Если бы электронный поток не был модулированным, то он не мог бы поддерживать колебания во втором резонаторе. Двухрезонаторные клистроны применяют в качестве усилителей в передатчиках СВЧ, причем их полезная мощность в режиме непрерывной работы может быть до десятков киловатт, а импульсный режим – до десятков мегаватт. При укорочении длины волны мощность передатчиков уменьшается. Для усиления слабых сигналов в приемниках клистроны малопригодны, так как они создают большие собственные шумы.50. ЛАМПЫ БЕГУЩЕЙ И ОБРАТНОЙ ВОЛНЫ
Недостатки, свойственные клистрону, устраняются в лампе бегущей волны (ЛБВ). Усиление и КПД в ЛБВ могут быть значительно выше, чем в клистроне. Это объясняется тем, что электронный поток в ЛБВ взаимодействует с переменным электрическим полем на большом участке своего пути и отдает значительную часть своей энергии на создание усиленных колебаний. Электронный поток в ЛБВ гораздо слабее, чем в клистроне, и поэтому уровень шумов сравнительно невелик. Полоса частот может быть очень большой, так как в ЛБВ нет никаких колебательных систем. Ширина полосы частот ограничивается не самой лампой, а различными дополнительными устройствами, служащими для связи лампы с внешними цепями и для согласования отдельных элементов этих дополнительных устройств между собой. Лампы бегущей волны для частот порядка тысяч мегагерц имеют полосу частот пропускаемых колебаний порядка сотен мегагерц, что вполне достаточно для радиолокации и всех видов современной радиосвязи. ЛБВ устроены так. В левой части удлиненного баллона помещен электронный прожектор, имеющий подогревный катод, фокусирующий электрод и анод. Электронный луч, созданный электронным прожектором, проходит далее внутри проволочной спирали, играющей роль внутреннего провода коаксиальной линии. Наружным проводом этой линии служит металлическая трубка. Спираль укреплена на специальных изоляторах. Фокусирующая катушка, питаемая постоянным током, служит для сжатия электронного луча по всей его длине. Вместо катушки для фокусировки могут быть применены также постоянные магниты. Так как магнитные фокусирующие системы очень громоздки, то разработаны электростатические способы фокусировки электронного луча в ЛБВ, т. е. фокусировка с помощью электрического поля. В ЛБВ для более коротких сантиметровых волн спираль заменяют замедляющими системами других типов, так как трудно изготовить спираль очень малых размеров. Эти замедляющие системы представляют собой волноводы сложной зигзагообразной конструкции или имеющие стенки в виде гребенок. Вдоль таких волноводов электронный луч пропускается по прямой линии, а электромагнитная волна распространяется с пониженной скоростью. Подобные замедляющие системы применяют также в мощных ЛБВ, так как спираль не может выдержать рассеяния в ней большой мощности. Принципы работы ЛБВ послужили основой для создания лампы обратной волны (ЛОВ), которую иногда также называют карцинотроном. Эта лампа в отличие от ЛБВ предназначена только для генерирования сантиметровых и более коротких волн. В ЛОВ применяют также волноводные замедляющие системы, как и в ЛБВ, но волна и электронный луч движутся навстречу друг другу. Первоначальные слабые колебания в ЛОВ получаются от флуктуаций электронного потока, затем они усиливаются и возникает генерация. Путем изменения постоянного напряжения, создающего электронный луч, можно в очень широком диапазоне частот осуществлять электронную настройку ЛОВ. Созданы маломощные ЛОВ на частоты вдесятки тысяч мегагерц, имеющие полезную мощность генерируемых колебаний до десятков долей ватта при КПД порядка единиц процентов. Для частот до 10 000 МГц разработаны ЛОВ с полезной мощностью в десятки киловатт при непрерывном режиме работы и в сотни киловатт при импульсном режиме. Генераторные ЛОВ малой и средней мощности с прямолинейным электронным лучом называют кар-цинотронами типа 0. Для больших мощностей применяют ЛОВ, называемые карцинотронами типа М, в которых электронный луч под действием магнитного поля движется по окружности. Замедляющая система в этих лампах располагается по окружности, а поперечное магнитное поле создается постоянным магнитом так же, как и в магнетроне.51. ОБЩИЕ ПОНЯТИЯ ОБ ЭЛЕКТРИЧЕСТВЕ И ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕОРИИ
Долгое время существовало мнение о том, что атомы являются первичными, неразложимыми и неизменными частями всех тел природы, откуда и произошло название «атом», что по-гречески значит «неделимый». В конце IX в., пропуская электрический ток высокого напряжения через трубку с сильно разреженным газом, физики заметили зеленоватое свечение стекла трубки, вызванное действием невидимых лучей. Светящееся пятно располагалось против электрода, соединенного с отрицательным полюсом источника тока (катода). Поэтому лучи получили название катодных. Под действием магнитного поля светящееся пятно смещалось в сторону. Катодные лучи вели себя так же, как проводник с током в магнитном поле. Смещение зеленоватого пятна происходило также под влиянием электрического поля, причем положительно заряженное тело притягивало лучи, отрицательно заряженное тело отталкивало их. Это навело на мысль, что сами катодные лучи представляют собой поток отрицательных частиц – электронов. Различие между диэлектриками и проводниками классическая физика видит в том, что в диэлектрике все электроны прочно удерживаются около ядра атома. В проводниках же, наоборот, связь между электронами и ядром атома сильна и имеется большое количество свободных электронов, упорядоченное движение которых вызывает электрический ток. Классическая физика допускает любые значения энергии атома, а изменение энергии атома считает происходящим непрерывно сколь угодно малыми порциями. Однако изучение оптических спектров элементов и явлений, связанных со взаимодействием атомов с электронами, указывает на непрерывистый характер внутренней энергии атомов. Атомная и молекулярная физика доказывают, что энергия атома не может быть любой и принимает только вполне определенные значения, характерные для каждого атома. Возможные значения внутренней энергии атома называются энергетическими или квантовыми уровнями. Уровни энергии, которыми не может обладать атом, называются запретными уровнями. Имеется целый ряд элементарных частиц: протоны и нейтроны, положительный и отрицательный мезоны, электроны, позитроны, нейтрино и антипротоны. Электрические явления были известны людям очень давно (натирание янтаря сукном). Тела, способные проводить электрические заряды, называются электрическими проводниками. Тела, очень плохо проводящие электричество, называются непроводниками, изоляторами или диэлектриками. Было замечено, что наэлектризованные тела притягиваются одно к другому или отталкиваются одно от другого. В результате электризации различных тел получаются два рода электричества. Условно один вид электричества назвали положительным, а другой отрицательным. Следовательно, тела, заряженные одноименным электричеством, взаимно отталкиваются, заряженные разноименным электричеством – притягиваются. Электричеством называется свойство материи (особая форма движения материи), имеющее двойственную природу и выявляющееся в элементарных частицах вещества (положительное электричество – в протонах, позитронах и мезонах, отрицательное – в электронах, антипротонах или мезонах).52. ЗАКОН КУЛОНА. ЭЛЕКТРИЧЕСКОЕ ПОЛЕ
Два наэлектризованных тела действуют одно на другое с силой, пропорциональной величине заряда или количеству электричества на этих телах и обратно пропорционально квадрату расстояния между телами, если собственные размеры этих тел малы по сравнению с расстоянием между ними. Эта зависимость силы взаимодействия от величины зарядов и расстояния межу ними была установлена опытным путем физиком Кулоном. Позднейшие исследования показали, что сила взаимодействия между зарядами зависит также от среды, в которой находятся заряды. Опыты привели Кулона к установлению следующего закона: два физических точечных заряда q1 и q2, находясь в однородной среде с относительной электрической проницаемостью е на расстоянии r, действует один на другой с силой F, пропорциональной произведению этих зарядов и обратно пропорциональной квадрату расстояния между ними. физически точечными заряды называются в том случае, если собственные размеры их малы по сравнению с расстоянием между ними. формула Кулона имеет вид: F =(q1q2)/(4??·?0r 2), где ?0=8,85 · 10–12Ф/м – электрическая проницаемость пустоты. ? – относительная электрическая проницаемость. Она показывает, во сколько раз при прочих равных условиях сила взаимодействия двух зарядов в какой-либо среде меньше, чем в пустоте. Относительная электрическая проницаемость – безразмерная величина. Оценка интенсивности электрического поля производится по механическим силам, с которыми поле действует на заряженные тела. Так как по закону Кулона сила взаимодействия между зарядами в данной среде зависит от величины зарядов и расстояния между ними, то за количественную меру поля принимают механическую силу, с которой поле в данный момент пространства действует на единичный положительный заряд, помещенный в эту точку. Эта величина называется напряженностью электрического поля и обозначается Е. Согласно определению Е=F/q. Приравнивая единице один из зарядов в формуле Кулона, получим выражение для напряженности поля Е в точке, удаленной на расстоянии rот физического точечного заряда: Е = q/(4???0r2), а для пустоты, у которой относительная электрическая проницаемость равна единице: Е = q/(4??0r 2). Единица измерения напряженности – В/м. Электрическое поле, напряженность которого в разных точках пространства одинакова по величине и по направлению, называется однородным полем. При изучении различных физических явлений приходится встречаться со скалярными и векторными величинами. Положительный электрический заряд, внесенный в поле положительно заряженного тела шарообразной формы, удаленного от других зарядов, будет отталкиваться по прямой линии, являющейся продолжением радиуса заряженного тела. Помещая электрический заряд в различные точки поля заряженного шара и отмечая траектории движения заряда под действием его электрических сил, получаем ряд радикальных прямых, расходящихся во все стороны. Эти воображаемые линии, по которым стремится двигаться положительный, лишенный инерции заряд, внесенный в электрическое поле, называются электрическими силовыми линиями. В электрическом поле можно провести любое число силовых линий. С помощью графических линий можно графически изобразить не только направление, но и напряженности электрического поля в данной точке. Количество электричества, приходящееся на единицу поверхности заряженного тела, называется поверхностной плотностью электрического заряда. Она зависит от количества электричества на теле, а также от формы поверхности проводника.53. ПРОВОДНИК И ДИЭЛЕКТРИК В ЭЛЕКТРИЧЕСКОМ ПОЛЕ
Если незаряженный изолированный проводник внести в электрическое поле, то в результате действия электрических сил поля в проводнике происходит разделение электрических зарядов. Свободные электроны проводника придут в движение в направлении, противоположном направлению электрического поля. В результате на конце проводника, обращенном к заряженному шару, окажется избыток электронов, обусловливающий отрицательный заряд этого конца, а на другом конце проводника окажется недостаток электронов, обусловливающий положительный заряд этой части проводника. Разделение зарядов на проводнике под влиянием заряженного тела называется электризацией через влияние, или электростатической индукцией, а заряды на проводнике – индуцированными зарядами. По мере приближения проводника к заряженному шару количество индуцированных зарядов на проводнике увеличивается. Электрическое поле заряженного шара изменяется, как только в нем окажется проводник. Электрические силовые линии шара, расходившиеся ранее равномерно и радикально, теперь изогнутся в сторону проводника. Так как началами и концами электрических силовых линий являются электрические заряды, лежащие на поверхности проводников, то, начинаясь у поверхности с положительными зарядами, силовая линия кончается у поверхности с отрицательными зарядами. Внутри проводника электрическое поле существовать не может. В противном случае между отдельными точками проводника существовала бы разность потенциалов, в проводнике происходило бы движение зарядов (ток проводимости) и до тех пор, пока вследствие перераспределения зарядов потенциалы всех точек проводника не стали бы равными. Этим пользуются, кода хотят оградить проводник от влияния внешних электрических полей. Для этого проводник окружают другим проводником, выполненным в виде сплошной металлической поверхности или проволочной сетки с мелкими отверстиями. Индуцированные заряды, образовавшиеся на проводнике в результате влияния на него заряженного поля, можно отделить один от другого, если разломить проводник пополам. Диэлектрик отличается от проводника отсутствием свободных электронов. Электроны атомов диэлектрика прочно связаны с ядром атома. Диэлектрик, внесенный в электрическое поле, так же как и проводник, электризуется через влияние. Однако между электризацией проводника и диэлектрика имеется существенная разность. Если в проводнике под влиянием сил электрического поля свободные электроны передвигаются по всему объему проводника, то в диэлектрике свободного перемещения электрических зарядов произойти не может. Но в пределах одной молекулы диэлектрика возникает смещение положительного заряда вдоль направления электрического поля и отрицательного заряда в обратном направлении. В результате влияния заряженного тела на поверхности диэлектрика возникнут электрические заряды. Это явление называется поляризациейдиэлектрика. Различают диэлектрики двух классов. 1. Молекула в нейтральном состоянии имеет положительный и отрицательный заряды, настолько близко расположенные один к другому, что действие их взаимно компенсируется. Под влиянием электрического поля положительные и отрицательные заряды в пределах молекулы несколько смещаются один относительно другого, образуя диполь. 2. Молекулы и в отсутствии электрического поля образуют диполи. Такие диэлектрики называют полярными. Необходимость правильного выбора величины напряженности электрического поля в диэлектрике привела к созданию теории электрической прочности, имеющей важное значение для современной техники высоких напряжений.54. ГЛАВНЕЙШИЕ ЭЛЕКТРОИЗОЛЯЦИОННЫЕ МАТЕРИАЛЫ
Асбест – минерал, имеющий волокнистое строение. Длина волокна – от десяти долей миллиметра до нескольких сантиметров. Из асбеста изготовляют пряжу, ленту, ткани, бумагу, картон и др. Ценным качеством является его высокая нагревостойкость. Нагрев до 300–400° не меняет свойств асбеста. Благодаря низкой теплопроводности асбест применяют в качестве тепловой изоляции при высоких температурах. Асбест обладает гигроскопичностью, которая уменьшается при пропитке его смолами, битумами и т. п. Электроизоляционные свойства асбеста невысоки. Поэтому он не применяется при высоких напряжениях. Канифоль – хрупкая смола светло-желтого или коричневого цвета, получаемая путем обработки смолы хвойных деревьев. Канифоль растворяется в нефтяных маслах, жидких углеводородах, растительных маслах, спирте, скипидаре. Температура размягчения канифоли 50–70 °C. Употребляют для приготовления пропиточных и заливочных масс. Парафин – воскообразное вещество, полученное из нефти. Хорошо очищенный парафин – кристаллическое вещество белого цвета. Применяется для пропитки дерева, бумаги, волокнистых веществ, для заливки высокочастотных катушек и трансформаторов, для приготовления изолирующих составов. Слюда – минерал кристаллического строения. Благодаря своему строению легко расщепляется на отдельные листочки. Обладает высокой электрической прочностью, высокой нагревостойкостью, влагостойкостью, механической прочностью и гибкостью. Применяют два вида слюды: мусковит и флогопит, различающиеся по составу, цвету и свойствам. Лучшей слюдой является мусковит. Из листочков слюды штампуют прямоугольные пластинки для конденсато– ров, шайбы для электрических приборов и т. п. Текстолит – пластмасса, представляющая собой многослойную ткань, пропитанную резольной смолой и спрессованную под большим давлением при 150". Положительные качества: малая хрупкость, высокие механические качества, стойкость к истиранию. Отрицательные качества: плохие электрические свойства, малая влагостойкость, более дорогой по цене. Фибра изготавливается из пористой бумаги, обработанной раствором хлористого цинка. Хорошо поддается механической обработке. Большим недостатком является ее гигроскопичность. фибра разъедается кислотами и щелочами. Из нее изготовляют мелкие детали, прокладки, каркасы катушек. Тонкая фибра называется летероидом. Церезин получают путем очистки воскообразного минерала – озокерита или петролатума. Имеет повышенную температуру плавления (65–80°) и повышенную стойкость против окисления. Применяют для пропитки бумажных конденсаторов, приготовления изолирующих составов и др. Шеллак – природная смола тропических растений, температура его плавления 100–200°. Имеет вид желтоватых или коричневых чешуек, легко растворяется в спирте. Применяется для приготовления заливочных масс, изоляционных и клеящих лаков, пропитки изоляционных лент. Шифер – сланец, имеет слоистое строение. Негигроскопичен, легко поддается механической обработке. Идет на изготовление панелей, щитков для рубильников и т. п. Эбонит (твердая резина) получается из каучука путем добавки в него 20–50 % серы. Выпускается в виде листов (досок), палок и трубок, хорошо поддается механической обработке. Применяется в технике слабых токов, в эбонитовые трубки протаскиваются провода при проходе сквозь стены и при скрытой проводке.55. ПОНЯТИЕ ОБ ЭЛЕКТРИЧЕСКОМ ТОКЕ. ЗАКОН ОМА
Движение электронов по проводнику называется электрическим током. В электротехнике условно принято считать направление тока противоположным направлению движения электронов в проводнике. Иначе говоря, направление тока принято считать совпадающим с направлением движения положительных зарядов. Электроны не проходят в своем движении всю длину проводника. Наоборот, они пробегают очень небольшие расстояния до столкновения с другими электронами, атомами или молекулами. Это расстояние называется длиной свободного пробега электронов. Электрический ток непосредственно наблюдать нельзя. О прохождении тока можно только судить по тем действиям, которые он производит. Признаки, по которым легко судить о наличии тока: 1) ток, проходя через растворы солей, щелочей, кислот, а также через расплавленные соли, разлагает их на составные части; 2) проводник, по которому проходит электрический ток, нагревается; 3) электрическийток, проходя по проводнику, создает вокруг него магнитное поле. Простейшая электрическая установка состоит из источника (гальванического элемента, аккумулятора, генератора и т. п.), потребителей или приемников электрической энергии (ламп накаливания, электронагревательных приборов, электродвигателей и т. п.) и соединительных проводов, соединяющих зажимы источника напряжения с зажимами потребителя. Ток, не изменяющийся по величине и по направлению, называется постоянным током. Постоянный электрический ток может протекать только по замкнутой электрической цепи. Разрыв цепи в любом месте вызывает прекращение электрического тока. Постоянный ток дают гальванические элементы, аккумуляторы, генераторы постоянного тока, если условия работы электрической цепи не меняются. Через поперечное сечение проводника проходит заряд за определенное время. Сила тока, прошедшего через поперечное сечение проводника в течение времени, равна: I = q/t. Отношение величины тока I к площади поперечного сечения проводника З называется плотностью тока и обозначается ?. ?= I/S; плотность тока измеряется в А/м2. При замыкании электрической цепи, на зажимах которой имеется разность потенциалов, возникает электрический ток. Свободные электроны под влиянием электрических сил поля перемещаются вдоль проводника. В своем движении электроны наталкиваются на атомы проводника и отдают им запас своей кинетической энергии. Скорость движения электронов непрерывно изменяется: при столкновении электронов с атомами, молекулами и другими электронами она уменьшается, потом под действием электрического поля увеличивается и снова уменьшается при новом столкновении. В результате этого в проводнике устанавливается равномерное движение потока электронов со скоростью нескольких долей сантиметра в секунду. Следовательно, электроны, проходя по проводнику, всегда встречают с его стороны сопротивление своему движению. При прохождении электрического тока через проводник последний нагревается. Электрическим сопротивлением R проводника называется свойство тела или среды превращать электрическую энергию в тепловую при прохождении по нему электрического тока. R = ?·l/S, где ?-удельное сопротивление проводника, l– длина проводника. Ток на участке цепи прямо пропорционален напряжению на этом участке и обратно пропорционален сопротивлению того же участка. Эта зависимость известна под названием закона Ома и выражается формулой: I = U/R. Ток проходит не только по внешней части цепи, но и по внутренней. ЭДС (E) источника идет на покрытие внутренних и внешних потерь напряжения в цепи. Закон Ома для всей цепи: I = E/(R+r), где R– сопротивление внешней части цепи, r– сопротивление внутренней части цепи.56. СОЕДИНЕНИЕ ПРОВОДНИКОВ МЕЖДУ СОБОЙ. ПЕРВЫЙ ЗАКОН КИРХГОФА
Отдельные проводники электрической цепи могут быть соединены между собой последовательно, параллельно и смешанно. Последовательным соединением проводников называется такое соединение, когда конец первого проводника соединен с началом второго, конец второго проводника соединен с началом третьего и т. д. Общее сопротивление цепи, состоящее из нескольких последовательно соединенных проводников, равно сумме сопротивлений отдельных проводников: R = R1 + R2+ R3+ . +R||. Ток на отдельных участках последовательной цепи одинаков: I1 = I2= I3=I. Падение напряжения пропорционально сопротивлению данного участка. Общее напряжение цепи равно сумме падений напряжения на отдельных участках цепи: и = и1+ U2+ U3. Параллельным соединением проводников называется такое сопротивление, когда начала всех проводников соединены в одну точку, а концы проводников – в другую точку. Начало цепи присоединяется к одному полюсу источника напряжения, а конец цепи – к другому полюсу. При параллельном соединении проводников для прохождения тока имеется несколько путей. Ток, протекая к точке разветвления, растекается далее по трем сопротивлениям и равен сумме токов, уходящих от этой точки: I= I1+ I2+ I3. Если токи, приходящие к точке разветвления, считать положительными, а уходящие – отрицательными, то для точки разветвления можно написать: ?Iк = 0 (k принимает значения от 1 до n), т. е. алгебраическая сумма токов для любой узловой точки цепи всегда равно нулю. Это соотношение, связывающее токи в любой точке разветвления цепи, называется первым законом Кирхгофа. Обычно при расчете электрических цепей направления токов в ветвях, присоединенных к какой-либо точке разветвления, неизвестны. Поэтому для возможности самой записи уравнения первого закона Кирхгофа нужно перед началом расчета цепи произвольно выбрать так называемые положительные направления токов во всех ее ветвях и обозначить их стрелками на схеме. Пользуясь законом Ома, можно вывести формулу для подсчета общего сопротивления при параллельном соединении потребителей. Общий ток, приходящий к точке, равен: I = U/R. Токи в каждой из ветвей имеют значения: I1 = U1 /R1; I2= U2 /R2; I3= U3 /R3. По первому закону Кирхгофа I = I1+I2+I3 или U /R= U /R1+U /R2+U /R3. Вынося U в правой части равенства за скобки, получим: U/R = U(1/R1 + 1 /R2+ 1/R3). Сокращая обе части равенства на U, получим формулу подсчета общей проводимости: 1 /R=1/R1+1/r2+ 1/R3. Таким образом, при параллельном соединении увеличивается не сопротивление, а проводимость. При подсчете общего сопротивления разветвления оно получается всегда меньше, чем самое меньшее сопротивление, входящее в разветвление. Если сопротивления, включенные параллельно, равны между собой, то общее сопротивление Rрав-но сопротивлению одной ветви R1, деленному на число ветвей п: R=R1/п. Смешанным соединением проводников называется такое соединение, где имеются и последовательное, и параллельное соединения отдельных проводников.57. ВТОРОЙ ЗАКОН КИРХГОФА. МЕТОД НАЛОЖЕНИЯ
При расчете электрических цепей часто приходится встречаться с цепями, которые образуют замкнутыеконтуры. В состав таких контуров, помимо сопротивлений, могут входить еще электродвижущие силы. Рассмотрим участок сложной электрической цепи. Задана полярность всех ЭДС.Произвольно выбираем положительные направления токов. Обходим контур от точки А в произвольном направлении, например, по часовой стрелке. Рассмотрим участок АБ. На этом участке происходит падение потенциала (ток идет от точки с высшим потенциалом к точке с низшим потенциалом). На участке АБ: ?А + E1 – I1R1=?Б. На участке БВ: ?Б – E2 – I2R2 = ?В. На участке ВГ: ?В = I3R3 + E3 = ?Г. На участке ГА: ?Г – I4R4 = ?А. Складывая почленно четыре приведенных уравнения, получим: ?А + E1– I1R1 + ?Б – E2 – I2R2 + ?В – I3R3 + E3 + ?Г– I4R4 – ?Б + ?В + ?Г + ?А или E1 – I1R1 – E2 – I2R2 – I3R3 + E3 – I4R4 = 0. Перенеся произведение I-R в правую часть, получим: Ё1 – Ё2 + Ё3 = I1R1 + I2R2 + I3R3 + I4R4. Это выражение представляет собой второй закон Кирхгофа. Формула показывает, что во всяком замкнутом контуре алгебраическая сумма электродвижущих сил равна алгебраической сумме падений напряжений. Метод наложения применяется для расчета электрических цепей, имеющих несколько ЭДС. Сущность метода наложения состоит в том, что ток в какой-либо части цепи можно считать состоящим из ряда частичных токов, вызванных каждой отдельной ЭДС, причем остальные ЭДС принимаются равными нулю. В задачах встречаются цепи, имеющие всего две узловые точки. Между узловыми точками может быть включено произвольнее количество ветвей. Расчет таких цепей значительно упрощается Ё, если пользоваться методом узлового напряжения. и = (Ё1д1 + Ё2д2+ Ё3д3) /(д1 + д2+ д3+ д4). В числителе формулы узлового напряжения представлена алгебраическая сумма произведений ЭДС ветвей. В знаменателе формулы дана сумма прово-димостей всех ветвей. Если ЭДС какой-либо ветви имеет направление, обратное тому, которое указано на схеме, то она входит в формулу для узлового напряжения со знаком минус. Метод контурных токов применяется для расчета сложных электрических цепей, имеющих больше двух узловых токов. Сущность метода заключается в предположении, что в каждом контуре проходит свой ток. Тогда на общих участках, расположенных на границе двух соседних контуров, будет протекать ток, равный алгебраической сумме токов этих контуров.
58. ЭЛЕКТРОЛИЗ. ПЕРВЫЙ И ВТОРОЙ ЗАКОНЫ ФАРАДЕЯ Ток, проходя по жидким проводникам, разлагает их на составные части. Поэтому жидкие проводники называют электролитами. Разложение электролитов под действием электрического тока называется электролизом. Электролиз проводят в гальванических ваннах. Гальваническая ванна представляет собой сосуд, куда налита жидкость – электролит, подвергающаяся разложению током. В сосуд с электролитом опускают две пластины (например, угольные), которые будут являться электродами. Присоединим отрицательный полюс источника постоянного тока к одному электроду (катоду), а положительный полюс – к другому электроду (аноду) и замкнем цепь. Явление электролиза будет сопровождаться выделением вещества на электродах. При электролизе водород и металлы всегда выделяются на катоде. Отсюда следует, что происхождение тока по жидким проводникам связано с движением атомов вещества. Нейтральная молекула вещества, попадая в растворитель, распадается (диссоциируется) на части – ионы, несущие на себе равные и противоположные электрические заряды. Это объясняется тем, что сила взаимодействия между зарядами, помещенными в среду с электрической проницаемостью е, уменьшается в е раз. Поэтому силы, связывающие молекулу вещества, находящуюся в растворителе с большой электрической проницаемостью, ослабевают и достаточно тепловых соударов молекул, чтобы они начали делиться на ионы,т. е. диссоциировать. Наряду с диссоциацией молекул в растворе происходит обратный процесс – воссоединение ионов в нейтральные молекулы (молизация). Кислоты диссоциируют на положительно заряженные ионы водорода и отрицательно заряженные ионы кислотного остатка. Щелочи диссоциируют на ионы металла и ионы водного остатка. Соли диссоциируют на ионы металла и ионы кислотного остатка. Если приложить к электродам постоянное напряжение, то между электродами образуется электрическое поле. Положительно заряженные ионы будут двигаться по направлению к катоду, отрицательно заряженные ионы – к аноду. Достигая электродов, ионы нейтрализуются. Явление электролиза с количественной и качественной стороны исследовано фарадеем. Им установлено, что количество вещества, выделяющегося при электролизе на электродах, пропорционально току и времени его прохождения, или, иначе говоря – количеству вещества, протекшего через электролит. Это первый закон фарадея. Один и тот же ток, проходя одинаковое время через различные электролиты, выделяет на электродах различное количество вещества. Количества вещества в миллиграммах, выделяемое на электроде током в 1А в течение 1с, называется электрохимическим эквивалентом и обозначается б. Первый закон Фарадея выражается формулой: m=a/t. Химическим эквивалентом (m) вещества называется отношение атомного веса (А) к валентности (n): m = А/n. Второй закон Фарадея показывает, от каких свойств вещества зависит величина его электрохимического эквивалента. Электролиз нашел широкое применение в технике. 1. Покрытие металлов слоем другого металла при помощи электролиза (гальваностегия). 2. Получение копий с предметов при помощи электролиза (гальванопластика). 3. Рафинирование (очистка) металлов.
Последние комментарии
12 часов 55 минут назад
15 часов 12 минут назад
1 день 5 часов назад
1 день 5 часов назад
1 день 11 часов назад
1 день 14 часов назад