Микромагнитоэлектроника. Том 1 [М. Л. Бараночников] (pdf) читать онлайн
Книга в формате pdf! Изображения и текст могут не отображаться!
[Настройки текста] [Cбросить фильтры]
Страница 2
Бараночников М.Л.
Микромагнитоэлектроника. Т. 2. – М:2002. – 691 с. ил
Том II. Справочные сведения о наиболее известных
и распространенных изделиях микромагнитоэлектроники
Посвящается новому направлению техники – микромагнитоэлектронике. Приводятся
основные параметры и характеристики наиболее известных изделий
микромагнитоэлектроники, выпускаемых отечественными и зарубежными производителями.
В том числе преобразователей магнитного поля, магниточувствительных и
магнитоуправляемых ИС, датчиков положения, скорости вращения, угла поворота и угла
наклона, датчиков тока и напряжения и др.
Приводятся рисунки их внешнего вида, функциональные схемы и таблицы назначения
выводов. Приводятся характеристики некоторых типов постоянных магнитов, используемых
в составе изделий микромагнитоэлектроники.
Всего в книге приведены основные характеристики на более чем 2500 типономиналов
изделий микромагнитоэлектроники.
Рекомендуется для инженерно-технических работников, специализирующихся в областях
создания и эксплуатации современного оборудования и приборов, а также для студентов
технических ВУЗов и подготовленных радиолюбителей.
Все права защищены. Любая часть этой книги не может быть воспроизведена в какой бы
то ни было форме и какими бы то ни было средсвами без письменного разрешения владельца
авторских прав.
Бараночников М. Л., 2002
Страница 3
Бараночников М.Л.
Микромагнитоэлектроника
ТОМ 2
СПРАВОЧНЫЕ СВЕДЕНИЯ О НАИБОЛЕЕ ИЗВЕСТНЫХ И
РАСПРОСТРАНЕННЫХ ИЗДЕЛИЯХ МИКРОМАГНИТОЭЛЕКТРОНИКИ
под общей редакцией
доктора физико-математических наук,
профессора Мордковича В.Н.
электронная авторская версия
г. Москва, 2002 г.
Страница 4
Предисловие ко второму тому
Книга посвящается новому направлению техники – микромагнитоэлектроника.
Изделия микромагнитоэлектроники используются в системах управления производственными процессами,
в автомобильной электронике, измерительной и вычислительной технике, дефектоскопии, медицинских и
бытовых приборах, военной технике и т. д. Суммарный объем производства этих изделий зарубежными фирмами
превышает несколько миллиардов штук в год.
Материал книги базируется на сведениях, приведенных в отечественных и зарубежных источниках, работах
и опыте самого автора.
Книга состоит из двух томов. Первый том полностью посвящается принципам функционирования основных
изделий микромагнитоэлектроники.
Второй том не содержит подробных разъяснений о принципах работы изделий микромагнитоэлектроники
и рассчитан на читателя, уже почерпнувшего необходимые сведения из первого тома книги.
Второй том состоит из 22 глав и полностью состоит из справочных сведений о наиболее известных типах
изделий микромагнитоэлектроники.
В главах 9–25 приведены основные и параметры характеристики наиболее распространенных
преобразователей магнитного поля, таких как элементы Холла, магниторезисторы и магнитодиоды.
Значительная часть книги посвящается магниточувствительным и магнитоуправляемым интегральным схемам.
В этих главах также даны параметры и характеристики датчиков положения и скорости вращения, угла
поворота и угла наклона, датчиков тока и напряжения, датчиков направления и др. Приводятся рисунки внешнего
вида изделий, функциональные схемы и таблицы назначения выводов. Для некоторых типов изделий приводятся
схемы включения и применения, рекомендованные изготовителями.
Всего в книге приведены основные характеристики более 2500 типономиналов изделий
микромагнитоэлектроники.
Глава 26 посвящена характеристикам некоторых типов постоянных магнитов, используемых в составе
изделий микромагнитоэлектроники.
В главе 27 приводятся сведения о бытовых и промышленных источниках магнитного поля, воздействующих
на человека
В главе 28 представлены таблицы параметров и единиц, используемых отечественными и зарубежными
специалистами, работающими в области микромагнитоэлектроники, а также таблицы для взаимного перевода
некоторых величин.
Глава 29 знакомит читателя с ориентировочными ценами на некоторые типы изделий, а в главе 30
приводятся сведения о более 200 зарубежных фирм, работающих в области создания изделий
микромагнитоэлектроники.
В главе 31 помещен перечень изделий микромагнитоэлектроники, сведения о которых приводятся в книге.
Многочисленные сведения справочного характера не только иллюстрируют возможности широкого круга
изделий микромагнитоэлектроники, но и могут служить обобщенным информационным материалом для
инженеров, связанных с проектированием и обслуживанием автоматизированного оборудования и современной
бытовой техники. Кроме того, эти сведения позволяют использовать, появившуюся у российских специалистов,
возможность применения зарубежных изделий микромагнитоэлектроники для решения многих технических
задач.
Следует, однако, отметить, что сведения о параметрах многих изделий, приведенные в книге, получены
путем обобщения и экстраполяции огромного массива данных, полученных из доступных иностранных и
отечественных источников. Поэтому они могут служить только для ориентировочной оценки соответствующих
параметров изделий до появления более достоверных сведений.
Помещенный в книге систематизированный материал призван обеспечить определенный интерес
инженерно-технических работников, молодых специалистов и радиолюбителей к новому направлению техники.
Хочется надеяться, что настоящая работа позволит не только расширить кругозор нашего читателя в области
микромагнитоэлектроники, но и побудит его к совершенствованию достигнутого и созданию новых еще более
совершенных устройств на основе этих изделий.
Настоящий том планировался к печати по договору с издательством ДМК Пресс еще в 2001 г., однако,
после длительных проволочек последнего, так и не был издан. В связи с чем автор свои приносит извинения
читателям о невыполненном обещании и переносит материал книги на CD.
Страница 5
Глава 9. Элементы Холла
В настоящей главе приведены основные параметры наиболее известных типов элементов Холла,
разработанных отечественными организациями и зарубежными фирмами.
9.1. Элементы Холла отечественного производства
Тип прибора
Cерии: ПХЭ, ПХЭМ, ПХИ, ДХГ, ДХК, ХАГ,
ХАГЭ, ХИМ, ХИС и др.
Изготовитель
НПО «Вега», НПО «Домен», НИИЭМ, ИФТТ и ПП
АН БССР, ОКБ ФТИ АН УзССР, Завод чистых
металлов в г. Светловодске, СКТБ ФТИ АН СССР и
др. (все СССР)
Фирменное
наименование
прибора
Элемент Холла, датчик Холла
Основные
особенности
Диапазон входных сопротивлений 5–4000 Ом
Диапазон выходных сопротивлений 5–4000 Ом
Диапазон тока управления 1–300 мА
Диапазон магнитной чувствительности 0,0005–1,6
В/Тл
Диапазон рабочих частот 0–100 МГц
Диапазон рабочих температур –271…+300 °С
Исполнение корпусное или бескорпусное
Назначение
и области
применения
Магнитные датчики различного назначения
Магнитометры, гауссметры, тесламетры
Основные
параметры
Внешний вид
и габаритные размеры
Схема включения
Табл. 9.1
Рис.: Х-08, Х-43, Х-44, Х46, Х-47, Х-48, Х-54, Х-55
Рис. 9.1
+UП
В1
B
-UП
Рис. 9.1. Типовая схема включения элемента Холла
Тип прибора
Материал МЧЭ
Размер
чувствительной
зоны, мм
Входное
сопротивление, Ом
Выходное
сопротивление, Ом
Ток управления,
мА
Магнитная
чувствительность,
В/Тл
Удельная
магнитная
чувствительность,
В/Тл*А
Остаточное
напряжение
(при В = 0), В/А
Температурный
коэффициент ЭДС
Холла, %/°С
Температурный
коэффициент
сопротивления,
%/°С
Коэффициент
нелинейности, %
Диапазон рабочих
температур, °С
Максимальные
габаритные
размеры
(без выводов), мм
№№ рисунков
внешнего вида
1
ДПМ-1
Si
–
600–1800
>4000
1–3,3
0,5
150–500
±(2–7)
0,04
–
1
–40...+85
5×3×1,5
Х-46
2
ДХГ0,5м
Ge
2,6×6
40
150
12
0,11
9
–
0,03
–
–
–60...+70
H/д
–
3
ДХГ-0,5с
Ge
12×6
40
110
45
0,4
9
–
0,03
–
–
–60...+70
H/д
–
4
ДХГ0,5ф
Ge
1,8×0,6
40
150
8
0,07
9
–
0,03
–
–
–60...+70
H/д
–
5
6
ДХГ-0,5
ДХГ-1
Ge
Ge
6×3
6×3
40
120
90
200
24
20
0,21
0,36
9
18
–
±0,2
0,03
0,2
–
–
–
–
–60...+70
–60...+70
H/д
10×7×0,4
–
–
7
ДХГ-2
Ge
6×3
220–350 220–350
13
0,38–
0,57
35
±0,025
0,08–0,3
–
3
–60...+70
10×7×0,4
–
8
9
ДХГ-2м
ДХГ-2С
Ge
Ge
2,6×6
12×6
180
360
220–360 220–360
7
22
0,25
0,77
35
35
–
–
0,3
0,3
–
–
–
–
–60...+70
–60...+70
H/д
H/д
–
–
10
11
ДХГ-2ф
ДХК0,5А
Ge
Si
1,8×0,6
–
5
3
0,17
0,28
35
90
–
±2,3
0,3
–
–
–
–
–
–60...+70
–60…+125
H/д
4×4×2
–
Х-43
Х-47
12
ДХK7AK
Si
6×3
7–9
0,44–0,6
62–86
±(1,6–3,1)
0,08
–
3
–60…+125 17×4,9×0,8
–
13
ДХК-7Г
Si
6×3
500
1000
9
0,4
45
–
0,08
–
–
–60…+120
H/д
–
14
ДХК-7м
Si
2,6×1,6
500
1200
5
0,22
45
–
0,08
–
–
–60…+120
H/д
15
ДХК-7С
Si
6×3
500
1000
9
0,4
45
–
0,08
–
–
–60…+120
H/д
–
16
ДХК12ПК
Si эпит.
Пленка
3,5×2,25
600–900
до 1000
8–13
0,4–78
50–60
±(1,1–1,8)
2
–
–
–60…+125
H/д
Х-44
17
ДХК-14
Si
6×3
1100
2000
7
0,6–1,1
90
–
0,15
–
–
–60…+120 17×4,6×0,75
–
18
ДХК-14С
Si
12×6
1100
2000
15
1,35
90
–
0,15
–
3
–60…+120
–
180
1800–
3000
360
1800–
3000
650–950 650–950
H/д
Страница 6
Таблица 9.1. Основные параметры элементов Холла отечественного производства
№ п/п
Таблица 9.1. Основные параметры элементов Холла отечественного производства
Остаточное
напряжение
(при В = 0), В/А
Температурный
коэффициент ЭДС
Холла, %/°С
Температурный
коэффициент
сопротивления,
%/°С
Коэффициент
нелинейности, %
Диапазон рабочих
температур, °С
Максимальные
габаритные
размеры
(без выводов), мм
№№ рисунков
внешнего вида
ПХИ-311
0,5×0,5
Удельная
магнитная
чувствительность,
В/Тл*А
22
GaAs
гет. эпит.
Магнитная
чувствительность,
В/Тл
ИП1
Ток управления,
мА
21
Выходное
сопротивление, Ом
ИП
InSb0,1×0,15
GaAs
гет. эпит.
GaAs
0,5×0,5
Входное
сопротивление, Ом
20
Размер
чувствительной
зоны, мм
ДХИ
Материал МЧЭ
Тип прибора
19
–
–
5–10
0,3–0,5
–
–
–
–
–
–60…
+120
10×2,6×1,6
–
10–100
10–100
180
0,1–0,23
0,55–1,3
–
–
2
–100…
+100
H/д
–
5–7
0,1–0,15
20–21
±(0,0025–
0,45)
–
–
–
2
–50…
+50
H/д
–
100–1000 100–1000
–
2000
2000
5
0,0005
0,1
–
±0,1
0,5
–
–50…
+150
3×3×1
–
–
3000–
4000
3000–
4000
5
0,002
0,4
–
±0,1
0,5
–
–50…
+100
3×3×1
–
–
800–1200
2000–
2400
4–6
0,6–0,8
130–150
±2,0
0,01–0,03
0,05–
0,008
–
–30…
+150
1,9×3×1,2
Х-54
GaAs
–
800–1200
2000–
2400
4–6
0,8–1,6
200–270
±2,0
0,01–0,03
0,05–
0,008
–
–30…
+150
∅ 2,5×1,5
Х-43
ПХИ-611
GaAs
–
800–1200
2000–
2400
4–6
0,8–1,6
200–270
±2,0
0,01–0,03
0,05–
0,008
–
–30…
+150
∅ 2,5×1,5
Х-08
27
ПХЭ 602
117А
2×0,5
15
15
100
0,5
5
±0,001
0,5
0,5
5
–60…
+100
3×3×0,6
–
28
ПХЭ 602
117Б
2×0,5
15
15
100
0,3
3
±0,0005
0,3
0,5
3
–60…
+100
3×3×0,6
–
29
ПХЭ 602
117B
2×0,5
15
15
100
0,2
2
±0,0002
0,1
0,5
2
–60…
+100
3×3×0,6
–
30
ПХЭ 602
817А
2×0,5
10
10
100
0,1
1
±0,0003
0,03
0,5
1
–270…
+100
3×3×0,6
–
31
ПХЭ 602
817Б
2×0,5
10
10
100
0,08
0,8
±0,0002
0,02
0,5
1,5
–270…
+100
3×3×0,6
–
32
ПХЭ 602
817В
InSbGaAs
гет. эпит.
InSbGaAs
гет. эпит.
InSbGaAsгет
эпит.
InSbGaAs
гет. эпит.
InSbGaAs
гет. эпит.
InSbGaAs
гет. эпит.
2×0,5
10
10
100
0,06
0,6
±0,0001
0,01
0,5
1
–270…
+100
3×3×0,6
–
24
InSbGaAs
гет. эпит.
ПХИ-312 InSbGaAs
гет. эпит.
ПХИ-313 GaAs
25
ПХИ-314
26
23
Страница 7
Прдолжение таблицы 9.1. Основные параметры элементов Холла отечественного производства
№ п/п
Продолжение таблицы 9.1. Основные параметры элементов Холла отечественного производства
ПХЭ 605
817Б
40
ПХЭ 605
817В
41
ПХЭ 605
117А
42
ПХЭ 605
117Б
43
ПХЭ 605
117В
44
ПХЭ 605
118A
45
ПХЭ 605
118Б
Размер
чувствительной
зоны, мм
№№ рисунков
внешнего вида
39
Максимальные
габаритные
размеры
(без выводов), мм
ПХЭ 605
817А
Диапазон рабочих
температур, °С
38
Коэффициент
нелинейности, %
ПХЭ 605
117
Температурный
коэффициент
сопротивления,
%/°С
37
Температурный
коэффициент ЭДС
Холла, %/°С
ПХЭ 603
118
Остаточное
напряжение
(при В = 0), В/А
36
Удельная
магнитная
чувствительность,
В/Тл*А
ПХЭ 602
118В
Магнитная
чувствительность,
В/Тл
35
Ток управления,
мА
ПХЭ 602
118Б
Выходное
сопротивление, Ом
34
InSb2×0,5
GaAs
гет. эпит.
InSb2×0,5
GaAs
гет. эпит.
InSb2×0,5
GaAs
гет. эпит.
InSb0,2×0,05
GaAs
гет. эпит.
InSb1×0,25
GaAs
гет. эпит.
InSb1×0,25
GaAs
гет. эпит.
InSb1×0,25
GaAs
гет. эпит.
InSb1×0,25
GaAs
гет. эпит.
InSb1×0,25
GaAs
гет. эпит.
InSb1×0,25
GaAs
гет. эпит.
InSb1×0,25
GaAs
гет. эпит.
InSb1×0,25
GaAs
гет. эпит.
InSb1×0,25
GaAs
гет. эпит.
Входное
сопротивление, Ом
ПХЭ 602
118A
Материал МЧЭ
Тип прибора
33
5
5
100
0,075
0,75
±0,0003
0,02
0,5
1
–270…
+100
3×3×0,6
–
5
5
100
0,05
0,5
±0,0002
0,01
0,5
0,5
–270…
+100
3×3×0,6
–
5
5
100
0,03
0,3
±0,0001
0,005
0,5
0,3
–270…
+100
3×3×0,6
–
10
10
100
0,03
0,3–0,75
±(0,0001–
0,0003)
±0,05
0,5
0,3–1,0
–270…
+100
5×3×0,8
Х-48
10
10
100
0,03–
0,075
0,3–0,75
±(0,0001–
0,0003)
±(0,05–
0,02)
0,5
0,3–1,0
–270…
+100
5×3×0,8
Х-48
10
10
100
0,1
1
±0,0003
0,03
0,5
2
–270…
+100
2×2×0,6
б/к
Х-55
10
10
100
0,08
0,8
±0,0002
0,02
0,5
1
–270…
+100
2×2×0,6
б/к
Х-55
10
10
100
0,06
0,6
±0,0001
0,01
0,5
0,5
–270…
+100
2×2×0,6
б/к
Х-55
15
15
100
0,5
5
±0,002
0,5
0,5
5
–270…
+100
2×1,5×0,6
б/к
Х-55
15
15
100
0,3
3
±0,001
0,3
0,5
3
–270…
+100
2×1,5×0,6
б/к
Х-55
15
15
100
0,2
2
±0,0005
0,1
0,5
2
–270…
+100
2×1,5×0,6
б/к
Х-55
5
5
100
0,075
0,75
±0,0003
0,02
0,5
2
–270…
+100
2×3×0,6
б/к
Х-55
5
5
100
0,05
0,5
±0,0002
0,01
0,5
1
–270…
+100
2×3×0,6
б/к
Х-55
Страница 8
Прдолжение таблицы 9.1. Основные параметры элементов Холла отечественного производства
№ п/п
Продолжение таблицы 9.1. Основные параметры элементов Холла отечественного производства
53
ПХЭ 607
118Б
54
ПХЭ 607
817А
55
ПХЭ 607
817Б
56
ПХЭ 607
817В
57
ПХЭM
602 117A
58
ПХЭM
602 117B
№№ рисунков
внешнего вида
ПХЭ 607
118Б
Максимальные
габаритные
размеры
(без выводов), мм
52
Диапазон рабочих
температур, °С
ПХЭ 607
118А
Коэффициент
нелинейности, %
51
Температурный
коэффициент
сопротивления,
%/°С
ПХЭ 606
817А
Температурный
коэффициент ЭДС
Холла, %/°С
50
Остаточное
напряжение
(при В = 0), В/А
ПХЭ 606
118В
Удельная
магнитная
чувствительность,
В/Тл*А
49
Магнитная
чувствительность,
В/Тл
ПХЭ 606
118Б
Ток управления,
мА
48
Выходное
сопротивление, Ом
ПХЭ 606
118А
Входное
сопротивление, Ом
47
Размер
чувствительной
зоны, мм
ПХЭ 605
118В
Материал МЧЭ
Тип прибора
46
InSbGaAs
гет. эпит.
InSbGaAs
гет. эпит.
InSbGaAs
гет. эпит.
InSbGaAs
гет. эпит.
InSbGaAs
гет. эпит.
InSbGaAs
гет. эпит.
InSbGaAs
гет. эпит.
InSbGaAs
гет. эпит.
InSbGaAs
гет. эпит.
InSbGaAs
гет. эпит.
InSbGaAs
гет. эпит.
InSbGaAs
гет. эпит.
InSbGaAs
гет. эпит.
1×0,25
5
5
100
0,03
0,3
±0,0001
0,005
0,5
0,5
–270…
+100
2×3×0,6 б/к
Х-55
0,15×0,15
10
10
100
0,075
0,75
±0,0005
0,02
0,5
2
–270…
+100
2×1,5×0,6
б/к
Х-55
0,15×0,15
10
10
100
0,05
0,5
±0,0003
0,01
0,5
1
–270…
+100
2×1,5×0,6
б/к
Х-55
0,15×0,15
10
10
100
0,03
0,3
±0,0002
0,005
0,5
0,5
–270…
+100
2×1,5×0,6
б/к
Х-55
0,15×0,15
10
10
100
0,1
1
±0,0005
0,03
0,5
2
–270…
+100
2×1,5×0,6
б/к
Х-55
0,15×0,15
10
10
100
0,075
0,75
±0,001
0,02
0,5
2
–270…
+100
1×1×0,6
б/к
Х-55
0,15×0,15
10
10
100
0,05
0,5
±0,00075
0,01
0,5
1
–270…
+100
1×1×0,6
б/к
Х-55
0,15×0,15
10
10
100
0,03
0,3
±0,0005
0,005
0,5
0,5
–270…
+100
1×1×0,6
б/к
Х-55
0,15×0,15
10
10
100
0,1
1
±0,001
0,03
0,5
2
–270…
+100
1×1×0,6
б/к
Х-55
0,15×0,15
10
10
100
0,08
0,8
±0,00075
0,02
0,5
1
–270…
+100
1×1×0,6
б/к
Х-55
0,15×0,15
10
10
100
0,06
0,6
±0,0005
0,01
0,5
0,5
–270…
+100
1×1×0,6
б/к
Х-55
2×0,5
15
15
100
0,5
5
±0,001
0,5
0,5
5
–60…+100
5×3×0,6
–
2×0,5
15
15
100
0,2
2
±0,0002
0,1
0,5
2
–60…+100
5×3×0,6
Х-48
Страница 9
Прдолжение таблицы 9.1. Основные параметры элементов Холла отечественного производства
№ п/п
Продолжение таблицы 9.1. Основные параметры элементов Холла отечественного производства
Материал МЧЭ
Размер
чувствительной
зоны, мм
Входное
сопротивление, Ом
Выходное
сопротивление, Ом
Ток управления,
мА
Магнитная
чувствительность,
В/Тл
Удельная
магнитная
чувствительность,
В/Тл*А
Остаточное
напряжение
(при В = 0), В/А
Температурный
коэффициент ЭДС
Холла, %/°С
Температурный
коэффициент
сопротивления,
%/°С
Коэффициент
нелинейности, %
Диапазон рабочих
температур, °С
Максимальные
габаритные
размеры
(без выводов), мм
№№ рисунков
внешнего вида
Тип прибора
InSbGaAs
гет. эпит.
InSbGaAs
гет. эпит.
InSbGaAs
гет. эпит.
InSbGaAs
гет. эпит.
InSbGaAs
гет. эпит.
InSbGaAs
гет. эпит.
InSbGaAs
гет. эпит.
InAs
2×0,5
15
15
100
0,3
3
±0,0005
0,3
0,5
3
–60…
+100
5×3×0,6
Х-48
2×0,5
5
5
100
0,03
0,3
±0,0003
0,03
0,5
1
–270…
+100
5×3×0,6
Х-48
2×0,5
5
5
100
0,02
0,2
±0,0002
0,02
0,5
0,5
–270…
+100
5×3×0,6
Х-48
2×0,5
5
5
100
0,01
0,1
±0,0001
0,005
0,5
0,3
–270…
+100
5×3×0,6
Х-48
2×0,5
10
10
100
0,1
1
±0,0003
0,03
0,5
1
–270…
+100
5×3×0,6
Х-48
2×0,5
10
10
100
0,08
0,8
±0,0002
0,02
0,5
1,5
–270…
+100
5×3×0,6
Х-48
2×0,5
10
10
100
0,06
0,6
±0,0001
0,01
0,5
1
–270…
+100
5×3×0,6
Х-48
4×2
0,5–5
0,5–5
180
0,1–0,23
1,2–1,3
±0,45
0,15
–
–
–30…
+150
H/д
–
–
5
5
110
0,088
0,88
±0,0025
0,03
–
–
–196…
+180
1,5×0,8×0,2
–
3–15
0,7–0,5
230–330
±(1,7–2)
±(0,3–
0,1)
0,6
0,5
–60…
+125
4×2×0,5
–
59
ПХЭM
602 117Б
60
ПХЭМ
602 118А
61
ПХЭМ
602 118Б
62
ПХЭМ
602 118В
63
ПХЭМ
602 817А
64
ПХЭМ
602 817Б
65
ПХЭМ
602 817В
66
Х212
67
Х511
InAsP
68
ХАГ-П
69
InSbGaAs
гет. эпит.
ХАГЭ-1
GaAs
гет. эпит.
4×2 и
3×1,5
5×10
16–100
16–100
6
1,0–1,5
160–250
±(0,16–
0,25)
0,04–0,05
–
0,05
–60…
+150
H/д
–
1×3
180–220
180–220
15
0,8–1,3
53–87
±(0,07–
0,13)
0,03
–
0,05
–60…
+200
H/д
–
200–300
200–300
20
0,3–0,8
15–40
±(0,1–0,15)
0,001
–
0,5
–200…
+300
H/д
–
6–50
2–50
20–150 0,4–0,6
2–30
±0,3
1
–10…
+100
4×2×0,35
–
70
ХАГЭ-2
GaAs
гет. эпит.
71
ХАГЭ-3
GaAs
0,9×0,15
гет. эпит.
72
ХИМ
InAsGaAs
гет. эпит.
200–3000 200–3000
4×2
0,02–0,03 0,05–0,3
Страница 10
Прдолжение таблицы 9.1. Основные параметры элементов Холла отечественного производства
№ п/п
Продолжение таблицы 9.1. Основные параметры элементов Холла отечественного производства
Коэффициент
нелинейности, %
Диапазон рабочих
температур, °С
Максимальные
габаритные
размеры
(без выводов), мм
№№ рисунков
внешнего вида
1
–10…
+100
18×8,6×1,2
–
InAs1×1,5
GaAs
(2 эл-та)
гет. эпит.
6–50
2–50
20–150 0,4–0,6
2–30
±0,3
0,02–0,03 0,05–0,3
1
–10…
+100
18×8,6×1,2
–
InSbGaAs
гет. эпит.
2–10
2–10
0,9–4
±0,0005
0,5
–271…
+50
4×3×0,45
–
74
ХИМ-С2
75
ХИС
–
100
0,09–0,4
0,005
Температурный
коэффициент
сопротивления,
%/°С
Остаточное
напряжение
(при В = 0), В/А
0,02–0,03 0,05–0,3
Температурный
коэффициент ЭДС
Холла, %/°С
Удельная
магнитная
чувствительность,
В/Тл*А
±0,3
InAsGaAs
гет. эпит.
Магнитная
чувствительность,
В/Тл
Выходное
сопротивление, Ом
2–30
ХИМ-С1
Ток управления,
мА
Входное
сопротивление, Ом
20–150 0,4–0,6
Материал МЧЭ
2–50
Тип прибора
6–50
№ п/п
1×1,5
73
0,02
Примечание. Сведения, приведенные в таблице, получены путем обобщения и экстраполяции данных из доступных источников.
Поэтому они могут служить только для ориентировочной оценки соответствующих параметров приборов до появления более
достоверных сведений.
Страница 11
Прдолжение таблицы 9.1. Основные параметры элементов Холла отечественного производства
Размер
чувствительной
зоны, мм
Продолжение таблицы 9.1. Основные параметры элементов Холла отечественного производства
Страница 12
9.1.1. Полевые элементы Холла
Тип прибора
Разработчик и
изготовитель
опытных образцов
Фирменное
наименование
прибора
FEHS Lххх
АОЗТ «ЛБС» (РАН, г. Москва)
Полевой элемент Холла
Основные
особенности
Диапазон входных сопротивлений 16–80 кОм
Диапазон выходных сопротивлений 16–80 кОм
Диапазон тока управления 60–400 мкА
Диапазон магнитной чувствительности 0,1–0,8 В/Тл
Диапазон рабочих частот 0–1 МГц (и до 10 Мгц в
специальном оформлении)
Возможность работы в режиме модуляции по затвору
Диапазон рабочих температур –269…+250 °С
Исполнение корпусное или бескорпусное
Назначение
и области
применения
Магнитные датчики различного назначения с
минимальной потребляемой мощностью
Портативные магнитометры
Основные
параметры
Внешний вид,
габаритные
размеры
и схема
включения
Табл. 9.2
Рис. 9.3–9.5а
Расшифровка
фирменного
Характеристики
обозначения
продукции
Рис. 9.2
Рис. 9.5б
О - с операционным усилителем
I
- с инструментальным усилителем
C - бескорпусное исполнение
FEHS
CW -бескорпусное на пластинах
L-XXXXXXX
F - плоский металлостеклянный
Е - пластмассовый DIP-8
L - пластмассовый мини-DIP
S - с однорядным расположением выводов
Буквенный индекс комбинированного прибора
Р - на печатной плате или гибком шлейфе
N - от
0
Буквенный индекс типа корпуса
С - от - 55
Буквенный индекс диапазона рабочих температур
М - от - 60
Буквенный индекс группы по уровню основных параметров
D - от - -40
Количество кристаллов в одном корпусе
L - от - 269
Количество МЧЭ в одном кристалле
ФИРМЕННОЕ ОБОЗНАЧЕНИЕ ПРОДУКЦИИ
Цифровой индекс варианта конструкции кристалла
Наименование изготовителя ( L - АОЗТ “ЛБС”)
l - низкий (low)
m - средний (middle)
h - высокий (high)
Наименование типа прибора (Полевой датчик Холла)
(”FEHS - Field-effect Holl sensor”)
Рис. 9.2. Расшифровка фирменного обозначения продукции, разработанной АОЗТ «ЛБС» (г. Москва)
Активная зона
Активная зона
о
до + 85 С
о
до +125 С
о
до +125 С
о
до +150 С
о
до +250 С
Активная зона
Активная зона
Рис. 9.3.(1). Топология кристаллов полевых элементов Холла
Активные зоны
Выход 2
Активные зоны
Активныее зоны
Страница 13
3
Питание 2
2
1
Питание 3
Выход 3
Выход 1
Питание 1
Выход 2
1
U4
Рис. 9.3.(2). Топология кристаллов полевых элементов Холла
0,1
0,62
B
1,75 макс.
0,62
0,1
1,75 max
B
B
7
5,9 max
18 max
5,9 max
5
1
4
2,5
7,5
10,5 макс.
18 max
0,3 макс.
в)
б)
а)
3,5 макс.
6,5 макс.
8
6,7 max
8
7 макс.
8
6,7 max
1,25
6 x 1,25 = 7,6
0,43 макс.
10 макс.
1,25
6 x 1,25 = 7,6
0,43 макс.
7
14
10 макс.
0,59 max (8 выв.)
14
Рис. 9.4. Варианты герметизации (упаковки) полевых элементов Холла
+UП. (12 В)
C1 1,0
C2 0,033
7
R1* 3,3k
2
Установка рабочего тока
R2 150k
4
B
В1
ПДХ
5
7
3
6
DА2
3
Экран
Подложка
+
C5
1000,0 -
4
8
R3
1,0
C3
1,0
+
C6
1000,0 -
-UП. (12 В)
1
6
Затвор
Вход затвора (и модуляция)
R4
330k
Общий
Баланс “точно”
4
Баланс “грубо”
5
2
R5 1,5k
R6 150k
6
DА1
3
Выход
8
7
1
R7 10k
Чувствительность
Рис. 9.5. Вариант включения полевого элемента Холла
R8
10k
Страница 14
Таблица 9.2. Основные параметры ПДХ при температуре 20±2 °С
№
Тип прибора
п/п Наименование параметра, единица измерения
1
2
3
Количество МЧЭ в одном кристалле
Количество кристаллов в одном корпусе
Размер активной зоны, мм
4
Номинальное напряжение питания (Uп), В
5
FEHS L-111. FEHS L-112.
MF
MF
FEHS L111. NE
FEHS L211. MF
FEHS L-211.
NP
1
1
0,08×0,08
1
2
0,08×0,08
(с разд.
питанием)
1
1
0,08×0,08
1
1
0,5×0,5
1
1
0,5×0,5
Ток управления при номинальном напряжении
питания (Iуп.), мкА
5*#
9
60–240
60–400
5*#
9
60–240
60–400
5*#
9
60–240
60–400
5*#
9
180–320
5*#
9
190–440
6
Входное сопротивление (Rвх.), кОм
20–85
20–85
18–85
23–42
16–40
7
Выходное сопротивление (Rвых.), кОм
20–85
20–85
18–85
23–42
16–40
8
Остаточное напряжение, не более (Uост.), мВ
±7
±7
±8
±6
±9
9
Магнитная чувствительность (γU), В/Тл
1400–3300
800–2200
11
Динамический диапазон по индукции, не менее, мТл
0,18–0,35
0,24–0,6
1000–5000
1000–4000
±200
0,3–0,5
Удельная магнитная чувствительность (γуд.), В/Тл*А
0,1–0,3
0,3–0,8
1000–10000
800–2500
±200
0,3–0,7
10
0,1–0,3
0,3–0,8
1000–10000
800–2500
±200
±200
±200
12
13
Постоянная времени, не более, мкс
Температурный коэффициент чувствительности, %/°С
1
–0,35/0,18
1
–0,35/0,18
1
–0,35/0,18
1
н/д
1
н/д
14
Пороговая чувствительность при Uc/Uш = 1 и полосе 1
Гц, нТл
40–300
н/д
н/д
50–250
н/д
15
Крутизна управления по затвору, dS/Uз, (В/Тл)/В
16
Диапазон рабочих температур, °С
17
Топология кристалла, рис. 9.3
18
Вариант упаковки, рис. 9.4
0,01–0,03
н/д
н/д
0,01–0,03
0,01–0,03
–60…
+125
–60…
+125
0…+85
–60…
+125
0…+85
№1
№1
№1
№2
№2
а
б
в
а
в
Таблица 9.2. Основные параметры ПДХ при температуре 20±2 °С. (продолжение)
Тип прибора
№
п/п
Наименование параметра,
единица измерения
FEHS L21.LC
FEHS L32.LC
FEHS L44.LC
FEHS L54.LC
FEHS L63.LC
3
б/к
0,02×0,08
(1)
0,01×0,04
(2)
0,005×
0,02
(3)
(мозаика с
разд. пит.)
5*#
1
2
3
Количество МЧЭ в одном кристалле
Количество кристаллов в одном корпусе
Размер активной зоны, мм
1
б/к
0,5×0,5
2
б/к
0,1×0,3 (1)
0,1×0,3 (2)
(с разд.
питанием)
4
б/к
0,05×0,15
(матрица c
общим
питанием)
4
б/к
0,03×0,09
(линейка с
общим
питанием)
4
Номинальное напряжение питания (Uп), В
5
Ток управления при номинальном напряжении
питания (Iуп.), мкА
5*#
9
140–180
300–420
5*#
9
90–140
240–330
5*#
9
300–470
900–1200
5*#
9
150–250
350–550
6
Входное сопротивление (Rвх.), кОм
20–40
25–50
7,5–16
16–33
7
Выходное сопротивление (Rвых.), кОм
20–40
25–50
–
–
–
8
Остаточное напряжение, не более (Uост.), мВ
±5
±2
±6
±10
9
Магнитная чувствительность (γU), В/Тл
10
Удельная магнитная чувствительность (γуд.), В/Тл*А
0,2–0,3
0,4–0,7
2000–2500
1200–1800
0,2–0,33
0,3–0,45
1500–2700
1100–1500
±1,5
0,18–0,25
0,3–0,38
1000–3100
300–400
0,15–0,25
0,25–0,37
900–1300
600–800
0,2–0,3
0,4-0,7
700–2200
60–150
33–83
Страница 15
Продолжение таблицы 9.2. Основные параметры ПДХ при температуре 20±2 °С
Тип прибора
№
п/п
Наименование параметра,
единица измерения
FEHS L21.LC
FEHS L32.LC
FEHS L44.LC
FEHS L54.LC
FEHS L63.LC
±200
±200
±200
±150
±150
11
Динамический диапазон по индукции, не менее, мТл
12
13
Постоянная времени, не более, мкс
Температурный коэффициент чувствительности, %/°С
1
н/д
1
н/д
1
н/д
1
н/д
1
н/д
14
Пороговая чувствительность при Uc/Uш = 1 и полосе 1
Гц, нТл
н/д
н/д
н/д
н/д
н/д
15
Крутизна управления по затвору, dS/Uз, (В/Тл)/В
н/д
н/д
н/д
н/д
н/д
16
Диапазон рабочих температур, °С
–269…
+250
–269…
+250
–269…
+250
–269…
+250
–269…
+250
17
Топология кристалла, рис. 9.3
№2
№3
№4
№5
№6
18
Вариант упаковки, рис. 9.4
–
–
–
–
–
Примечание. Измерение всех параметров проведено в корпусе типа 401.14-5 при Uз =Uпит. = Uпод.;
# – питание приборов осуществлялось от «источника напряжения».
Рис. 9.5б. Выходные характеристики ПДХ на КНИ
Страница 16
9.2. Элементы Холла зарубежного производства
Серии: AG, BG, BH, BHA, BHT, CG, FA, FC, FH,
GH, HG, HR, HGA, HGCA, HGT, HN, HW, HZ,
KSY, 2D-VD, 3D-Н, LPH, LT, OH, RHY, SH, SV,
SVB, THS и др.
F.W.Bell, Siemens AG, Asahi Kasel Electronics, Sentron
AG, Katsura Sansho, Ohio Semitronics Inc, MagnetPhysik, Lake Shore Cryotr. , ITR, Pioneer Precision
Mach.Co, Sharp, Matsushita, Toshiba Corp., Honeywellи
др.
Тип прибора
Наиболее
известные
изготовители
Фирменное
наименование
прибора
Элемент Холла, датчик Холла
Основные
особенности
Диапазон входных сопротивлений 1–4200 Ом
Диапазон выходных сопротивлений 1–14000 Ом
Диапазон тока управления 1–400 мА
Диапазон магнитной чувствительности 0,0055–17,6
В/Тл
Диапазон рабочих частот 0–100 МГц
Диапазон рабочих температур –269…+175 °С
Исполнение корпусное или бескорпусное
Назначение
и области
применения
Магнитные датчики различного назначения
Магнитометры, гауссметры, тесламетры
Основные
параметры
Табл. 9.3
Внешний вид
и габаритные размеры
Рис.: Х-06...Х-96
Схема применения
Рис. 9.6
К нагрузке
6
DA1
R5 3,9K
-
R1 3,3
2
R3
22K
1
B
3
C7
0,1
2
+
R2 3,3
R7
22K
3
2
B1
R20
56K
Вход U
C4
0,1
R4
1K
R10 470K
R21 1,8K
C1
0,68
+
-
3
C5
0,1
R12
9,1K
R15
22K
Баланс
R17 22K
R13
2K
3
C2
0,68
2
R11 470K
3
+
C6
0,1
DA3
6
Выход
R8
22K
2
4
R22
1K
R19 470K
2
R9
1,0
DA5
6
DA2
6
+
+
+
3
-
R6 22K
R14
9,1K
R16
22K
+
DA4
R18
22K
Усиление и смещение
6
+UП (8...18)B
Общий
-UП (8...18)B
R9 22K
L2
Сеть
L1
+
DА1- операционный усилитель типа LF357N;
DА2, DА3, DА5 - операционный усилитель типа LF355;
DА4- операционный усилитель типа TBB458B;
B1- элемент Холла типа KSY10.
Рис. 9.6. . Принципиальная схема измерителя мощности, реализованного с применением элемента Холла
типа KSY13. Схема предназначена для контроля электродвигателей с потребляемой мощностью до 5 кВт и
рекомендована изготовителем элемента Холла – фирмой Siemens (подробнее см. том 1)
Входное
сопротивление, Ом
Выходное
сопротивление, Ом
Ток управления,
мА
Магнитная
чувствительность,
В/Тл
Удельная
магнитная
чувствительность,
В/Тл*А
Остаточное
напряжение (при
В = 0), В/А
Температурный
коэффициент ЭДС
Холла, %/°С
Диапазонрабочих
темпера тур, °С
Максимальные
габаритные
размеры (без
выводов), мм
№№ рисунков
внешнего вида
2200
(тип)
8500
(тип)
2
0,44 (X)
0,44 (Y)
220
±1,5
–0,1
1
–
–40…
+110
2,5×4×
0,5
Х-101
2
2D-VD- Sentron
11F
AG
двухкоординатный
Si
0,25×
0,25 (Х)
0,25×
0,25 (Y)
2200
(тип)
8500
(тип)
2
0,44 (X)
0,44 (Y)
220
±1,5
–0,1
1
–
–40…
+110
0,8×2,5×
0,38
чип
–
3
2D-VD- Sentron
11SO
AG
двухкоординатный
Si
0,25×
0,25 (Х)
0,25×
0,25 (Y)
2200
(тип)
8500
(тип)
2
0,44 (X)
0,44 (Y)
220
±1,5
–0,1
1
–
–40…
+110
4×5×1,75
Х-102
4
3D-Н-10 Sentron
трехкоAG
ординатный
Si
0,1×0,1
(Х)
0,1×0,1
(Y)
0,1×0,1
(Z)
1200
(тип)
30000
(тип)
0,5
0,44 (X)
0,44 (Y)
0,32 (Z)
880
880
640
±6
–0,1
1
–
–40…
+110
1,4×1,4×
0,5
Х-97
5
3D-НSentron
10SO
AG
трехкоординатный
Si
0,1×0,1
(Х)
0,1×0,1
(Y)
0,1×0,1
(Z)
1200
(тип)
30000
(тип)
0,5
0,44 (X)
0,44 (Y)
0,32 (Z)
880
880
640
±6
–0,1
1
–
–40…
+110
4×5×1,75
Х-98
6
5GP-MS19F
Deney
Onci
InSb
н/д
10–30
10–30
10
0,08–3,0
8–300
±1
–2
–
1–2
–20…
+90
н/д
–
7
103SR23
Honeywell
Si
н/д
н/д
н/д
15
(5 В)
0,31
15–20
±(0,2–
0,6)
–
–
1
0…+70
н/д
–
8
632SS2
Honeywell
Si
н/д
н/д
н/д
10
(5 В)
0,31
30–35
±(0,2–
1,0)
–
–
1
0…+70
н/д
–
9
632SS4
Honeywell
Si
н/д
н/д
н/д
10
(5 В)
0,38
32–38
±(0,2–
1,0)
–
–
1
0…+70
н/д
–
Температурный
коэф фициент
сопротивления,
%/°С
Коэффициент
нелинейности, %
Размер
чувствительной
зоны, мм
0,25×
0,25 (Х)
0,25×
0,25 (Y)
Фирма
изготовитель
Si
Тип прибора
2D-VD- Sentron
11
AG
двухкоординатный
№ п/п
1
Страница 17
Таблица 9.3. Основные параметры элементов Холла о, выпускаемых ведущими зарубежными фирмами
Материал МЧЭ
Таблица 9.3. Основные параметры элементов Холла, выпускаемых ведущими зарубежными фирмами
Материал МЧЭ
Размер
чувствительной
зоны, мм
Входное
сопротивление, Ом
Выходное
сопротивление, Ом
Ток управления,
мА
Магнитная
чувствительность,
В/Тл
Удельная
магнитная
чувствительность,
В/Тл*А
Остаточное
напряжение (при
В = 0), В/А
Температурный
коэффициент ЭДС
Холла, %/°С
Диапазонрабочих
темпера тур, °С
Максимальные
габаритные
размеры (без
выводов), мм
№№ рисунков
внешнего вида
Honeywell
Si
н/д
н/д
н/д
5
0,34
70–80
–(2,2–
1,0)
–
–
1
0…+70
н/д
–
11
AG-1
Katsura
Sansho
Ge
н/д
32–48
24–36
15–20
0,05
2,5–3,3
±(0,5–
1,5)
0,02
0,5
0,5
–20…
+100
8×12×0,8
–
12
AG-2
Katsura
Sansho
Ge
н/д
96–144
68–102
10–15
0,15
10–15
±(1,5–
9,5)
0,02
0,5
0,5
–10…
+80
8×10×1,1
–
13
AG-3
Katsura
Sansho
Ge
н/д
100–300 128–192
10–15
0,3
20–30
±(0,5–10)
0,02
0,5
0,5
–10…
+70
8×10×1,1
–
14
AG-4
Katsura
Sansho
Ge
н/д
240–360 160–240
10–15
0,43
29–43
±(0,5–10)
0,02
0,5
0,5
–10…
+60
8×10×1,1
–
15
AG-5
Katsura
Sansho
Ge
н/д
10–15
0,15
10–15
±0,2
0,02
0,5
0,5
–10…
+50
8×12×0,8
–
16
BG-3
Katsura
Sansho
Ge
н/д
240–360 144–216
8–12
0,23
19–29
±(0,5–10)
0,02
0,5
0,5
–10…
+70
4×8×0,6
–
17
BG-4
Katsura
Sansho
Ge
н/д
280–420 176–264
8–12
0,36
30–45
±(0,5–10)
0,02
0,5
0,5
–10..
.+60
4×8×0,6
–
18
AG-200
InAs
1,77×5,3
2,5
2
150
0,11–0,19 0,7–1,3
±0,0006
–0,08
0,15
±1,0
19
BH-201
F. W.
Bell
F. W.
Bell
InAs
0,76×
1,52
3
3
100
0,09–0,15 0,9–1,5
±0,0006
–0,08
0,15
20
BH-202
F. W.
Bell
InAs
1,02×
2,3
3
3
100
0,085–
0,125
0,85–1,25
–
–0,08
0,15
±1,0
–40…
+100
∅ 3,3×4
Х-59
21
BH-203
F. W.
Bell
InAs
1,52×3,8
3
3
100
0,085–
0,125
0,85–1,25
–
–0,08
0,15
±1,0
–40…
+100
∅ 4,9×
4,4
Х-60
22
BH-204
F. W.
Bell
InAs
0,76×
1,52
3
3
100
0,085–
0,137
0,825–
1,37
–
–0,08
0,15
±1,5
–40…
+100
∅ 2,54×4
Х-61
23
BH-205
F. W.
Bell
InAs
1,02×2,3
3
3
125
0,094–
0,156
0,75–1,25
–
–0,08
0,15
±1,0
–40…
+100
2,03×
9,52×
0,38
Х-62
24
BH-206
F. W.
Bell
InAs
1,52×3,8
7
5
200
0,45–0,75 2,25–3,75
–
–0,25
0,2
±2,0
–40…
+100
5,33×14,
5×0,76
Х-63
25
BH-207
F. W.
Bell
InAs
0,76×
1,52
2,7
2,7
150
0,45–0,75 2,25–3,75
–
–0,08
0,15
±1,5
–40…
+100
3,68×12,
7×1,14
Х-64
140
110
Температурный
коэф фициент
сопротивления,
%/°С
Коэффициент
нелинейности, %
Фирма
изготовитель
732SS
21-1
№ п/п
10
–40… 3,3×12,7
+100
×0,48
±1,5 0…+100 3,4×12,7
×0,254
Х-57
Х-58
Страница 18
Прдолжение таблицы 9.1. Основные параметры элементов Холла , выпускаемых ведущими зарубежными
фирмами
Тип прибора
Продолжение таблицы 9.3. Основные параметры элементов Холла , выпускаемых ведущими зарубежными фирмами
Тип прибора
Фирма
изготовитель
Материал МЧЭ
Размер
чувствительной
зоны, мм
Входное
сопротивление, Ом
Выходное
сопротивление, Ом
Ток управления,
мА
Магнитная
чувствительность,
В/Тл
Удельная
магнитная
чувствительность,
В/Тл*А
Остаточное
напряжение (при
В = 0), В/А
Температурный
коэффициент ЭДС
Холла, %/°С
Температурный
коэф фициент
сопротивления,
%/°С
Коэффициент
нелинейности, %
Диапазонрабочих
темпера тур, °С
Максимальные
габаритные
размеры (без
выводов), мм
№№ рисунков
внешнего вида
26
BH-208
F. W.
Bell
InAs
0,51×
1,02
3,5
3,5
100
0,085–
0,125
0,85–1,25
–
–0,08
0,15
±1,5
–40…
+100
∅ 1,6×3,
43
Х-65
27
BH-209
F. W.
Bell
InAs
0,51×
1,02
2,5
3
75
0,081–
0,48
0,64–1,1
–
–0,08
0,15
±1,5
–40…
+100
1,14×4,7
6×0,38
Х-66
28
BH-700
F. W.
Bell
InAs
4,57×
2,03
5,5
5,5
200
0,5
5
±0,0075
–0,2
0,2
3
–40…
+100
5,1×6,35
×0,58
Х-67
29
BH-701
F. W.
Bell
InAs
∅ 1,02
2,2
2,2
100
0,075
0,75
±0,00075
–0,04
0,18
±(0,2
5–
1,0)
–40…
+100
5,97×
15,88×
1,09
Х-70
30
BH-702
F. W.
Bell
InAs
1,27×
1,91
3,5
3,5
200
0,075
0,375
±0,00125
–0,07
0,18
–
–55…
+100
Х-68
31
BH-703
трехкоординатный
F. W.
Bell
InAs
1,52×
3,05 (Х)
1,52×
3,05 (Y)
1,52×
3,05 (X)
3,5
3,5
100
–0,04
0,15
1
–40…
+100
5,08×
5,08×
2,16
∅ 7,24×
19,05
32
BH-704
F. W.
Bell
InAs
∅ 0,787
2,5
2,5
100
0,075
0,75
±0,00075
–0,04
0,18
±(0,2
5–
1,0)
–40…
+100
∅ 6,35×
5,08
Х-69
33
BH-705
F. W.
Bell
InAs
1,52×
3,05
2,2
2,2
100
0,1
1
±0,003
–0,08
0,2
±1,0
–65…
+100
3,18×7,3
×0,51
Х-71
34
BH-706
двухкоординатный
F. W.
Bell
InAs
0,51×
1,02 (Х)
0,51×
1,02 (Y)
3
3
100
±0,001
–0,04
0,15
1
–40…
+100
∅?3,17×
19,05
Х-73
35
BH-850
F. W.
Bell
InSb
–
3,5
3,5
200
0,18
0,9
±0,00095
–0,18
–
–
–50…
+85
11,7×228
×6,35
Х-74
36 BHA-900
F. W.
Bell
InSb
∅ 1,02
1,5
1,5
100
0,0055–
0,011
0,055–
0,11
±0,5
–0,05
±0,15
1
–40…
+100
∅ 7,35×
5,08
Х-75
37 BHA-910
F. W.
Bell
InSb
∅ 1,02
1,5
1,5
100
0,0055–
0,011
0,055–
0,11
±0,5
–0,05
±0,15
0,25
–269…
+100
∅ 7,35×
5,08
Х-75
0,075–0,1 0,075–0,1 ±0,001
0,06–0,09 0,6–0,9
Х-72
Страница 19
Прдолжение таблицы 9.1. Основные параметры элементов Холла , выпускаемых ведущими зарубежными
фирмами
№ п/п
Продолжение таблицы 9.3. Основные параметры элементов Холла , выпускаемых ведущими зарубежными фирмами
Входное
сопротивление, Ом
Выходное
сопротивление, Ом
Токуправления,
мА
Магнитная
чувствительность,
В/Тл
Удельная
магнитная
чувствительность,
В/Тл*А
Остаточное
напряжение (при
В = 0), В/А
Температурный
коэффициент ЭДС
Холла, %/°С
Диапазонрабочих
темпера тур, °С
Максимальные
габаритные
размеры (без
выводов), мм
№№ рисунков
внешнего вида
1,5
1,5
100
0,0055–
0,011
0,055–
0,11
±0,5
0,1
±0,6
1
–269…
+100
∅ 7,35×
5,08
Х-75
39
BHT-900
F. W.
Bell
InSb
∅ 0,508
1,2
1,2
100
0,0055–
0,011
0,055–
0,11
±0,5
–0,05
±0,15
1,5
–40…
+100
5,97×
15,88×
1,09
Х-76
40
BHT-910
F. W.
Bell
InSb
∅ 0,508
1,2
1,2
100
0,0055–
0,011
0,055–
0,11
±0,5
–0,05
±0,15
0,1
–40…
+100
5,97×
15,88×
1,09
Х-76
41
BHT-921
F. W.
Bell
InSb
∅ 0,508
1,2
1,2
100
0,0055–
0,011
0,055–
0,11
±2,0
0,1
±0,6
2
–269…
+100
5,97×
15,88×
1,09
Х-76
42
C4-H
Katsura
Sansho
Ge
н/д
280–420 176–264
6–8
0,23
29–38
–
0,02
0,5
0,5
–10…
+60
3×100×
0,8
–
43
CG-3
Katsura
Sansho
Ge
н/д
200–300 144–216
6–8
0,17
21–28
±(0,5–10)
0,02
0,5
0,5
–10…
+70
3×5×0,6
–
44
CG-4
Katsura
Sansho
Ge
н/д
280–420 176–264
6–8
0,23
29–38
±(0,5–10)
0,02
0,5
0,5
–10…
+60
3×5×0,6
–
45
CYH-21
конц.
Sentron
AG
Si
0,25×0,1
4200
(тип)
14000
(тип)
1
2,5
2500
±2
–0,1
1
–
–40…
+110
1,4×2,0×
0,5
Х-99
46
CYH21SO
конц.
Sentron
AG
Si
0,25×0,1
4200
(тип)
14000
(тип)
1
2,5
2500
±2
–0,1
1
–
–40…
+110
4×5×
1,75
Х-100
47
CS-1
Ge
н/д
600–900 200–300
2–3
0,01
3,3–5
±(1,5–10)
0,02
0,5
0,5
–
DE-8
Ge
н/д
320–480 240–360
7–10
0,4
40–57
±(0,5–10)
0,02
0,5
0,5
–10…
+60
–10…
+60
1×1×1
48
Katsura
Sansho
Katsura
Sansho
8×10×
1,1
–
49
FC-32
Siemens
InAs
2×4
2–4
5–6
100
0,13
1,3
–
–
–
–
–20…
+65
12×6×1,5
Х-04
50
FC-34
Siemens
InAs
6×15
5–6
2–4
200
0,29
1,45
–
–
–
–
–20…
+65
12×6×1,5
Х-05
51
FH 301020
F. W.
Bell
InAs
пленка
1,02×
2,03
20–40
28–120
25
0,1
4
±0,08
–0,1
0,1
±1,0
–55…
+100
2,54×
3,17×
0,51
Х-78
Температурный
коэф фициент
сопротивления,
%/°С
Коэффициент
нелинейности, %
Размер
чувствительной
зоны, мм
∅ 1,02
Фирма
изготовитель
InSb
Тип прибора
F. W.
Bell
№ п/п
38 BHA-921
Страница 20
Прдолжение таблицы 9.1. Основные параметры элементов Холла , выпускаемых ведущими зарубежными
фирмами
Материал МЧЭ
Продолжение таблицы 9.3. Основные параметры элементов Холла , выпускаемых ведущими зарубежными фирмами
Фирма
изготовитель
Материал МЧЭ
Размер
чувствительной
зоны, мм
Входное
сопротивление, Ом
Выходное
сопротивление, Ом
Ток управления,
мА
Магнитная
чувствительность,
В/Тл
Удельная
магнитная
чувствительность,
В/Тл*А
Остаточное
напряжение (при
В = 0), В/А
Температурный
коэффициент ЭДС
Холла, %/°С
Температурный
коэф фициент
сопротивления,
%/°С
Коэффициент
нелинейности, %
Диапазонрабочих
темпера тур, °С
Максимальные
габаритные
размеры (без
выводов), мм
№№ рисунков
внешнего вида
FH 301040
F. W.
Bell
InAs
пленка
1,02×
2,03
40–80
56–240
15
0,12
8
±0,27
–0,1
0,1
±1,0
–55…
+100
2,54×
3,17×
0,51
Х-78
53
FH 301060
F. W.
Bell
InAs
пленка
1,02×
2,03
80–160
160–480
10
0,12
12
±0,6
–0,1
0,1
±1,0
–55…
+100
2,54×
3,17×
0,51
Х-78
54
FH 30120
F. W.
Bell
InAs
н/д
20–160
40–480
25
0,1
4
–
–0,05
–
–
–55…
+100
–
55
FH 301L
F. W.
Bell
InAs
пленка
1,02×
2,03
20–120
40–360
10
0,06
6
±0,4
–0,1
0,1
±1,0
–55…
+100
56
FH 500L
F. W.
Bell
InAs
пленка
1,02×
2,03
20–120
40–360
10
0,06
6
±0,4
–0,1
0,1
±1,0
–55…
+100
57
FH 520
F. W.
Bell
InAs
пленка
1,02×
2,03
20–40
28–120
25
0,1
4
±0,08
–0,1
0,1
±1,0
–55…
+100
58
FH 540
F. W.
Bell
InAs
пленка
1,02×
2,03
40–80
56–240
15
0,12
8
±0,27
–0,1
0,1
±1,0
–55…
+100
59
FH 560
F. W.
Bell
InAs
пленка
1,02×
2,03
80–160
160–480
10
0,12
12
±0,6
–0,1
0,1
±1,0
–55…
+100
60
FH-302
F. W.
Bell
InSb
н/д
30
70
25
0,1
4
±0,2
0,1
0,1
–
–55…
+100
0,51
(толщина)
2,54×
3,17×
0,51
2,54×
3,17×
0,51
(шлейф)
2,54×
3,17×
0,51
(шлейф)
2,54×
3,17×
0,51
(шлейф)
2,54×
3,17×
0,51
20×10×
0,1
61
FА-218
Siemens
InAs
2×45
2–4
5–6
100
0,085
0,85
–
–
–
–
–20…
+90
9×19×
1,0
Х-03
62
FА-22е
Siemens
InAs
2×4
2–4
5–6
150
0,12
1,2
–
–
–
–
–20…
+90
3×100×
0,8
Х-01
63
FА-24
Siemens
InAs
6×13
2–4
5–6
400
0,3
0,75
–
–
–
–
–20…
+90
9×19×
1,0
Х-02
№ п/п
52
Х-78
Х-79
Х-79
Х-79
Х-79
–
Страница 21
Прдолжение таблицы 9.1. Основные параметры элементов Холла , выпускаемых ведущими зарубежными
фирмами
Тип прибора
Продолжение таблицы 9.3. Основные параметры элементов Холла , выпускаемых ведущими зарубежными фирмами
Фирма
изготовитель
Материал МЧЭ
Размер
чувствительной
зоны, мм
Ток управления,
мА
Магнитная
чувствительность,
В/Тл
Удельная
магнитная
чувствительность,
В/Тл*А
Остаточное
напряжение (при
В = 0), В/А
Температурный
коэффициент ЭДС
Холла, %/°С
Диапазонрабочих
темпера тур, °С
Максимальные
габаритные
размеры (без
выводов), мм
№№ рисунков
внешнего вида
GH-600
F. W.
Bell
GaAs
∅ ~3,2
450–900 580–1700
5
0,5–1,4
100–280
±2,8
–0,07
0,15
2
–55…
+125
11,43×
46,4×
1,65
(шлейф)
Х-79
65
GH-601
F. W.
Bell
GaAs
∅ ~3,2
450–900 580–1700
5
0,5–1,4
100–280
±3,2
–0,07
0,15
2
–55…
+125
Х-80
66
GH-700
F. W.
Bell
GaAs
∅ ~1,8
450–900
5
0,5–1,4
100–280
±2,8
–0,07
0,15
2
–55…
+125
14,48×
18,5×
1,52
(шлейф)
1,7×3×
1,3
67
GH-800
F. W.
Bell
GaAs
∅ ~1,8 600–1200 600–1200
5
0,95–1,3 190–260
±4
–0,07
0,15
0,7
–40…
+175
2,3×3,2×
0,7
Х-81
68
GH-810
F. W.
Bell
GaAs
∅ ~1,8
400–700
5
0,22–0,31
44–62
±1
–0,05
0,5
2
–55…
+125
2,8×3,1×
1,6
Х-82
69
GH-820
F. W.
Bell
GaAs
∅ ~1,8
450–900 До 3000
5
0,8–1,9
160–380
±4
–0,06
0,15
2
–55…
+125
2,4×4,0×
1,2
Х-83
70
GH-830
F. W.
Bell
GaAs
∅ ~1,8
450–900
~3000
5
0,65–1,7 130–260
±5
–0,05
0,3
2
–55…
+125
1,5×1,7×
0,6
Х-84
71
GS-3
Katsura
Sansho
Ge
н/д
1200–
1800
400–600
2–3
0,2
67–100
±10
0,02
0,5
0,5
–10…
+60
6×6×6
–
72
H300A
Asahi
InSb
н/д
6
1,2–3,0
200–500
±1,7
–2
–
1–2
н/д
–
73
HE101A
A
Murata
GaAs
гет. эпит.
н/д
1000–
1400
1000–
1400
4–6
1
–
–0,06
0,3
2
–20…
+90
–55…
+125
2,8×2,9×
1,1
Х-06
74
HG106C
Asahi
GaAs
н/д
750
–
8
1,1–1,5
137–187
±1,4
–0,06
0,3
1
–40…
+100
2,9×1,3×
1,1
Х-50
75
HR36
Ohio
Semitronics Inc.
InSb
н/д
1,5
1,5
350
0,35
1
±0,0015
–0,1
–
1
–65…
+85
9,52×
15,86×
0,7
Х-77
76
HR38
Ohio
Semitronics Inc.
InSb
н/д
8
8
25
0,2
8
±0,008
–0,25
–
1
–65…
+85
9,52×
15,86×
0,7
Х-77
~1000
~2000
240–550 240–550
1,1–1,7 275–283
0,25–0,35 250–350
Температурный
коэф фициент
сопротивления,
%/°С
Коэффициент
нелинейности, %
Тип прибора
Выходное
сопротивление, Ом
№ п/п
64
Х-56
Страница 22
Прдолжение таблицы 9.1. Основные параметры элементов Холла , выпускаемых ведущими зарубежными
фирмами
Входное
сопротивление, Ом
Продолжение таблицы 9.3. Основные параметры элементов Холла , выпускаемых ведущими зарубежными фирмами
Фирма
изготовитель
Материал МЧЭ
Размер
чувствительной
зоны, мм
Входное
сопротивление, Ом
Выходное
сопротивление, Ом
Ток управления,
мА
Магнитная
чувствительность,
В/Тл
Удельная
магнитная
чувствительность,
В/Тл*А
Остаточное
напряжение (при
В = 0), В/А
Температурный
коэффициент ЭДС
Холла, %/°С
Диапазонрабочих
темпера тур, °С
Максимальные
габаритные
размеры (без
выводов), мм
№№ рисунков
внешнего вида
HR66
Ohio
Semitronics Inc.
InSb
н/д
5
4
200
0,5
5
±0,005
–0,15
–
1
–65…
+85
5,1×12,7
×0,7
Х-55
78
HR70
Ohio
Semitronics Inc.
InSb
н/д
2
2
200
0,34
1,7
±0,005
–0,1
–
1
–65…
+85
5,1×12,7
×0,7
Х-77
79
HR72
Ohio
Semitronics Inc.
InSb
н/д
9
6
100
0,7
7
±0,02
–0,25
–
1
–65…
+85
5,1×12,7
×0,7
Х-55
80
HR77
Ohio
Semitronics Inc.
InSb
н/д
10
10
100
0,55
5,5
±0,02
–0,25
–
1
–65…
+85
5,1×12,7
×0,7
Х-55
81
HR125A
Ohio
Semitronics Inc.
InSb
н/д
2,5
2
100
0,1
1
±0,005
–0,25
–
1
–65…
+85
5,1×12,7
×0,7
Х-55
82
HGA2010
MagnetPhysik;
Lake
Shore
Cryotr.
GaAs
0,127×
0,127
±2,8
–0,06
0,15
1–2
–20…
+75
4,4×32×
1,52
Х-103
83
HGA3010
MagnetPhysik;
Lake
Shore
Cryotr.
InAs
∅ 0,76
1
1
100–300 0,0056–
0,011
0,056– ±0,0005
0,11
(100 мА)
±0,005
±0,15
–40…
+100
∅
6,3×5,1
Х-104
84
HGA3030
MagnetPhysik;
Lake
Shore
Cryotr.
InAs
∅ 0,76
2
2
100–300 0,06–0,1
0,6–1,0 ±0,00075
(100 мА)
–0,04
0,18
–40…
+100
∅
6,3×5,1
Х-104
0,11–0,28 110–280
(1 мА)
± (1–1,5)
1–10
± (,25–1)
450–900 550–1350
Температурный
коэф фициент
сопротивления,
%/°С
Коэффициент
нелинейности, %
Тип прибора
77
Страница 23
Прдолжение таблицы 9.1. Основные параметры элементов Холла , выпускаемых ведущими зарубежными
фирмами
№ п/п
Продолжение таблицы 9.3. Основные параметры элементов Холла , выпускаемых ведущими зарубежными фирмами
Остаточное
напряжение (при
В = 0), В/А
Температурный
коэффициент ЭДС
Холла, %/°С
100–300 0,0056–
0,011
0,056–
0,11
(100 мА)
±0,002
±0,01
±0,6
86
HGCT3020
MagnetPhysik;
Lake
Shore
Cryotr.
InAs
∅ 1,02
1
1
100–300 0,0056–
0,011
0,056–
0,11
(100 мА)
±0,003
±0,01
±0,6
87
HGT1010
MagnetPhysik;
Lake
Shore
Cryotr.
InAs
∅ 1,02
2
2
100–300
0,77–1,25
(100 мА)
±0,003
–0,08
±0,18
88
HGT2100
MagnetPhysik;
Lake
Shore
Cryotr.
GaAs
0,127×
0,127
±2,8
–0,06
0,15
89
HGT3010
MagnetPhysik;
Lake
Shore
Cryotr.
InAs
∅ 1,02
1
1
100–300 0,0056–
0,011
0,056– ±0,0005
0,11
(100 мА)
±0,005
±0,15
90
HGT3030
MagnetPhysik;
Lake
Shore
Cryotr.
InAs
∅ 1,02
2
2
100–300 0,06–0,1
0,6–1,0 ±0,00075
(100 мА)
–0,04
0,18
0,55–1,4 110–280
(5 мА)
∅
6,3×5,1
Х-104
–268…
+100
6,1×16×
1,1
Х-105
±1,0
–40…
+100
3,3×13×
0,58
Х-106
±1,0
–55…
+125
1,85×
1,65×
0,76
Х-107
–40…
+100
6,1×16×
1,1
Х-105
–40…
+100
6,1×16×
1,1
Х-105
± (1–2)
± (1–2)
±(1–1,5)
5–10
–268…
+100
± (0,25–1)
450–900 550–1350
0,077–
0,125
№№ рисунков
внешнего вида
Удельная
магнитная
чувствительность,
В/Тл*А
1
Максимальные
габаритные
размеры (без
выводов), мм
Выходное
сопротивление, Ом
1
Диапазонрабочих
темпера тур, °С
Входное
сопротивление, Ом
∅ 0,76
Температурный
коэф фициент
сопротивления,
%/°С
Коэффициент
нелинейности, %
Размер
чувствительной
зоны, мм
InAs
Магнитная
чувствительность,
В/Тл
Материал МЧЭ
MagnetPhysik;
Lake
Shore
Cryotr.
Ток управления,
мА
Фирма
изготовитель
HGCA3020
№ п/п
85
Страница 24
Прдолжение таблицы 9.1. Основные параметры элементов Холла , выпускаемых ведущими зарубежными
фирмами
Тип прибора
Продолжение таблицы 9.3. Основные параметры элементов Холла , выпускаемых ведущими зарубежными фирмами
Температурный
коэффициент ЭДС
Холла, %/°С
Температурный
коэф фициент
сопротивления,
%/°С
Коэффициент
нелинейности, %
Диапазонрабочих
темпера тур, °С
Максимальные
габаритные
размеры (без
выводов), мм
№№ рисунков
внешнего вида
±(0,13–
0,2)
–(0,05–
0,15)
–(0,5–
0,2)
–
0…+55
11×40×
46
(h = 0,08)
Х-40
0,4–0,75
20–25
±(0,13–
0,2)
–(0,05–
0,15)
–(0,5–
0,2)
–
0…+55
11×40×
50
(h = 0,2)
Х-41
20
0,36–0,5
18–25
±(0,13–
0,2)
–(0,05–
0,15)
–(0,5–
0,2)
–
0…+55 6×8×0,25
Х-42
35–65
15
6,7–8,2
450–550
±0,33
–(0,06–
0,2)
–(0,6–
0,4)
–
0…+55
6×6×13
Х-38
35–65
35–65
15
1,8–2,7
120–180
±0,33
–(0,06–
0,2)
–(0,6–
0,4)
–
0…+55
6×4×1,9
Х-39
н/д
1,2
1
100
0,25
2,5
±0,005
–0,25
–
1
–65…
+85
9,52×
12,7×
0,63
Х-77
InAs
пленка
1,06×
2,03
30–160
60–360
10–30
0,08–0,15
8–15
±0,6
–0,1
0,1
–
–55…
+185
2,9×3,43
×0,508
б/к
Х-49
Asahi
Kazei
Elec.
GaAs
пленка
н/д
650–850 650–850
5
1,1–1,5
220–300
±2,2
–0,06
0,3
2
–40…
+125
1,5×1,5×
0,65
Х-91
100 HW101A
Asahi
Kazei
Elec.
InSb
пленка
н/д
240–480 240–480
2,5
1,3–3,8 520–1520
±2,8
–0,19
0,03
2
–40…
+110
3,1×1,65
×1,3
Х-93
101 HW105C
Asahi
Kazei
Elec.
InSb
пленка
н/д
360–500 360–500
2,5
0,4–0,74
±2,8
–0,19
0,03
2
–40…
+110
2,9×1,6×
1,1
–
HN22А
ITR
CdHgTe S = 22,5
мм2
60–90
93
HN22В
ITR
CdHgTe S = 22,5
мм2
94
HN44
ITR
95
96
HNG-1
фер.
конц
HNI-1
97
HS55
Ohio
Semitroni
cs Inc.
InSb
98
HS-100
F. W.
Bell
99
HG106C
450–900 550–1350
Удельная
магнитная
чувствительность,
В/Тл*А
20–25
92
0,127×
0,127
Магнитная
чувствительность,
В/Тл
Х-103
HGСA2010
Ток управления,
мА
Остаточное
напряжение (при
В = 0), В/А
Выходное
сопротивление, Ом
4,4×32×
1,52
MagnetGaAs
Physik; гет. эпит.
Lake
Shore
Cryotr.
Размер
чувствительной
зоны, мм
–20…
+75
Материал МЧЭ
±1,0
Фирма
изготовитель
0,15
Тип прибора
–0,06
№ п/п
±2,8
91
1–10
0,11–0,28 110–280
(1 мА)
60–90
20–30
0,4–0,75
60–90
60–90
20–30
CdHgTe S = 1 мм2
35–65
35–65
ITR
CdHgTe S = 1 мм2
35–65
ITR
CdHgTe S = 1 мм2
230
Страница 25
Прдолжение таблицы 9.1. Основные параметры элементов Холла , выпускаемых ведущими зарубежными
фирмами
Входное
сопротивление, Ом
Продолжение таблицы 9.3. Основные параметры элементов Холла , выпускаемых ведущими зарубежными фирмами
Ток управления,
мА
Магнитная
чувствительность,
В/Тл
Удельная
магнитная
чувствительность,
В/Тл*А
Остаточное
напряжение (при
В = 0), В/А
Температурный
коэффициент ЭДС
Холла, %/°С
Диапазонрабочих
темпера тур, °С
Максимальные
габаритные
размеры (без
выводов), мм
№№ рисунков
внешнего вида
400–500 400–500
7,5
0,4–0,58
53–77
±1,1
–0,19
0,03
2
–40…
+125
3,2×2,3×
0,7
Х-51
103
Asahi
Kazei
Elec.
InAs
пленка
н/д
360–420 360–420
10
0,5–0,7
50–70
±1,0
–0,19
0,03
2
–40…
+150
3,2×2,3×
0,7
Х-51
Asahi
Kazei
Elec.
InAs
пленка
н/д
240–480 240–480
7,5
0,38–0,7
51–93
±1,1
–0,19
0,03
2
–40…
+125
2,8×2,45
×0,95
Х-92
0,8–1,6
160–320
±6
–0,05
0,1–0,18
0,2
–40…
+150
2,9×1,4×
1,1
Х-07
Х-06
0,1–0,18 0,20,7
–40…
+150
∅–3,0×1
Х-07
HZ302
104 HZ302C
Температурный
коэф фициент
сопротивления,
%/°С
Коэффициент
нелинейности, %
Размер
чувствительной
зоны, мм
Выходное
сопротивление, Ом
Материал МЧЭ
н/д
Фирма
изготовитель
InAs
пленка
Тип прибора
Asahi
Kazei
Elec.
№ п/п
102 HZ106A
105
KS113
Siemens
GaAs
0,2×0,2 900–1200 900–1200
гет. эпит.
5
106
KSY10
Siemens
GaAs
0,2×0,2 900–1200 900–1200
гет. эпит.
5–7
0,85–1,6 170–230
±5
–0,05
107
KSY13
Siemens
GaAs
0,2×0,2 900–1200 900–1200
гет. эпит.
5–7
0,95–1,45 190–290
±6
–0,05
0,08
–
–40…
+150
3×1,2×
1,05
Х-08
108
KSY14
Siemens
GaAs
0,2×0,2 900–1200 900–1200
гет. эпит.
5
0,75–1,15 150–230
±5
–(0,03–
0,07)
0,1–0,18
2
–40…
+150
2,3×3,2×
0,7
Х-53
109
KSY16
Siemens
GaAs
0,2×0,2 900–1200 900–1200
гет. эпит.
5
0,95–1,3 190–260
±5
–(0,03–
0,07)
0,1–0,18 0,2–
0,7
–40…
+150
2,9×1,6×
1,1
Х-50
110
KSY20
Siemens
GaAs
0,2×0,2 430–650 100–1500
гет. эпит. (2 элем.)
15–40
0,75–1,25
±5
–0,05
0,08
–
–40…
+150
4×3,0×
0,8
Х-09
111
KSY44
Siemens
GaAs
гет. эпит.
112
KSY46
Siemens
GaAs
0,2×0,2
гет. эпит.
0,35×
0,35
31–50
600–900
1000–
1500
7
1,05–1,85 150–265
±2,1
–0,03
±0,3
±(0,2
–0,7)
–40…
+150
3,2×2,3×
0,7
Х-51
600–900
1000–
1500
5
1,05–1,6 210–320
±2,1
–0,03
±0,3
±(0,2
–0,7)
–40…
+150
2,9×1,6×
1,1
Х-50
113 LPH1002 Pioneer
GaAs
0,5×1,0
A
Precision гет. эпит.
Mach. Co
200–400 200–400
5
0,7–1,1
140–220
±3
–2
–2
1
–40…
+125
1,55×0,9
×0,35
б/к
Х-90
114 LPH1002 Pioneer
GaAs
0,5×1,0
B
Precision гет. эпит.
Mach. Co
200–400 200–400
5
1,0–1,4
200–260
±3
–2
–2
1
–40…
+125
1,55×0,9
×0,35
б/к
Х-90
Страница 26
Прдолжение таблицы 9.1. Основные параметры элементов Холла , выпускаемых ведущими зарубежными
фирмами
Входное
сопротивление, Ом
Продолжение таблицы 9.3. Основные параметры элементов Холла , выпускаемых ведущими зарубежными фирмами
Размер
чувствительной
зоны, мм
Ток управления,
мА
Магнитная
чувствительность,
В/Тл
Остаточное
напряжение (при
В = 0), В/А
Температурный
коэффициент ЭДС
Холла, %/°С
Диапазонрабочих
темпера тур, °С
Максимальные
габаритные
размеры (без
выводов), мм
№№ рисунков
внешнего вида
н/д
600–800 600–800
7–10
0,84–1,3 120–130
–
–0,06
0,3
2
–55…
+125
1,5×2,9×
1,1
Х-10
116 LT110A
серия
Sharp
GaAs
гет. эпит.
н/д
600–800 600–800
7–10
0,84–1,3 120–130
–
–0,06
0,3
2
–20…
+125
б/к
–
117
Sharp
GaAs
гет. эпит.
н/д
650–950
1300–
1900
6–9
0,87–1,57 145–175
–
–0,06
0,3
2
–55…
+125
1,5×2,9×
1,1
Х-10
118 LT120A
серия
Sharp
GaAs
гет. эпит.
н/д
650–950
1300–
1900
6–9
0,87–1,57 145–175
–
–0,06
0,3
2
–20…
+125
б/к
–
119
Sharp
GaAs
гет. эпит.
н/д
600–1000 До 5000
6–7
2,28–3,08 380–440
–
–0,06
0,3
2
–55…
+125
1,5×2,9×
1,1
Х-10
120 LT130A
серия
Sharp
GaAs
гет. эпит.
н/д
600–1000 До 5000
6–7
2,28–3,08 380–440
–
–0,06
0,3
2
–20…
+125
б/к
–
121
LT130S
серия
Sharp
GaAs
гет. эпит.
н/д
600–1000 До 5000
6–7
2,28–3,08 380–440
–
–0,06
0,3
2
–55…
+125
1,5×2,9×
1,1
и б/к
Х-11
122
LT135S
серия
Sharp
GaAs
гет. эпит.
н/д
600–1000 До 5000
7,5
240–370
±2
–0,03
0,2
2
–55…
+125
2,9×1,5×
1,1
Х-06
123
LT140
серия
Sharp
GaAs
гет. эпит.
н/д
650–950
1300–
1900
6–9
0,87–1,58 145–175
–
–0,06
0,3
2
–55…
+125
Х-12
124 LT140A
серия
Sharp
GaAs
гет. эпит.
н/д
650–950
1300–
1900
6–9
0,87–1,58 145–175
–
–0,06
0,3
2
–20…
+125
125
LT140S
серия
Sharp
GaAs
гет. эпит.
н/д
650–950
1300–
1900
6–9
0,87–1,58 145–175
–
–0,06
0,3
2
–55…
+125
1,45×
1,45×
0,6
1,45×
1,45×
0,6
и б/к
1,45×
1,45×0,6
126
LT150
серия
Sharp
GaAs
гет. эпит.
н/д
600–1000 До 5000
6–7
1,68–2,1 280–300
–
–0,03
0,3
2
–55…
+125
1,45×
1,45×0,6
и б/к
Х-12
127 LT170A
Sharp
GaAs
гет. эпит.
н/д
650–950
6–9
–
–0,06
0,3
2
–20…
+85
DCC-N
–
128
MatsuGaAs
shita гет. эпит.
н/д
500–1500 500–1500
–0,06
0,3
1–2
–55…
+125
1,5×2,9
Х-10
LT120
серия
LT130
серия
OH001
1300–
1900
4–12
1,8–2,8
1,6
170–270
0,09–1,35 22,5–112 ±(13–20)
Температурный
коэф фициент
сопротивления,
%/°С
Коэффициент
нелинейности, %
Материал МЧЭ
GaAs
гет. эпит.
Удельная
магнитная
чувствительность,
В/Тл*А
Фирма
изготовитель
Выходное
сопротивление, Ом
Тип прибора
Sharp
№ п/п
LT110
серия
115
Х-12
Х-13
Страница 27
Прдолжение таблицы 9.1. Основные параметры элементов Холла , выпускаемых ведущими зарубежными
фирмами
Входное
сопротивление, Ом
Продолжение таблицы 9.3. Основные параметры элементов Холла , выпускаемых ведущими зарубежными фирмами
Выходное
сопротивление, Ом
Ток управления,
мА
Магнитная
чувствительность,
В/Тл
Удельная
магнитная
чувствительность,
В/Тл*А
Остаточное
напряжение (при
В = 0), В/А
Температурный
коэффициент ЭДС
Холла, %/°С
Диапазонрабочих
темпера тур, °С
Максимальные
габаритные
размеры (без
выводов), мм
№№ рисунков
внешнего вида
1500–
5000
1
1,3–1,58
1300–
1600
±(6–8)
–0,06
0,3
2
–30…
+125
1,7×3×
1,3
Х-56
130
OH003
HR
MatsuGaAs
shita гет. эпит.
н/д
500–850
1500–
5000
1
1,42–1,7
1400–
1700
±(7–8,5)
–0,06
0,3
2
–30…
+125
1,7×3×
1,3
Х-56
131
OH003
IQ
MatsuGaAs
shita гет. эпит.
н/д
500–850
1500–
5000
1
1,3–1,58
1300–
1600
+(2,6–19)
–0,06
0,3
2
–30…
+125
1,7×3×
1,3
Х-56
132
OH003
IR
MatsuGaAs
shita гет. эпит.
н/д
500–850
1500–
5000
1
1,42–1,7
1400–
1700
+(2,8–21)
–0,06
0,3
2
–30…
+125
1,7×3×
1,3
Х-56
133
OH003
KQ
MatsuGaAs
shita гет. эпит.
н/д
500–850
1500–
5000
1
1,3–1,58
1300–
1600
–(2,6–19)
–0,06
0,3
2
–30…
+125
1,7×3×
1,3
Х-56
134
OH003
KR
MatsuGaAs
shita гет. эпит.
н/д
500–850
1500–
5000
1
1,42–1,7
1400–
1700
–(2,8–21)
–0,06
0,3
2
–30…
+125
1,7×3×
1,3
Х-56
135 OH008A
фер.
конц.
136 OH008B
фер.
конц.
MatsuGaAs
shita гет. эпит.
н/д
500–750
1500–
5000
1
0,8–1,3 800–1300 –(7–12)
+(15–25)
–0,06
0,3
2
–30…
+125
1,5×1,5×
0,8
Х-88
MatsuGaAs
shita гет. эпит.
н/д
500–750
1500–
5000
1
0,8–1,3 800–1300
–(1,6–
2,6) +(9–
16)
–0,06
0,3
2
–30…
+125
1,5×1,5×
0,8
Х-88
137 OH008C
фер.
конц.
138 OH008D
фер.
конц.
MatsuGaAs
shita гет. эпит.
н/д
500–750
1500–
5000
1
0,8–1,3 800–1300
±(4–7)
–0,06
0,3
2
–30…
+125
1,5×1,5×
0,8
Х-88
MatsuGaAs
shita гет. эпит.
н/д
500–750
1500–
5000
1
0,8–1,3 800–1300
–(1,6–
2,6) +(9–
16)
–0,06
0,3
2
–30…
+125
1,5×1,5×
0,8
Х-88
139 OH008E
фер.
конц.
140 OH009A
MatsuGaAs
shita гет. эпит.
н/д
500–750
1500–
5000
1
0,8–1,3 800–1300 –(7–24)
–0,06
0,3
2
–30…
+125
1,5×1,5×
0,8
Х-88
MatsuGaAs
shita гет. эпит.
н/д
500–750
1700–
5000
1
0,8–1,3 800–1300 –(7–12)
+(15–25)
–0,06
0,3
2
–30…
+125
1,7×3×
1,3
Х-56
141 OH009B
MatsuGaAs
shita гет. эпит.
н/д
500–750
1700–
5000
1
0,8–1,3 800–1300
–(1,6–
2,6) +(9–
16)
–0,06
0,3
2
–30…
+125
1,7×3×
1,3
Х-56
142 OH009C
MatsuGaAs
shita гет. эпит.
н/д
500–750
1700–
5000
1
0,8–1,3 800–1300
±(4–7)
–0,06
0,3
2
–30…
+125
1,7×3×
1,3
Х-56
Температурный
коэф фициент
сопротивления,
%/°С
Коэффициент
нелинейности, %
Входное
сопротивление, Ом
500–850
Материал МЧЭ
н/д
Фирма
изготовитель
PanasoGaAs
nic
гет. эпит.
Тип прибора
OH003
HQ
№ п/п
129
Страница 28
Прдолжение таблицы 9.1. Основные параметры элементов Холла , выпускаемых ведущими зарубежными
фирмами
Размер
чувствительной
зоны, мм
Продолжение таблицы 9.3. Основные параметры элементов Холла , выпускаемых ведущими зарубежными фирмами
Остаточное
напряжение (при
В = 0), В/А
Температурный
коэффициент ЭДС
Холла, %/°С
Диапазонрабочих
темпера тур, °С
Максимальные
габаритные
размеры (без
выводов), мм
№№ рисунков
внешнего вида
–(1,6–
2,6)
+(9–16)
–0,06
0,3
2
–30…
+125
1,7×3×
1,3
Х-56
144 OH009E
MatsuGaAs
shita гет. эпит.
н/д
500–750
1700–
5000
1
0,8–1,3 800–1300 –(7–24)
–0,06
0,3
2
–30…
+125
1,7×3×
1,3
Х-56
145
OH017
MatsuGaAs
shita гет. эпит.
н/д
1500–
3000
5000–
10000
0,1
0,7–1,1
7000–
11000
±95
–0,06
0,3
2
–10…
+125
1,7×3×
0,6
Х-89
146
OH023
MatsuGaAs
shita гет. эпит.
н/д
1500–
3000
5000–
10000
0,1
0,7–1,1
7000–
11000
±95
–0,06
0,3
2
–10…
+125
1,7×3×
1,3
Х-56
Температурный
коэф фициент
сопротивления,
%/°С
Коэффициент
нелинейности, %
Удельная
магнитная
чувствительность,
В/Тл*А
0,8–1,3 800–1300
Магнитная
чувствительность,
В/Тл
Выходное
сопротивление, Ом
1
Ток управления,
мА
Входное
сопротивление, Ом
1700–
5000
Материал МЧЭ
500–750
Фирма
изготовитель
н/д
Тип прибора
MatsuGaAs
shita гет. эпит.
№ п/п
143 OH009D
147 RHY-10 Siemens
InAs
н/д
2
1,6
100
0,07
0,5–0,7
±0,0025
–0,1
0,2
1
–20…
+90
∅
3,6×5,1
Х-15
148 RHY-11 Siemens
InAs
н/д
3
2,6
150
0,105
0,5–0,7
±0,002
–0,1
0,2
1
–20…
+90
Х-16
149 RHY-15 Siemens
InSb
6,5×0,2
30
30
50–60
120 мВ
при
2*10-7 Вб
–
±5 мВ
при
2*10-3 Вб
0,2
–1,5
2
–20…
+65
∅
3,6×5,1
6,5×6,5
×6,5
150 RHY-17 Siemens
InAs
пленка
3,0×1,5
30
30
60–110
0,3–0,66
5–6
±0,033
–0,1
0,1
–
–269…
+80
9×0,4×
0,5
Х-18
151 RHY-18 Siemens
InAs
1,4×0,7
30
30
35–70
0,32–0,42 4,3…6,0
±0,057
–0,1
0,1
–
–269…
+80
∅ 4,0×8
Х-19
152 RHY-20 Siemens
феррит.
концентр
InSb
6,5×0,2
30
30
50–60
121 мВ
при
2*10-7 Вб
–
±5 мВ
при
2*10-3 Вб
–1,5
–2
–
–
20…+65
6,5×6,5
×6,5
Х-20
2,9–11
580–2200
±4
–1,8
–1,8
–
–40…
+110
2,7×2,35
×0,95
Х-85
±4
–1,8
–1,8
–
–40…
+110
1,55×2,9
×1,3
Х-56
±3,2
–1,8
–1,8
–
–40…
+110
1,25×2,1
×0,65
Х-86
±4
–1,8
–1,8
–
–40…
+110
1,55×2,9
×1,3
Х-87
±0,3
–0,1
0,1
–
–20…
+100
3,1×3,1×
0,7
Х-24
153
SH-400
F. W.
Bell
InSb
пленка
н/д
240–550 240–550
5
154
SH-410
F. W.
Bell
InSb
пленка
н/д
240–550 240–550
5
2,9–17,6 580–3500
155
SH-420
F. W.
Bell
InSb
пленка
н/д
240–550 240–550
5
1,0–3,3
156
SH-430
F. W.
Bell
InSb
пленка
н/д
240–550 240–550
5
2,9–17,6 580–3500
InAs
пленка
н/д
157 SV 200C Siemens
60
60
20–40
0,2–0,4
200–660
10
Х-17
Страница 29
Прдолжение таблицы 9.1. Основные параметры элементов Холла , выпускаемых ведущими зарубежными
фирмами
Размер
чувствительной
зоны, мм
Продолжение таблицы 9.3. Основные параметры элементов Холла , выпускаемых ведущими зарубежными фирмами
Фирма
изготовитель
Материал МЧЭ
Размер
чувствительной
зоны, мм
Входное
сопротивление, Ом
Выходное
сопротивление, Ом
Ток управления,
мА
Магнитная
чувствительность,
В/Тл
Удельная
магнитная
чувствительность,
В/Тл*А
Остаточное
напряжение (при
В = 0), В/А
Температурный
коэффициент ЭДС
Холла, %/°С
Диапазонрабочих
темпера тур, °С
Максимальные
габаритные
размеры (без
выводов), мм
№№ рисунков
внешнего вида
SV 231
Siemens
InAs
пленка
4,0×0,8
25–50
15–50
100–200
0,7–1,4
7
±0,1
–0,1
0,1
–
–50…
+160
9,0×20×
1,0
Х-25
159
SV-110
Siemens
InAs
пленка
н/д
3
1,5
100
0,085
0,85
±0,005
–0,1
0,2
–
–20…
+90
2×0,5×
0,15
–
160
SV200
Ш
Siemens
InAs
2,0×1,0
50–80
50–80
25
0,2
8
±0,3
–0,1
0,1
–
–20…
+65
3×3×0,65
Х-22
161
SV200
Ш
Siemens
InAs
2,0×1,0
50–80
50–80
25
0,2
8
±0,3
–0,1
0,1
–
–20…
+65
3×3×0,65
Х-23
162
SV200
Ш chip
Siemens
InAs
2,0×1,0
50–80
50–80
25
0,2
8
±0,3
–0,1
0,1
–
–20…
+65
3×3×0,65
Х-21
163 SVB 525 Siemens
InAs
1,0×2,0
3–20
–
100
0,97
9,7
±0,0025
–0,1
0,2
1
26×3,2
Х-26
164 SVB 566 Siemens
фер. кон.
InAs
0,9×0,9
20–55
20–55
10–50
1,3
130
(10 мА)
±1
–1,5
–2
1,5
–20…
+90
–20…
+65
2,4×2,4×
0,8
Х-27
165 SVB 570 Siemens
InAs
0,9×0,9
20–55
20–55
25
0,25
10
±1
–1,5
–2
1,5
InAs
н/д
1,8
1,8
100
0,11
1,1
±0,001
0,05
0,2
–
2,5×2,5×
0,8
1,6×1,6×
0,15
Х-28
166 SVB 579 Siemens
–20…
+65
–20…
+80
167 SVB 599 Siemens
InAs
1,0×2,5
–
–
50
0,25
5
–
–
–
–
–20…
+80
4,5×8,0×
0,8
Х-29
168 SVB 603 Siemens
InAs
1,0×1,0
6,5
50–1000
50
0,21
4,2
±0,003
–0,1
0,2
0,4
InAs
1,0×1,0
6,5
50–1000
50–70
0,21–0,29
4,2
±0,003
–0,1
0,2
0,4
6,0×9,0×
0,8
3,0×100×
0,8
Х-30
169 SVB 604 Siemens
–20…
+80
–20…
+80
170 SVB 613 Siemens
InAs
1,0×1,0
6,5
50–1000
70
0,21
4,2
±0,003
–0,1
0,2
0,4
InAs
1,0×1,0
1,5
10–100
250
0,12
0,48
±0,0004
–0,01
0,2
0,2
172 SVB 620 Siemens
InAs
1,0×1,0
1,5
10–100
80
0,6
7,5
–
–
–
0,2
6,0×9,0×
0,8
6,0×9,0×
0,8
6,0×9,0×
0,6
Х-30
171 SVB 614 Siemens
–25…
+70
–20…
+80
–20…
+160
173
InAs
4,0×0,2
1,2
1,2
0,6
±0,02
–0,1
0,2
1,5
–20…
+90
6,0×12×
2,0
Х-37
TC-21
Siemens
150–200 0,09–0,12
Температурный
коэф фициент
сопротивления,
%/°С
Коэффициент
нелинейности, %
Тип прибора
158
–
Х-31
–
Х-32
174 THS101
Toshiba
GaAs
Corp. гет. эпит.
н/д
150–600 150–600
5
0,14–1,0
28–200
±(2,8–
2,5)
–0,06
0,2
1–2
–55…
+125
н/д
–
175 THS117
Toshiba
GaAs
Corp. гет. эпит.
н/д
650–750 650–750
5
0,6–1,4
120–280
±2
–0,06
–
2
–40…
+125
2,6×1,9×
1,1
Х-06
Страница 30
Прдолжение таблицы 9.1. Основные параметры элементов Холла , выпускаемых ведущими зарубежными
фирмами
№ п/п
Продолжение таблицы 9.3. Основные параметры элементов Холла , выпускаемых ведущими зарубежными фирмами
Магнитная
чувствительность,
В/Тл
Удельная
магнитная
чувствительность,
В/Тл*А
Остаточное
напряжение (при
В = 0), В/А
Температурный
коэффициент ЭДС
Холла, %/°С
Диапазонрабочих
темпера тур, °С
Максимальные
габаритные
размеры (без
выводов), мм
№№ рисунков
внешнего вида
120–280
±2
–0,06
–
2
–40…
+125
2,9×1,3×
1,1
Х-50
177 THS119
Toshiba
GaAs
Corp. гет. эпит.
н/д
650–750 650–750
5
0,6–1,4
120–280
±2
–0,06
–
2
–40…
+125
4×2,3×
2,2
Х-53
178 THS121
Toshiba
GaAs
Corp. гет. эпит.
н/д
650–750 650–750
5
0,79–1,9 158–380
±2,7
–0,06
–
2
–40…
+125
2,6×1,9×
1,1
Х-06
179 THS122
Toshiba
GaAs
Corp. гет. эпит.
н/д
650–750 650–750
5
0,79–1,9 158–380
±2,7
–0,06
–
2
–40…
+125
2,9×1,3×
1,1
Х-50
180 THS123
Toshiba
GaAs
Corp. гет. эпит.
н/д
650–750 650–750
5
0,79–1,9 158–380
±2,7
–0,06
–
2
–40…
+125
4×2,3×1,
2
Х-53
181 THS124
Toshiba
GaAs
Corp. гет. эпит.
н/д
1100–
1400
1100–
1400
1
1,3–1,7
1300–
1700
±15
–0,06
–
2
–40…
+125
2,6×1,9×
1,1
Х-06
182 THS125
Toshiba
GaAs
Corp. гет. эпит.
н/д
1100–
1400
1100–
1400
1
1,3–1,7
1300–
1700
±7,5
–0,06
–
2
–40…
+125
1,7×1,5×
0,6
Х-50
183 THS126
Toshiba
GaAs
Corp. гет. эпит.
н/д
1100–
1400
1100–
1400
1
1,3–1,7
1300–
1700
±7,5
–0,06
–
2
–40…
+125
4×2,3×
1,2
Х-53
184 THS128
Toshiba
GaAs
Corp. гет. эпит.
н/д
1800–
2200
1800–
2200
1
1,3–1,7
1300–
1700
±15
–0,06
–
2
–40…
+125
2,6×1,9×
1,1
Х-06
185 THS129
Toshiba
GaAs
Corp. гет. эпит.
н/д
1800–
2200
1800–
2200
1
1,3–1,7
1300–
1700
±15
–0,06
–
2
–40…
+125
1,7×1,5×
0,6
Х-50
186 THS130
Toshiba
GaAs
Corp. гет. эпит.
н/д
1800–
2200
1800–
2200
1
1,3–1,7
1300–
1700
±15
–0,06
–
2
–40…
+125
4×2,3×
1,2
Х-53
187
UGN
3600M
Sprague
Si
н/д
н/д
н/д
5,0 В
0,4
–
–
–
–
1
0…+70
6,5×10×
2,2
Х-94
188
UGN
3601K
Sprague
Si
н/д
н/д
н/д
5,0 В
0,6
–
–
–
–
1
0…+70
6,5×10×
2,2
Х-94
189
UGN
3604K
Sprague
Si
н/д
н/д
н/д
5,0 В
0,4
–
–
–
–
1
0…+70
8,5×10×
2,2
Х-95
Температурный
коэф фициент
сопротивления,
%/°С
Коэффициент
нелинейности, %
Ток управления,
мА
Выходное
сопротивление, Ом
0,6–1,4
Размер
чувствительной
зоны, мм
5
Материал МЧЭ
650–750 650–750
Фирма
изготовитель
н/д
Тип прибора
Toshiba
GaAs
Corp. гет. эпит.
№ п/п
176 THS118
Примечание 1. Приборы обозначенные как двух- или трехкоординатные, предназначены для применения в составе двух- или трехкомпонентных
(двух- или трехосевых) магнитометров. Они предназначены для использования в составе датчиков, регистрирующих магнитное поле, направленное
вдоль соответствующих осей (например, X, Y, Z).
Примечание 2. Сведения, приведенные в таблице, получены путем обобщения и экстраполяции данных из доступных иностранных источников.
Поэтому они могут служить только для ориентировочной оценки соответствующих параметров приборов до появления более достоверных сведений.
Страница 31
Прдолжение таблицы 9.1. Основные параметры элементов Холла , выпускаемых ведущими зарубежными
фирмами
Входное
сопротивление, Ом
Продолжение таблицы 9.3. Основные параметры элементов Холла , выпускаемых ведущими зарубежными фирмами
Страница 32
9.3. Внешний вид и габаритные размеры элементов Холла
Х-01
Х-05
Активная зона
3
6,0
12
3,0
Активная зона
15
45
100
1,5
0,8
2
Х-02
22
100
1,9
1,1
Х-06
SOT-143
6,0
B
2,8
1,9
9,0
Активная зона
13
3
1,0
1
2,9
100
19
Х-07
∅3
1,0
Х-03
Активная зона
1
4
3
2
5
0,5
1
7
120
1,27
0,6
2,0
3,2
5,5
11
Х-04
Х-08
1,9
1,5
1,9
3
2,8
2,0
Активная зона
6,0
1,1
4
12
100
2,9
Внешний вид и габаритные размеры элементов Холла: Х-04...Х-08
B
Страница 33
Внешний вид и габаритные размеры элементов Холла: Х-09...Х-16
Х-09
Х-13
0,6
В
1,45
B
1,45
Х-10
Х-14
1,1
0,7
12
2,1
4
3
2
0,4x0,2
2,9
1
B
1,27 x 3
3
1,5
В
Х-15
Х-11
1,1
Активная зона
1,5
В
2,9
Х-12
0,6
Активная зона
1,45
В
1,45
Внешний вид и габаритные размеры элементов Холла: Х-09...Х-16
Х-16
Страница 34
Внешний вид и габаритные размеры элементов Холла: Х-17...Х-24
Х-17
Х-21
1
2
3
4
0,65
3,0
100
3,0
0,65
0,5
3 x 1,5
4,3
Активная зона
Х-22
2
Х-18
9
Х-23
Х-19
0,9
Активная зона
0,7
1
4
2,4
B
2
1,4
21,5
7,5
0,5
12,1
Х-20
Х-24
Активная зона
3,1
2 х ∅ 0,1 Cu
2 х ∅ 0,1 Cu
0,7
4,0
3
3,0
8
100
Внешний вид и габаритные размеры элементов Холла: Х-17...Х-24
Страница 35
Внешний вид и габаритные размеры элементов Холла: Х-25...Х-32
Х-29
Х-25
Активная зона
4x8
4,5
9
Активная зона
1 х 2,5 мм
2
120
180
8
1,0
0,5
0,8
26
Х-26
Х-30
Активная зона
1x1
2 х 0,15 Cu
2 х 0,15 Cu
6
2,0
3,2
Активная зона
1x 2
3,7
20
6
180
9,0
0,8
0,3
1,2
0,5
Х-31
0,9
Х-27
1
Активная зона
1x1
2,4
4
3
2
2,5
2
7,5
12,1
0,8
0,8
Феррит
Феррит
45
100
0,9
Х-28
Х-32
0,9
Активная зона
4
2 х 0,1 Cu
2 х 0,1 Cu
6
3
1 x 1 мм
2,4
1
2
2,5
7,5
12,1
0,6
0,8
3,7
9,0
120
B
Внешний вид и габаритные размеры элементов Холла: Х-25...Х-32
Страница 36
Внешний вид и габаритные размеры элементов Холла: Х-33...Х-40
Х-33
Х-37
1,4
4
0,1
+В
2,0
0,51
100
12
Х-38
Х-34
13
HNG-1
6
6
3,3
+
Активная зона
Активная зона
240 min
6
13 max
3,17
Х-35
Х-39
Х-36
Х-40
2,5
1,65
1,85
0,76
+B
Внешний вид и габаритные размеры элементов Холла: Х-33...Х-40
Страница 37
Внешний вид и габаритные размеры элементов Холла: Х-41...Х-48
Х-41
Х-45
ДХК-0,5
Х-42
0,25
6
2,0
Х-46
1,5
B
27 min
3,0
8
HN44
∅ 0,2
5,0
ДПМ-1
Х-43
4,2
2,5
0,12
Х-47
2,0
B
10 min
4,1
1,0
∅ 2,5
1,5
10
0,7
0,5 0,1
ДХК-0,5А
ПХИ-314
Х-44
Активная зона
Х-48
3
B
+
1,5 max
0,2
2,5 2,5
5 max
2,5
3,5х2,25
ДХК-12ПК
15 max
50 min
5
ПХЭ
Внешний вид и габаритные размеры элементов Холла: Х-41...Х-48
0,8
Страница 38
Внешний вид и габаритные размеры элементов Холла: Х-49...Х-56
Х-49
0,51
В
SOH
4
3,2
1
2,9
Активная
зона
1,02 х 2,03 мм
1,27x3
3,4
SMT
1
4
2
B
4
3
SOH
0,4
0,5
3
ПХИ 313
Х-51
Х-55
B
0,5
11,7 мин.
0,5
3,0
1,1
0,3
B
∅-1,0
1,3
1
Х-54
0,1
2
1,9
5
1,9
1,9
0,08...0,15
2,6 макс.
6
2,3
Х-50
2,9
1,9
0,6
Х-53
11,7 мин.
∅ 0,1 Сu
2 макс.
1
3,2
14
1,27x3
4
2,3
100 мин.
3,2 макс.
ПХЭ 605 118
Х-52
2,3
1
3
2
0,4
4
B
1,3 макс.
1
3,2
44
1,27x3
4
Х-56
3,0 макс.
1,7 макс.
0,16
11,7 мин.
3,1 макс
1,9
SOH
Внешний вид и габаритные размеры элементов Холла: Х-49...Х-56
Страница 39
Внешний вид и габаритные размеры элементов Холла: Х-57...Х-64
Активная зона
Активная зона
3,3
1,77
0,72 x 1,54
Β
0,48
5,3
12,7
∅ 2,54
254
4
254
Х-58
Х-62
Активная зона
Активная зона
2,03
0,76
3,3
1,02 х 2,3
12,7
0,38
0,254
1,52
254
9,52
254
Х-63
Х-59
Активная зона
Активная зона
3,8 x 1,52
5,33
1,02 x 2,3
B
∅ 3,3
254
0,76
4
14,5
254
Активная зона
1,52 x 0,76
Активная зона
3,68
1,52 x 3,8
∅ 4,9
4,4
254
1,14
B
12,7
254
Внешний вид и габаритные размеры элементов Холла: Х-57...Х-64
Страница 40
Внешний вид и габаритные размеры элементов Холла: Х-65...Х-72
Активная зона
Активная зона
∅ 0,78
0,508 x 1,02
B
B
∅ 1,6
∅ 6,35
254
3,43
5,1
254
Х-66
Х-70
Активная зона
Активная зона
1,09
0,38
1,14
5,97
0,51 x 1,02
254
4,76
Активная зона
6,35
0,58
15,88
Х-67
Х-71
Активная
зона
B
B
5,08
254
190,5
4,57x2,03
Активная зона
1,52х3,05(Y)
1,52х3,05(X)
1,52х3,05(Z)
Активная зона
1,91 x 1,27
12-ти проводный кабель
6,6
5,08
B
2,16
5,08
190,5
∅ 7,24
12,7
19,05
Внешний вид и габаритные размеры элементов Холла: Х-65...Х-72
508
Страница 41
Внешний вид и габаритные размеры элементов Холла: Х-73...Х-80
1,52х3,05(X)
1,52х3,05(Y)
0,508
Активная зона
8-ми проводный кабель
B
Активная зона
3,2
1,02 x 2,04
190,5
2,54
12,7
∅ 3,17
508
19,05
0,254
+В
Х-78
0,635
6,35
Х-74
B
0,635
1,02 x 2,04
87,3
2,54
228,6
7,1
187
3,43
11,7
Активная зона
Х-75
Активная зона
2,54x3
B
11,43
Активная зона
∅ 0,58
0,25
1,65
Х-79
8
Β
254 мин.
5,1
46,4
4,2
4,2
Активная зона
1,52
15,88
0,51
254
3,8
1,09
14,48
4,47
5,97
18,5
Активная зона
0,635
2,54x4
Внешний вид и габаритные размеры элементов Холла: Х-73...Х-80
0,63
∅ 6,35
Страница 42
Внешний вид игабаритные размеры элементов Холла: Х-81...Х-88
B
2,35
B
12
15
2,3
0,95
2,7
0,7
3,2
0,3x0,2
0,4 x 0,2
1
1
1x3
1,27x3
1,6
2,8
Х-82
Х-86
2,1 макс.
1,25
1
3
2
0,3
1,3
4
12
2,1 макс
3,1
B
0,3x0,2
1
1x3
4
0,1
0,6 макс.
B
1,3 макс.
Х-83
1,2
2,3
B
1
В
1,55
2,9
12
7
2
3
4
0,4x0,25
0,4 х 0,1
1
1,9
1x3
1
0,36
1,0
1,7
2
1,5 макс.
0,9
1,5
0,6
4
3
4
3
1
2
1,5 макс.
3 макс.
0,8
B
0,6
0,5 0,3
0,2
B
2,5
∅ 1,0
Внешний вид и габаритные размеры элементов Холла: Х-81...Х-88
Х-87
Страница 43
Внешний вид и габаритные размеры элементов Холла: Х-89...Х-96
1,9
1
2
0,6
2
0,8
1,5 макс.
3 макс.
1
B
3,1
4
3
1,65
0,9
1,5 макс.
3,1
3
B
4
1,3
0,6
0,2
0,4x0,1
Х-90
0,9
4
DIP-8
Активная зона
1
5
6,5 max
B
1,55
3,2 min
0,59 max (8 выв.)
8
0,5 х 1,0
3
Х-94
B
2
1
0,35
2,54 x 3
4
10,5 макс.
Х-91
0,65
0,9
3
SIP-4
2,16
Х-95
2
0,3x0,1
1
4
2,7
1,5
В
1,5
2,45
0,95
15
4
2
0,4x0,2
1
B
1,0 x 3
2,8
3
Внешний вид и габаритные размеры элементов Холла: Х-89...Х-96
B
Страница 44
Внешний вид и габаритные размеры элементов Холла: Х-97...Х-104
7
6
5
1
4
B
8
7
6
5
Y1
Y2
X2
X1
SENTRON
2D-VH-11
SO8
IC
R
IY
IX
1
2
3
4
3
2
1,4 x 1,4
Y
2,5
8
Х
4 макс
0,5
Х-98
5 макс.
SO8
Х-102
5 макс.
BZ
8
1
4
1
0,45
5,2
1,27x3
+
BY
4
0,45
5,2
1,75
1,75
1,27x3
BX
5
4
6,2
5
4
6,2
8
0,5
0,5
Х-99
Концентраторы
Х-103
6
1,4
7
2
1
3
0,5
2,0
SO8
5
4
6,2
5
1,27x3
BX
4
0,45
+В
+
2,7
5,2
5,1
254
1,75
1
∅ 2,7
BY
8
0,5
Внешний вид и габаритные размеры элементов Холла: Х-97...Х-104
∅ 6,3
Страница 45
Внешний вид и габаритные размеры элементов Холла: Х-105...Х-107
6,1
+В
4,57
1,1 макс
127
+
+В
254
12,5
Х-107
2,49
1,65
1
0,3
0,4
+B
0,76
16
0,58 макс 3,3
3,175
1,85
Внешний вид и габаритные размеры элементов Холла: Х-105...Х-107
Страница 46
Глава 10. Магниторезисторы
В настоящей главе приведены основные параметры наиболее известных типов магниторезисторов,
разработанных отечественными организациями и зарубежными фирмами.
10.1. «Монолитные» магниторезисторы
10.1.1. Магниторезисторы серий MR и СМ
Тип прибора
MR-1, MR-2, MR-3, CM1-1, CM1-2, CM1-3, CM4-1
Изготовитель
Первый Московский завод радиодеталей
Фирменное
наименование
прибора
Магниторезистор
Основные
особенности
Диапазон номинальных сопротивлений 22–220 Ом
Максимальная рассеиваемая мощность 5–15 мВт
Диапазон рабочих частот 0–5 МГц
Диапазон рабочих температур –60…+85 °С
Исполнение бескорпусное, максимальная толщина
0,6–0,8 мм
Назначение
и области
применения
Бесконтактная клавиатура
Датчики скорости вращения зубчатых колес
Датчики скорости вращения многополюсных
магнитов
Бесконтактные датчики положения и перемещения
Основные
параметры
Внешний вид
и габаритные размеры
Характеристики
Табл. 10.1
Рис.10.1–10.3
Рис.10.4–10.7
MR-1, MR-2, MR-3
В
CM1-1
В
Рис. 10.1. Внешний вид и габаритные размеры магниторезисторов MR-1, MR-2, MR-3 и CM1-1
CM1-3
CM1-2
В
В
Рис. 10.2. Внешний вид и габаритные размеры магниторезисторов CM1-2 и CM1-3
Страница 47
СМ1-1
RB,Ом
400
Максимальные
габаритные размеры
прибора (без выводов, мм
CM4-1
Диапазон рабочих
температур, °С
9
50
7
0,9×3,5
75
7
0,9×3,5
100
7
0,9×3,5
6
0,9×3,5 22, 33, 68
8
0,9×3,5 100; 150
Н/д
22–220
6–10
Н/д
22–220
6–10
38–56
3,3
0,9×3,5
55–82
(0,5 Тл)
Максимальная
рассеиваемая мощность
при температуре 20 °С,
мВт
MR-1
MR-2
MR-3
CM1-1
CM1-1
CM1-2
CM1-3
Относительное
изменение
сопротивления, о. е.,
при В = 1 Тл
Температурный
коэффициент
сопротивления, %/°С,
при В = 0 Тл
Тип прибора
1
2
3
4
5
6
8
Начальное
сопротивление при
Т=20 °С и В=0 мТл, Ом
№ п/п
Размеры активной зоны,
мм
Таблица 10.1. Основные параметры «монолитных» магниторезисторов серии MR и СМ
–1,8
–1,8
–1,8
–2
–2
–2
–2
5
5
5
5
10
15
15
–60...+52 4×1,5×0,35
–60...+52 4×1,5×0,35
–60...+52 4×1,5×0,35
–60...+70 4×1,5×0,35
–60...+70 4×1,5×0,35
–60...+70 4,8×2,5×0,5
–60...+70 5×4,7×0,5
–0,61
6
–60...+85
4×1,5×0,33
00С
0
300
+20 С
200
0
+50 С
700С
100
В,Тл
0
0,4
0,8
а)
б)
Рис. 10.4. Зависимость сопротивления (а) и магниторезистивного отношения магниторезистора СМ1-1
(б) от магнитной индукции при различных температурах
а)
б)
Рис. 10.5. Зависимость сопротивления магниторезистора СМ4-1 (47 Ом) от индукции управляющего
магнитного поля при различной температуре
Страница 48
а)
б)
Рис. 10.6. Зависимость сопротивления магниторезистора СМ4-1 (68 Ом) от индукции управляющего
магнитного поля при различной температуре
а)
б)
Рис. 10.7. Вольтамперные характеристики магниторезисторов СМ4-1 при R0 = 47 Ом (а) и R0 = 68 Ом (б)
10.1.2. Магниторезисторы серий FP17хх и FP30хх
Тип прибора
Изготовитель
Фирменное
наименование
прибора
Основные
особенности
Назначение
и области
применения
FP 17 D 500 E, FP 17L 200 E, FP 17 L 200 J,
FP 30 50 E, FP 30 D 250 E, FP 30 L 100 E,
FP 30 L 100 J, FP 30 L 50 E, FP 30 N 60 E
Siemens
Магниторезистор
Диапазон номинальных сопротивлений 48–500 Ом
Максимальная рассеиваемая мощность 0,45–0,7 Вт
Диапазон рабочих частот 0–5 МГц
Широкий диапазон рабочих температур –40…+110 °С
Исполнение бескорпусное, максимальная толщина 0,4
мм
Датчики скорости вращения зубчатых колес
Датчики скорости вращения многополюсных
магнитов
Бесконтактные датчики положения и перемещения
Промышленное оборудование и автомобильная
техника
Основные
параметры
Внешний вид
и габаритные размеры
Характеристики
Табл. 10.2
Рис. 10.8–10.10
Не приводятся
Страница 49
FP 17L 200J
Активная зона
2,5
3,9
2,5
2,4х1,9
∅ 0,1 Cu
0,35
22,5
Рис. 10.8. Внешний вид и габаритные размеры магниторезисторов FP 17 D 200 E, FP 17 L 200 J,
FP 17 D 500 E
Рис. 10.9. Внешний вид и габаритные размеры магниторезисторов
FP 30 L 50 E, FP 30 L 100 J
Рис. 10.10. Внешний вид и габаритные
размеры магниторезисторов FP 30 N 60
E, FP 30 L 100 E, FP 30 D 250 E,
100
50
48…72
3
1,4
-
-0,16
-0,38
-0,54
0,02
-1,8
-0,13
-2,7
7
-0,16
7-8,5
7-8,5
5
7-8,5
7-8,5
6
12
Максимальные габаритные размеры
прибора (без выводов), мм
1,0 x 1,9
3,2 х 0,9
1,7
-
Диапазон рабочих температур, 0С
80…120
2,8
-
12-15
Максимальная рассеиваемая
мощность при температуре 200С, Вт
FP 30 N 60 E 1,0 x 1,9
1,0 x 1,9
1,85
1,6
Температурный коэффициент сопротивления, %/°С при В=1 Тл
9
8
1,9 x 2,4
200
1,9 x 2,4
200
3,0 х 0,9
60
1,0 x 1,9 200…300
Температурный коэффициент
сопротивления, %/°С при В=0,3 Тл
6
4
2
3
5
7
-
Темпера-турный коэффициент
сопротивления, %/°С при В=0 Тл
500
Относи-тельное измене-ние
сопротивления, о.е. при В= 1 Тл
Начальное сопротивление, R0 при
20 0С, Ом
1,9 x 2,4
FP 17 D 500
E
FP 17L 200 E
FP 17 L 200 J
FP 30 50 E
FP 30 D 250
E
FP 30 L 100
E
FP 30 L 100 J
FP 30 L 50 E
Относи-тельное измене-ние
сопротивления, о.е. при В= 0,3 Тл
Размеры активной зоны, мм
1
Тип прибора
№ п/п
Таблица 10.2. Основные параметры «монолитных» магниторезисторов серий FP 17хх и FP 30хх,
выпускаемых фирмой Siemens
0,5
-40…+110
3,2 x 2,7 x 0,4
-0,25
-2,9
0,7
0,5
0,5
0,7
-40…+110 3,3 x 2,7 x 0,35
-40…+110 3,9 x 22,5 x 0,35
-40…+110 3,2 x 1,2 x 0,4
-40…+110 3,2 x 1,2 x 0,4
-0,38
-0,54
0,7
-40…+110
-1,8
-2,7
-2,9
0,5
0,7
-40…+110 3,9 x 22,5 x 0,35
-40…+110 3,2 x 1,2 x 0,4
0,02
-0,13
-0,26
0,7
-40…+110
3,2 x 1,2 x 0,4
3,2 x 1,2 x 0,4
Страница 50
10.1.3. Дифференциальные магниторезисторы серий FP1xхх, FP4xхх
Тип прибора
Изготовитель
Фирменное
наименование
прибора
Основные
особенности
Назначение
и области
применения
FP 110 L 60, FP 110 D 155, FP 111L 100,
FP 410 L (4×80) FM, FP 412 D 250, FP 412L 100,
FP 420 L 90, FP 425 L 90
Siemens
Дифференциальный магнитный датчик
Две или четыре (две дифференциальные пары)
магниточувствительных элемента
Диапазон номинальных сопротивлений 50–315 Ом
Максимальная рассеиваемая мощность 0,7–1 Вт
Диапазон рабочих частот 0–1 МГц
Диапазон рабочих температур –40…+110 °С и
–40…+175 °С
Малые габаритные размеры
Датчики скорости вращения зубчатых колес
Датчики скорости вращения многополюсных
магнитов
Бесконтактные датчики положения и перемещения
Промышленное оборудование и автомобильная
техника
Основные
параметры
Внешний вид
и габаритные размеры
Характеристики
Табл. 10.3
Рис. 10.11–10.15
Рис. 10.16–10.18
Рис. 10.11. Внешний вид и габаритные размеры магниторезисторов FP 110 D 155; FP 110 L 60,
FP 111 L 100
Рис. 10.12. Внешний вид и габаритные
размеры магниторезисторов FP 412 L
100; FP 412 D 250
0,33
0,13
Страница 51
1
4
2
5
3
6
а)
3,75
1,2 x 2
0.65
B
б)
3,3
0,43
0,13
Рис. 10.13. Внешний вид (а) и электрическая схема (б) магниторезистора FP 420 L 90
FP 410L (4x80) FM
B
5
1
6
3
3,75
2
2,8
1,2 x 2
0,65
4,6
4
б)
2,7
а)
0,33
Рис. 10.14. Внешний вид (а) и электрическая схема (б) магниторезисторов FP 410 L (4x80) FM
а)
1
4
2
5
3
6
2,06
5,55
3,75
1,2 x 2
0,65
B
2,96
0,13
FP 425 L 90
б)
Рис. 10.15. Внешний вид (а) и электрическая схема (б) магниторезистора FP 425 L 90
Страница 52
Рис. 10.16. Типовые зависимости сопротивления магниторезисторов FP 412 D 250, FP 420 L 90,
FP 425 L 90 от температуры
Рис. 10.17. Типовые зависимости сопротивления магниторезисторов FP 410 L, FP 412 D 250,
FP 420 L 90 от индукции управляющего магнитного поля
Рис. 10.18. Типовые зависимости сопротивления магниторезисторов FP 420 L 90, FP 425 L 90 от
индукции управляющего магнитного поля
Страница 53
№ п/п
Тип прибора
Размеры активной зоны, мм
Наяальное сопротивление, R0
при 20 0С, Ом
Относительное изменение
сопротивления, о.е. при В= 0,3 Тл
Относительное изменение
сопротивления, о.е. при В= 1 Тл
Температурный коэффициент
сопротивления, %/°С при В=0 Тл
Температурный коэффициент
сопротивления, %/°С при В=0,3 Тл
Температурный коэффициент
сопротивления, %/°С при В=1 Тл
Максимальная рассеиваемая
мощность при температуре 200С, Вт
Диапазон рабочих температур, 0С
Максимальные габаритные
размеры прибора (без выводов), мм
Таблица 10.3. Основные параметры «монолитных» магниторезисторов серий FP 110хх, FP 111хх, FP 410хх,
FP 412хх, FP 420хх, FP 422хх, выпускаемых фирмой Siemens
1
FP 110 L 60
(2,0x0,28)x2
(48…72)x2
1,7
7
-0,16
-0,38
-0,54
0,7
-40…+110
2
FP 110 D 155
(2,0x0,28)x2
(124…186)x2
2,8
12
-1,8
-2,7
-2,9
0,7
-40…+110
3
FP 111L 100
(1,9x0,72)x2
(80…120) x2
1,7
7
-0,16
-0,38
-0,54
0,7
-40…+110
4
(0,5 x 2,5) x 4
(55…110) x 4
1,7
7
– 0.16
– 0.38
– 0,54
1
-40...+175
5
FP 410 L
(4x80)FM
FP 412 D 250
(2,6 x1,5 ) x 2 (185… 315 ) x 2
1,7
7
-1,8
-2,7
-2,9
1
-40...+175
6
FP 412L 100
(2,6 x1,5 ) x 2
1,7
7
– 0.16
– 0.38
– 0,54
1
-40...+175
7
FP 420 L 90
(0,85 x 1,1 ) x 4 (80… 140) x 4
1,7
7
– 0.16
– 0.38
– 0,54
0,8
-40...+175
8
FP 425 L 90
(0,85 x 1,1) x 4
1,7
7
– 0.16
– 0.38
– 0,54
0,8
-40...+175
3,2 x 1,2 x
0,4
3,2 x 1,2 x
0,4
3,2 x 2,7 x
0,4
3,55 x 4,6 x
0,43
3,6 x 3,75 x
0,43
3,6 x 3,75 x
0,43
3,3 x 3,75 x
0,4
3,3 x 3,75 x
0,4
(75…125) x 2
(80…140) x 4
10.1.4. Дифференциальные магниторезисторы серий FP 100хх, FP 200хх, FP 201хх
Тип прибора
FP 100 L 100, FP 200L 100, FP 200L 100-S1,
FP 201L 100, FP 210D 250, FP 210D 250-2,
FP 210D 250-22, FP 210L 100, FP 210L 100-2,
FP 210L 100-22, FP 211D 155, FP 212D 250-22,
FP 212L 100, FP 212L 100-2, FP 212L 100-22
Изготовитель
Siemens
Фирменное
наименование
прибора
Дифференциальный магнитный датчик
Основные
особенности
Два магниточувствительных элемента
Встроенный постоянный магнит
Диапазон номинальных сопротивлений 90–800 Ом
Максимальная рассеиваемая мощность 0,4–0,7 Вт
Диапазон рабочих частот 0–1 МГц
Широкий диапазон рабочих температур –40…+110 °С
Малые габаритные размеры
Назначение
и области
применения
Датчики скорости вращения зубчатых колес
Датчики скорости вращения многополюсных
магнитов
Бесконтактные датчики положения и перемещения
Промышленное оборудование и автомобильная
техника
Основные
параметры
Внешний вид
и габаритные размеры
Характеристики
Табл. 10.4
Рис. 10.19–10.23
Рис. 10.24, 10.25
Страница 54
FP100 L 100
5
2,3
4
Рис. 10.19. Внешний вид и
габаритные размеры
магниторезистора FP 100 L 100
Полюсные
наконечники
3
В
Постоянный
магнит
N
S
2,4
FP200 L 100;FP200 L 100-S1
Постоянные
магниты
Постоянные
магниты
B
В
R1-2
R1-2
R 2-3
R 2-3
B
B
B
B
Рис. 10.20. Внешний вид и габаритные размеры магниторезисторов FP 200 L 100, FP 200 L 100-S1,
FP 201 L 100
FP210D 250;FP210L100
R1-2
B
R2-3
B
FP210D 250-2 ;FP210L100-2
R 1-2
B
R2-3
B
Рис. 10.21. Внешний вид и габаритные размеры магниторезистора FP 210 D 250, FP 210 L 100, FP 210 D
250-2, FP 210 L 100-2
Страница 55
FP211D155
FP212L100
7,8
5
1,8
3
N
S
2
∅4
4,95
2,6
Активная
зона
(2 х 1)х2
5
Магнит
1 x 0,15
R1-2
1
R2-3
B
B
Рис. 10.22. Внешний вид и габаритные размеры магниторезисторов FP 211 D 155, FP 212 L 100
FP 212 L 100-2, FP 212 D 250-2
5,6
1
1,0
∅3,95
2
∅6
Активная зона
0,19
1,7
Постоянный
магнит
3
5,5
3,0
3,7
R1-2
B
R2-3
B
Рис. 10.23. Внешний вид и габаритные размеры магниторезисторов FP 212 L 100-2, FP 212 D 250-2
Рис. 10.24. Типовые зависимости сопротивления магниторезисторов FP 201 L 100,
FP 210 L 100-22, FP 210 D 250-22 от температуры
Страница 56
Наяальное сопротивление, R0
при 20 0С,Ом
Относительное изменение
сопротивления, о.е. при
В= 0,3 Тл
Относительное изменение
сопротивления, о.е. при
В= 1 Тл
Максимальная рассеиваемая
мощность при температуре
200С, Вт
Диапазон рабочих температур,
0
С
Максимальные габаритные
размеры прибора (без выводов),
мм
FP 100 L 100
пост.магн.
1,0 x 1,9
90-140
2,8
12
0,5
-40…+110
5x4x2
2
FP 200L 100
пост.магн.
(1,2 х 1,9) x2
(300-700) x 2
1,7
7
0,7
-40…+110
18 x 7,5 x 4,5
3
FP 200L 100-S1
пост.магн.
(1,2 х 1,9) x2
(350-700) x 2
1,7
7
0,7
-40…+110
18 x 7,5 x 4,5
4
FP 201L 100
пост.магн.
(1,2 х 1,9) х2
(350-700) x 2
1,7
7
0,6
-25…+100
24 x 7,5 x 4,5
5
FP 210D 250
пост.магн.
(2,7 x 1,2) x 2
(350-650) x 2
1,7
7
0,7
-40…+110
∅ 10 х 10
6
FP 210D 250 –2
пост.магн.
(2,0 x 1,0) x 2
(350-650) x 2
1,7
6,0…7,0
0,7
-40…+110
∅ 10 х 10
7
FP 210D 250 –22
пост.магн.
(2,6 x 1,0) x 2
(500-800) x 2
1,7
6,0…7,0
0,4
-40…+140
∅ 10 х 10
8
FP 210L 100
пост.магн
(2,7 x1,2 ) x 2
(110-190) x 2
1,7
7
0,7
-40…+110
∅ 10 х 10
9
FP 210L 100 –2
пост.магн
(2,0 x 1,0) x 2
(110-190) x 2
1,7
6,0…7,0
0,7
-40…+110
∅ 10 х 10
10
FP 210L 100 –22
пост.магн
(2,8 x 1,0) x 2
(110-200) x 2
1,7
6,0…7,0
0,4
-25…+100
∅ 10 х 10
11
FP 211D 155
пост.магн
(2,7 x 1,15) x 2
(140-260) x 2
1,7
7
0,7
-40…+110
∅ 6 х 7,8
12
FP 212D 250-22
пост.магн
(2,6 x 1,0) x 2
(500-800) x 2
1,7
7
0,45
-40...+140
∅ 6 х 3,7
13
FP 212L 100
пост.магн
(2,0 x 1,0) x 2
(110-200)x 2
1,7
7
0,7
-40…+110
∅ 4,95 х 7,8
14
FP 212L 100 –2
пост.магн
(2,0 x 1,0) x 2
(110-150) x 2
1,7
7
0,45
-40...+110
∅ 6 х 3,7
15
FP 212L 100 –22
пост.магн
(2,0 x 1,0) x 2
(350-650) x 2
1,7
7
0,7
-40...+110
∅ 6 х 3,7
Тип прибора
1
№ п/п
Размеры активной зоны, мм
Рис. 10.25. Типовые зависимости сопротивления магниторезисторов FP 212 L 100-22,
FP 212 D 250-22, FP 410 L от температуры
Таблица 10.4. Основные параметры «монолитных» магниторезисторов серий FP100хх, FP200хх, FP201хх,
выпускаемых фирмой Siemens
Страница 57
10.2. Тонкопленочные магниторезисторы
10.2.1. Магниторезисторы типа Ав-х и МРхх
Тип прибора
Ав-1, Ав-2, МР 2301.1, МР 4501.1, МР4502
Изготовитель
Первый Московский завод радиодеталей, НТП ООО
"Бутиc"
Фирменное
наименование
прибора
Магниторезистор
Диапазон номинальных сопротивлений 1200–3500 Ом
Максимальная рассеиваемая мощность 7–10 мВт
Диапазон рабочих частот 0–1 МГц
Диапазон рабочих температур +10…+40 °С и
–40…+125 °С
Исполнение бескорпусное (Ав-1, Ав-2) или
стандартный корпус (МР)
Датчики скорости вращения многополюсных
магнитов
Датчики угла поворота
Бесконтактные датчики перемещения
Бытовая и промышленная техника
Основные
особенности
Назначение
и области
применения
Внешний вид
и габаритные размеры
Характеристики
Табл. 10.5, 10.6
Рис. 10.26, 10.29
Рис. 10.27, 10.28, 10.30
Ав-1
0,14
Ав-2
0,8
B
3,0
Основные
параметры
Постоянный
магнит
3
3,3
1,25 1,25
Активная зона
0,35
3,3
1
7,0
20
а)
в)
б)
Рис. 10.26. Конструкция магниторезистора Ав-1 (а) и его электрическая схема (б) и конструкция
магниторезистора Ав-2 (в)
Ав-1
3,0
2,5
Ав-2
2,0
1,5
1,0
0,5
0
В,мТл
4
10
15
20
25
30
35
40
45
Рис. 10.27. Зависимость относительной магнитной чувствительности магниторезисторов Ав-1 (а) и Ав-2
(б) от индукции управляющего магнитного поля
Страница 58
Ав-2
Рис. 10.28. Зависимость относительной
магнитной чувствительности
магниторезистора Ав-2 при воздействии
двухполярного управляющего магнитного
поля
Таблица 10.5. Основные параметры тонкопленочных магниторезисторов Ав-1, Ав-2
Максимальная Максимальные
Относительная
Температурный
Наяальное
рассеиваемая габаритные
Тип
Рабочее
магнитная
Динамический коэффициент
№
сопротивление
размеры
мощность
прибо- напряжение,
чувствительность, диапазон, сопротивления,
п/п
при 20 0С,
прибора
при
ра
В
%,
мТл
%/°С
Ом
температуре (без выводов),
при (В,мТл)
при В=0 Тл
мм
200С, мВт
1
Ав-1
9
2x1200
(полумост)
2,3 (20)
3,9 (50)
± 25
-0,36
7
3,3 х 7 х 3
2
Ав-2
5
3500
1,7 (20)
±7
-0,34
7
4 х 2,1 х 1,5
MP 4501.1
MP 4502
MP 2301.1
4,5
B
13
а)
0,3
2,5x2
В
В
4501.1
1,2
7
4,5
В
б)
2
2
2,5 х 4
MP 2301.1
MP 4501.1
MP 4502
1
2
3
2
1
3
5
4
Рис. 10.29. Внешний вид и электрические схемы магниторезисторов серии МР: а - для МР2301.1; б - для
МР4501.1 и МР4502
1
1
UВЫХ, о.е.
UВЫХ, о.е.
H
φ
МР4501
МР4502
0,5
0
а)
Н, кА/м
0
1
2
3
4
0,5
б)
МР4501
МР4502
-1
0
90
180
φ, град
270
360
Рис. 10.30 Зависимость выходного сигнала моста МР4501.1 (МР4502): а- от напряженности
магнитного поля; б - от угла его поворота относительно источника магнитного поля.
Страница 59
Максимальное выходное
напряжение при В=0 и UП=10В,
мВ, не более
Магнитная чувствительность при
Н=1 кА/м (мВ/В)/(кА/м) [(мВ/В)/
(мТл)]
Динамический диапазон, кА/м
[мТл], не менее
Температурный коэффициент
изменения выходного напряжения,
1/ 0 С
Температурный коэффициент
чувствительности при Н=1 кА/м,
1/ 0 С
Температурный коэффициент
входного сопротивления, 1/ 0 С
Импульсное напряжение
источника питания (UП.ИМП) при
tимп < 10 мc, В, не более
Максимальные габаритные
размеры прибора без выводов),
мм
Диапазон рабочих температур, 0 С
-
2
[1,6]
4
[5]
-0,004
-0,004
0,002
100
4,5 х 4,5
х2
–40..
+125
2
МР 4501.1 5…30 1,5±20%
(мост)
±4
-
5
[4]
20
[16]
4
[5]
-0,004
-0,004
0,002
100
13 х 7 х 2 –40...
+125
2 [2,5]
-0,004
-0,004
0,002
100
13 х 7 х 2 –45...
+125
МР 4502
5…30 1,5±20% ±?(4±1)
(мост)
20
10.2.2. Магниторезисторные мосты серии KMZ10
Тип прибора
KMZ10A, KMZ10A1, KMZ10B, KMZ10C, KMZ11В
Изготовитель
Philips Semiconductors
Фирменное
наименование
прибора
Датчик магнитного поля
Высокая магнитная чувствительность
Диапазон номинальных сопротивлений 800–2600 Ом
Максимальная рассеиваемая мощность 90–100 мВт
Диапазон рабочих частот 0–1 МГц
Широкий диапазон рабочих температур –40…+150 °С
Малые габаритные размеры корпуса
Датчики скорости вращения многополюсных
магнитов
Датчики скорости вращения зубчатых колес
Бесконтактные датчики перемещения
Бытовая и промышленная техника
Основные
особенности
Назначение
и области
применения
Основные
параметры
Внешний вид
и габаритные размеры
Характеристики
Табл. 10.7
Рис. 10.31
Рис. 10.32–10.43
KMZ10A;KMZ10A1;
KMZ10B;KMZ10C.
5,2 макс.
а)
KMZ10A;KMZ10A1;
KMZ10B;KMZ10C.
1,8 макс.
4,8 макс.
12,7 мин.
3
Начальное входное сопротивление
(R0) при 20 0С, кОм
-
Рабочее напряжение (UП), В
МР 2301.1 5…30 1,5±20%
(полумост)
Тип прибора
1
№ п/п
Начальное выходное напряжение
при В=0, мВ/В, не более
Таблица 10.6. Основные параметры тонкопленочных магниторезисторов серии МР, выпускаемых ЗАО
«Первый Московский завод радиодеталей»
б)
1
+UВЫХ.
0,48 х 0,45
( макс.)
1,25 х 3
2
Общ.
3
-UВЫХ.
4
+UП
Рис. 10.31. Внешний вид (а) и электрическая
схема (б) магниторезисторных мостов серии
KMZ10
Страница 60
800–1600
±0,5 [±0,62]
2
KMZ10A1
5–9
850–1750
±0,5 [±0,62]
3
KMZ10B
5–12
1600–2600
±2,0 [±2,5]
4
KMZ10C
5–10
900–1900
±7,5 [±9,4]
5
KMZ11В*
5–10
1600–2600
±2,0 [±2,5]
13–19
[10,4–15,2]
11–17(HY)
14–27(HX)
3,2–4,8
[2,6–3,8]
1,0–2,0
[0,8–1,6]
3,2–4,8
[2,6–3,8]
±(0,8–4)
–0,4
–0,4
90
±(0,8–4)
–0,4
–0,15
100
±(0,5–2)
–0,4
–0,1
120
±(0,8–2,7)
–0,4
–0,15
100
±(0,5–2)
–0,4
–0,15
100
Температурный
коэффициент чувствительности, %/°С
при
при
питании от
питании от
источника
источника
напряжетока
ния
Максимальная рассеиваемая
мощность при температуре
20 °С, мВт
Динамический диапазон Нуmax,
кA/м [мТл]
5–9
Коэффициент нелинейности
в рабочем динамическом
диапазоне 0–80%, %
Начальное сопротивление при
Т=20 °С и В=0 мТл, Ом
KMZ10A
Магнитная чувствительность,
(мВ/В)/(кA/м), [(мВ/В)/(мТл]
Рабочее напряжение, В
1
№ п/п
Тип прибора
Таблица 10.7 Основные параметры тонкопленочных магниторезисторных мостов типа KMZ10,
выпускаемых фирмой Philips Semiconductors
KMZ10A
HY
HX
а)
б)
Рис. 10.32. Направления приложения внешнего магнитного поля (а) и рабочая область (б) функционирования
моста KMZ10A (поле Hd как компонента дополнительного
поля HX): I - рабочая область; II - допустимое расширение
рабочей области при HY < 0,15 А/м
12 U ,мВ/В
ВЫХ
1,2
KMZ10A
S(H )
S (0,5 кА/м)
8
4
KMZ10A
X
KMZ10A1
HX = 0,5 кА/м
UСМ = 0
0
Т = 25 С
0,8
0
-4
0,4
-8
-12
-0,5
HY,кА/м
0
0,5
Рис. 10.33. Выходная характеристика моста KMZ10A
0
HX,кА/м
0
1
2
3
4
5
Рис. 10.34. Зависимость относительной чувствительности моста KMZ10A от напряженности воздействующего магнитного поля (где
S - как отношение чувствительности при HX к
чувствительности при HX = 0,5 кА/м)
Страница 61
KMZ10A1
12 H ,кА/м
D
KMZ10A1
HY
HY
а)
HX
8
II
HD
HX
б)
Рабочая
область
4
Рис. 10.35. Направления приложения внешнего магнитного поля (а) и рабочая область (б) функционирования
моста KMZ10A1 (поле Hd как компонента дополнительного поля HX): I - рабочая область; II - допустимое
0
расширение рабочей области при HY < 0,05 кА/м
10
8
6
4
2
UВЫХ.,мВ/В
KMZ10A1
I
HX,кА/м
4
3
II
1
0
1,2
2
UВЫХ.,мВ/В
KMZ10A1
0,8
HX = 0,5 кА/м
UСМ = 0
0
Т = 25 С
SU=∆U/∆ HY
(1)
0,4
0
0
(2)
-2
-0,4
-4
-6
HX = 0
-0,8
-8
HY,кА/м
-10
-0,5 -0,4 -0,3 -0,2 -0,1
0
0,1 0,2 0,3 0,4 0,5
Рис. 10.36. Выходная характеристика моста KMZ10A1
KMZ10B
-1,2
-50 -40 -30 -20 -10 0
HY,А/м
10 20 30 40 50
Рис. 10.37. Выходная характеристика моста
KMZ10A1 при использовании переключающего
(«модулирующего») магнитного поля: (1) напряженность переключающего поля HX = 3
кА/м; (2) - напряженность переключающего
поля HX = –3 кА/м
20 H ,кА/м
KMZ10B
D
HX
HY
HD
HY
HX
10
а)
Рабочая
область
HY< 1кА/м
0
HY> 1кА/м
0
1
2
3
HX,кА/м
4
5
б)
Рис. 10.38. Направления приложения внешнего магнитного поля (а) и рабочая область (б)
функционирования моста KMZ10B (поле Hd как компонента дополнительного поля HX): I- рабочая
область; II - допустимое расширение рабочей области при HY < 1 кА/м
Страница 62
UВЫХ.,мВ/В
8
KMZ10B
X
Мин.
KMZ10B
4
S(H )
S (3 кА/м)
Макс.
0
UП = const.
HX = 3 кА/м
UСМ = 0
0
Т = 25 С
-4
-8
HY,кА/м
-2
-1
0
1
HX,кА/м
2
0
1
2
3
4
5
Рис. 10.40. Зависимость относительной
Рис. 10.39. Выходная характеристика моста KMZ10B чувствительности
моста
KMZ10В
от
напряженности воздействующего магнитного поля
(S - как отношение чувствительности H X к
чувствительности при HX = 3 кА/м)
KMZ10C
20
HD,кА/м
KMZ10C
HY
HX
HY
HD
HX
10
б)
Рабочая
область
а)
HX,кА/м
0
2
3
0
1
5
4
Рис. 10.41. Направления приложения внешнего магнитного поля (а) и рабочая область (б)
функционирования моста KMZ10C (поле Hd как компонента дополнительного поля HX): I - рабочая
область; II - допустимое расширение рабочей области при HY < 3 кА/м
2
S(H )
KMZ10C
16
UВЫХ.,мВ/В
X
S (3 кА/м)
Макс.
Тип.
8
KMZ10C
Мин.
1
0
-8
HX = 3 кА/м
UСМ = 0
0
Т = 25 С
HY,кА/м
0
HX,кА/м
0
1
5
3
2
4
-16
0
8
4
-8
-4
Рис. 10.43. Зависимость относительной чувствительности моста KMZ10С от напряженности
Рис. 10.42. Выходная характеристика моста KMZ10C воздействующего магнитного поля (S - как отношение чувствительности HX к чувствительности
при HX = 3 кА/м)
Страница 63
10.2.3. Магниторезисторы KMZ41 и НМС1501
Тип прибора
HMC1501, HMC1512, KMZ41
Изготовитель
Honeywell, Philips Semiconductors
Фирменное
наименование
прибора
Линейный датчик углового перемещения
Основные
особенности
Высокая магнитная чувствительность
Диапазон номинальных сопротивлений 1000–3000 Ом
Максимальная рассеиваемая мощность 100–120 мВт
Диапазон рабочих частот 0–1 МГц
Диапазон рабочих температур –40…+120 °С
Малые габаритные размеры
Приборы KMZ41 состоят из двух гальванически
развязанных магниторезисторных мостов, магнитные
оси которых развернуты под углом 45º друг к другу
Назначение
и области
применения
Датчики угла поворота
Датчики скорости вращения многополюсных
магнитов
Бесконтактные датчики перемещения
Бытовая и промышленная техника
Основные
параметры
Внешний вид
и габаритные
размеры
Электрическая
схема
Характеристики
Табл. 10.8
Рис. 10.44
Рис. 10.45
Рис. 10.46
5 макс.
1,5 макс.
4 макс.
НМС1501
8
1
+UВЫХ
5,8 мин.
Θ
Общ.2
Общ.1
Y
5
8
X
1
KMZ41
HMC1501
HMC1512
4
1,27 x 3
Общ.1
8
Общ.2
7
+UВЫХ.2
6
+UВЫХ.1
5
5
4
HMC1501/02
М2
М1
2
-UВЫХ.2
а)
3
UП2
4
UП1
+UП
Рис. 10.44. Внешний вид мостов KMZ41 и НМС1501
KMZ41
1
-UВЫХ.1
-UВЫХ.
1
+UВЫХ.
2
Общ.1
7
Общ.2
5
8
-UВЫХ. UП
б)
Рис. 10.45. Электрическая схема мостов KMZ41 (а) и НМС1501 (б)
Страница 64
KMZ41
UВЫХ
α=0
+UВЫХ
UВЫХ.1
α
1
8
-UВЫХ.1
0
Общ.1
-UВЫХ.2
Общ.2
+UВЫХ.2
UП2
UВЫХ.2
+UВЫХ.1
UП1
4
-UВЫХ
5
α, град.
0
90
180
360
270
Рис. 10.46. Зависимость выходного сигнала моста KMZ41 от угла его поворота относительно
источника магнитного поля
100 [125]
±90
±45
1,76
(B = 8 мТл)
1,76
(B = 8 мТл)
2,6–3,1
(при В = 125 мТл)
α = 900 (мост 1)
α = 00 (мост 2)
0–5
–3,2
0,07
0–5
–3,2
–
0–1
–(0,1–0,4)
–40…
+120
–40…
+120
–40…
+120
Максимальная рассеиваемая
мощность при температуре 20 °С,
мВт, не более
0,07
Диапазон рабочих температур, °С
Температурный коэффициент
сопротивления, %/°С, при В = 0 Тл
1,0–1,5
(2 моста)
±6,4 [±8]
±45
Угловая магнитная
чувствительность, мВ/градус
12,5–17,5
[10–14]
12,5–17,5
[10–14]
2,8
[3,5]
α = 90°
(мост 1)
α = 0°
(мост 2)
Динамический диапазон по углу,
градус
±6,4 [±8]
Диапазон рабочих частот, МГц
5–12
(5)
2,0–3,0
(мост)
2,0–3,0
(мост)
Угловая разрешающая
способность, градус, не более
KMZ41
Philips
Магнитная чувствительность,
(мВ/В)/(кA/м) [(мВ/В)/мТл]
3
Динамический диапазон Нуmax,
кA/м [мТл]
HMC1501 1–24
Honeywell (5)
HMC1512 1–24
2
Honeywell (5)
1
Начальное сопротивление при
Т=20 °С и В=0 мТл, Ом
Рабочее напряжение, UП (UНОМ.), B
Тип прибора (фирма-изготовитель)
№ п/п
Таблица 10.8. Основные параметры магниторезисторов типа KMZ41 и НМС1501
120
120
100
Страница 65
10.2.4. Магниторезисторы серии GMR
Тип прибора
GMR S4, GMR S6, GMR B6, GMR C6
Изготовитель
Siemens
Фирменное
наименование
прибора
Магниторезистивный датчик положения
Высокая магнитная чувствительность
Диапазон номинальных сопротивлений не менее 700
Ом
Максимальная рассеиваемая мощность 15–30 мВт
Диапазон рабочих частот 0–1 МГц
Широкий диапазон рабочих температур –40…+150 °С
Малые габаритные размеры
Датчики скорости вращения многополюсных
магнитов
Датчики скорости вращения зубчатых колес
Бесконтактные датчики перемещения
Бытовая и промышленная техника
Основные
особенности
Назначение
и области
применения
Основные
параметры
Внешний вид
и габаритные
размеры
Электрическая
схема
Характеристики
Таблица 10.9
Рис. 10.47
Рис. 10.48
Рис. 10.49
GMR S6, GMR B6, GMR С6
2,9
1,9
0,6
GMR S4
11,7 мин.
0,08...0,15
4
4
1,3
2
1
B
B
3,2
1,27x3
5
2,6 макс.
6
1
2,3
3
1,1
0,3
Рис. 10.47. Внешний вид и габаритные размеры магниторезисторов типа GMR S6, GMR B6, GMR С6 и
GMR S4.
HMR C6
6
HMR S4
1
5
3
HMR S6
6
R0
R0
2
HMR B6
2
5
1
4
2
6
5
Рис. 10.48. Электрические схемы магниторезисторов серии GMR
4
1
Страница 66
∆R/R0, %
ϕ,град
0
90
180
270
360
а)
б)
Рис. 10.49. Типовая выходная характеристика одиночного GMR- магниторезистора (а) и зависимость его
относительной магнитной чувствительности от угла воздействия управляющего магнитного поля (б)
№ п/п
Тип прибора
Число единичных
элементов (плечей)
Ток управления
(макс.), мА
Начальное
сопротивление при
Т=20 °С и В=0 мТл,
Ом
Относительная
магнитная
чувствительность,
%, при H = кA/м
Динамический
диапазон, кA/м,
[мТл]
Температурный
коэффициент
сопротивления,
%/°С, В = 0 Тл
Максимальная
рассеиваемая
мощность
при температуре
20 °С, мВт
Максимальные
габаритные
размеры прибора
(без выводов), мм
Таблица 10.9. Основные параметры тонкопленочных магниторезисторов серии GMR, выпускаемых фирмой
Siemens
1
2
3
4
GMR S4
GMR S6
GMR B6
GMR C6
1
1
4
4
5
5
5×2
5×2
>700
>700
>700 (мост)
>700 (мост)
4 (5–10)
4 (5–10)
4 (5–10)
4 (5–10)
±2 [±2,5]
±2 [±2,5]
±2 [±2,5]
±2 [±2,5]
–(0,23–0,27)
–(0,23–0,27)
–(0,23–0,27)
–(0,23–0,27)
15
15
30
30
2,3×3,2×0,7
21,3×2,9×1,2
21,3×2,9×1,2
21,3×2,9×1,2
10.2.5. Магниторезисторы серии EZMP и NV
Тип прибора
EZMP-N-01, EZMP-P-01, EZMP-N-02, EZMP-P-02,
EZMP-N-S8, EZMP-P-S8, EZMP-N-S9, EZMP-P-S9,
NV-M3
Изготовитель
Panasonic Semiconductors
Фирменное
наименование
прибора
Магниторезистивный элемент
Основные
особенности
Назначение
и области
применения
2 или 4 магниточувствительных элемента с шагом
0,15–0,3 мм
Диапазон номинальных сопротивлений 700–3700 Ом
Максимальная рассеиваемая мощность 10–35 мВт
Диапазон рабочих частот 0–1 МГц
Диапазон рабочих температур –30…+70 °С
и +10...+40 °С
Оригинальный малогабаритный корпус для EZMP
NV-M3 – выпускается в бескорпусном исполнении
Датчики скорости вращения многополюсных
магнитов
Датчики скорости вращения зубчатых колес
Датчики точного перемещения
Бытовая и промышленная техника
Основные
параметры
Кодировка
наименования
Табл. 10.10
Рис. 10.50
Внешний вид и
Характеристики
габаритные
размеры
Рис. 10.51–10.55
Не приводятся
Страница 67
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
E
Z
M
P
G
1
5
0
N
0
1
Код продукции
Тип
магниторезистора
S
D,G
R
Выход
Одиночный
Двойной,
сдвиг 90 град.
Двойной,
сдвиг 180 град.
Чувствительность
и наличие магнита
Топология МЧЭ
Y
Стандартный шаг
150 мкм,100 мкм
200 мкм
300 мкм
N
P
Без смещ.магнита
Шаг по заказу:
100...1000 мкм.
H
Без смещ.магнита
Высокая
чувствительность
Корпус
01
03
S8
S9
SA
Рис. 10.50. Расшифровка фирменной кодировки магниторезисторов серии EZMP
2x3
1
3
2
EZMP
Вариант 01
4
6
№
вывода
Назначение
вывода
3
1
2
3
4
Выход
Общий
Выход
17,6
8
6
1,9 2,9
8,5
Активная
зона
1,5
∅2
10,4
Рис. 10.51. Внешний вид и габаритные размеры магниторезисторов серии EZMP (вариант 1)
2,2
1
2
3
EZMP
Вариант 03
4
1
2
3
4
2,35
6
4,6
№
вывода
Выход
Общий
Выход
14,5
8
6
2,9
8,7
Активная
зона
Назначение
вывода
∅1,7
8,7
1,8
Рис. 10.52. Внешний вид и габаритные размеры магниторезисторов серии EZMP (вариант 03)
Страница 68
1,5 х 3
2
EZMP
Вариант S8
Вариант SA
4
3
5,8
1
2
3
4
3,5
4,5
Назначение
вывода
№
вывода
2,2
3,1
1
Рис. 10.53. Внешний вид и габаритные
размеры магниторезисторов серии
EZMP (варианты S8 и SA)
Выход
Общий
Выход
1,7
4,4
Активная
зона
4,2
∅1
1,5 х 3
2
3
EZMP
Вариант S9
1,4
4
1,7
3,1
1
5,8
3,5
NV-M3
Назначение
вывода
№
вывода
1
2
3
4
Выход
Общий
Выход
Активная
зона
Рис. 10.55. Внешний вид и габаритные
размеры магниторезисторов NV-M3
1,7
3,75
4,5
0,7
0,8
4,5
∅1
Шаг размещения
элементов, мм
Ток управления
(макс), мА
Наяальное
сопротивление одного
МЧЭ при 20 0С, Ом
Относительная
магнитная
чувствительность, % ,
(при H=16 кA/м )
Динамический
диапазон, кA/м, [мТл]
1
EZMP…N…01
2…4
0,15; 0,2; 0,3
7
700…1300
3
2
EZMP…P…01
2…4
0,15; 0,2; 0,3
7
700…1300
2
3
EZMP…N…02
2…4
0,15; 0,2; 0,3
7
700…1300
3
4
EZMP…P…02
2…4
0,15; 0,2; 0,3
7
700…1300
2
5
EZMP…N…S8
2…4
0,1
7
700…1300
3
6
EZMP…P…S8
2…4
0,1
7
700…1300
2
7
EZMP…N…S9
2…4
0,1
7
700…1300
3
8
EZMP…P…S9
2…4
0,1
7
700…1300
2
9
NV-M3
1
-
14
3500± 10%
2,0
(20 мТл)
± 16
[± 20]
± 16
[± 20]
± 16
[± 20]
± 16
[± 20]
± 16
[± 20]
± 16
[± 20]
± 16
[± 20]
± 16
[± 20]
[± 7]
Максимальные
габаритные размеры
прибора (без выводов),
мм
Тип прибора
Максимальная
рассеиваемая
мощность при
температуре 20 0С,
мВт
№
п/п
Число единичных
элементов (плечей)
Рис. 10.54. Внешний вид и габаритные
раз-меры магниторезисторов серии
EZMP (вариант S9)
Таблица 10.10. Основные параметры тонкопленочных магниторезисторов серии EZMP и NV-M3,
выпускаемых фирмой Panasonic Semiconductors
35
6 х 17,6 х 8,5
35
6 х 17,6 х 8,5
35
6 х 14,5 х 8,7
35
6 х 14,5 х 8,7
35
3,1 х 4,4 х 9,3
35
3,1 х 4,4 х 9,3
35
3,1 х 3,75 х 9,3
35
3,1 х 3,75 х 9,3
10
4 х 2,1 х 1,5
Страница 69
10.2.6. Магниторезисторные мосты серий АА, АВ, АС
AA002-02, AA003-02, AA004-02, AA005-02,
AA006-02, AB001-02, AC004-01
Тип прибора
Изготовитель
Novolatile Electronics Inc.
Фирменное
наименование
прибора
Мостовой GMR датчик магнитного поля
Основные
особенности
Назначение
и области
применения
Четыре магниточувствительных элемента,
соединенных мостом
Высокая магнитная чувствительность
Встроенный тонкопленочный концентратор
магнитного поля
Диапазон номинальных сопротивлений 5–35 кОм
Напряжение питания 5–25 В
Диапазон рабочих частот 0–1 МГц
Диапазон рабочих температур –40…+125 °С
Малые габаритные размеры корпуса
Датчики тока
Датчики скорости вращения многополюсных
магнитов
Датчики магнитного поля
Бытовая и промышленная техника
Основные
параметры
Внешний вид
и габаритные
размеры
Электрическая
схема
Характеристики
Табл. 10.11
Рис. 10.56
Рис. 10.57
Рис. 10.58–10.60
3,9max
6,2 max
3,9 max
5,2
0,45
NVE
ABxxx
-02
X
Ось чувствительности
Ось чувствительности
0,5
Рис. 10.56. Внешний вид и габаритные размеры магниторезисторов серий АА, АВ и АС
AА002... AA006, AC004-01
8
AB001
+UП
8
1
+UП
5
-UВЫХ.
+UВЫХ.
1
5
+UВЫХ.
4
Y
1
1
1,6
1,27x3
NVE
AAxxx
-02
AА,AB,AC
-UП
4
-UП
Рис. 10.57. Электрические схемы магниторезисторов серий АА, АВ и АС
Страница 70
70
U ВЫХ,мВ
АА002-02
60
50
40
D
S
N
30
20
10
-0,5
0
D,мм
0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0 3,5
а)
б)
Рис. 10.58. Типовые зависимости выходного напряжения магниторезисторов серии АА от
расстояния до источника воздействующего магнитного поля при перемещении постоянного
магнита вдоль (а) и поперек (б) чувствительной оси
Рис. 10.59. Типовые зависимости выходного напряжения магниторезисторов серии АА от индукции
воздействующего магнитного поля при постоянном напряжении питания
Рис. 10.60. Типовые зависимости выходного напряжения магниторезисторов серии АА от индукции
воздействующего магнитного поля при постоянном токе питания
Страница 71
5
AA006-02
6
AB001-02
7
AC004-01
5–25
(5,8–7,2)×2
5–25
(5,8–7,2)×2
5–25
(24–36)×2
12,5
2,5×4
5–25
(4–6)×2
0,14
2
0,14
2
0,14
2
0,14
2
0,14
2
0,14
2
0,14
Максимальные габаритные
размеры прибора (без выводов), мм
AA005-02
(5,8–7,2)×2
2
Температурный коэффициент
чувствительности, %/°С, UП –
const. (IП – const)
4
5–25
3–4,2
±10,5
[30–42]
[±1,05]
2–3,2
±14
[20–32]
[±1,4]
0,9–1,3
±35
[9–13]
[±3,5]
0,45–0,65
±70
[4,5–6,5]
[±7,0]
0,9–1,3
±35
[9–13]
[±3,5]
0,027% ±200 [±20]
R/э
2–3,2
±14 [±1,4]
[20–32]
Температурный коэффициент
сопротивления, %/°С, при В = 0 Тл
AA004-02
(5,8–7,2)×2
Коэффициент нелинейности в
рабочем динамическом диапазоне,
%
3
5–25
Динамический диапазон, кA/м
[мТл]
AA003-02
436×
3370
436×
3370
411×
1458
411×
1458
836×
1936
651×
1231
436×
3370
Магнитная чувствительность,
(мВ/В)/(кA/м) [(мВ/В)/мТл]
2
Начальное сопротивление при
Т=20 °С и В=0 мТл, кОм
AA002-02
Рабочее напряжение, В
Тип прибора
1
Размеры кристалла, мкм
№ п/п
Таблица 10.11. Основные параметры тонкопленочных магниторезисторных мостов серий АА, АВ, АС,
выпускаемых фирмой Novolatile Electronics Inc.
–0,1
(+0,03)
–0,1
(+0,03)
–0,1
(+0,03)
–0,1
(+0,03)
–0,1
(+0,03)
–0,1
(+0,03)
–0,1
(+0,03)
SO8
3,9×3,9×1,6
SO8
3,9×3,9×1,6
SO8
3,9×3,9×1,6
SO8
3,9×3,9×1,6
SO8
3,9×3,9×1,6
SO8
3,9×3,9×1,6
SO8
3,9×3,9×1,6
10.2.7. Магниторезисторы серии DM
Тип прибора
DM-106B, DM-111А, DM-211, DM-230, DM-231,
DM-232, DM-233
Изготовитель
Sony
Фирменное
наименование
прибора
Магниторезистивный элемент
Основные
особенности
Назначение
и области
применения
DM106, DM111 содержат по два магниторезистора
(полумост), а DM211, DM231, DM232, DM233 – по
четыре магниторезистора (мост)
Диапазон номинальных сопротивлений 500–3700 Ом
Напряжение питания 5 В
Диапазон рабочих частот 0–1 МГц
Диапазон рабочих температур –20…+75 °С и
–20…+120 °С
Малогабаритный стандартный корпус: М102, М110,
SIP-4 и FP
Датчики угла поворота
Датчики тока
Датчики скорости вращения многополюсных
магнитов
Бытовая и промышленная техника
Основные
параметры
Внешний вид
и габаритные
размеры
Схема
включения
Характеристики
Табл. 10.12
Рис. 10.61
Рис. 10.66
Рис. 10.62–10.65
Страница 72
DM-106B
DM-111А
2,2
7,4
2,3
3
3,2
4,2
DM-106B, DM-111А
RB
6,7
В
Вых.
RA
В
12
2
UП
7
1
Общ.
0,5 x 0,25
0,4 x 0,25
б)
2,54 x 3
1,27 x 3
а)
Рис. 10.61. Внешний вид (а) и (б) электрическая схема магниторезисторов DM106, DM111
Чувствительные
оси
UВЫХ
a
Направление
перемещени
датчика
e
b
UП
2
H
d
c
b
d
a
e
c
Рабочая область
Рис. 10.62. К пояснению принципа работы магниторезисторов DM106 и DM111
100
U0,мВ
UВЫХ,мВ
DM-106B
80
120
100
2,5
80
70
Н,кА/м
0
4
8
12
16
Рис. 10.63. Выходная характеристика
магниторезисторов типа DM106
2,0
U0
60
20
0
3,0
RВХ
90
40
RВХ , кОм
UП=5 В
Н=8 кА/м
110
UП=5 В
60
DM-106B
50
0
Т, С
-50 -25
0
25 50 75 100 125 150
1,5
Рис. 10.64. Зависимость входного сопротивления (Rвх)
и начального напряжения (U0) магниторезисторов
типа DM106 от температуры
Страница 73
2,55
UВЫХ,мВ
2,54
DM-106B
2,53
UП=5 В
Н=12 кА/м
2,52
2,51
Рис. 10.65. Зависимость выходного
сигнала магниторезисторов типа DM106
от угла поворота относительно
источника магнитного поля
2,50
2,49
H
Θ
2,48
2,47
2,46
2,45
0
45
90
135
180
225
DM106
+UП (5В)
3
В
Рис. 10.66. Схема включения
магниторезисторов DM-106и
DM111
B
R5
R2
RB
2
RA
R1
R3
В
UВЫХ
ОУ
+
1
R4
Общий
5
3
4
5
6
7
DM-211
DM-230
DM-231
DM-232
DM-233
5
5
5
5
5
Габаритные размеры, мм.
Тип корпуса
DM-111А
Диапазон рабочих
температур, °С
2
1,4–3,7
(полумост)
0,5–0,8
(полумост)
(мост)
(мост)
(мост)
(мост)
(мост)
Максимальная
рассеиваемая мощность
при температуре 20 °С, мВт
5
Магнитная
чувствительность
(мВ/В)/(кА/м), [(мВ/В)/мТл]
Рабочее напряжение, В
DM-106B
Начальное выходное
напряжение (при В = 0),
мВ/В
Тип прибора
1
Начальное сопротивление
при Т=20 °С и В=0 мТл,
кОм
№ п/п
Таблица 10.12. Основные параметры тонкопленочных магниторезисторов серии DM, выпускаемых
фирмой Sony
2,5±0,05
5–10 [4–8]
11
–40…+100
4×3×2 М110
2,5±0,03
7,5–19 [6–15,2]
0,38
–40…+80
7×6,3×2 М102
±0,01
±0,01
±0,01
±0,01
±0,01
7,5 [6,0]
8,3 [6,6]
8,3 [6,6]
8,3 [6,6]
8,3 [6,6]
0,38
0,5
0,5
0,5
0,5
–20…+120
–40…+100
–20…+75
–20…+75
–20…+75
SIP–4
FP
FP
FP
FP
Страница 74
10.2.8. Магниторезисторные мосты серий ZMY, ZMZ
Тип прибора
ZMY20, ZMY20M, ZMY30, ZMZ20, ZMZ20M,
ZMZ30
Изготовитель
Zetex Semicondactors
Фирменное
наименование
прибора
Магниторезистивный элемент
Основные
особенности
Назначение
и области
применения
Четыре магниточувствительных элемента,
соединенных мостом
Высокая магнитная чувствительность
Диапазон номинальных сопротивлений 1200–4000 Ом
Максимальная рассеиваемая мощность до 120 мВт
Диапазон рабочих частот 0–0,5 МГц
Диапазон рабочих температур –40…+85 °С
Малогабаритный стандартный корпус: SOT-223S и
SIP-4
Датчики тока
Датчики угла поворота
Датчики скорости вращения многополюсных
магнитов
Бытовая и промышленная техника
Основные
параметры
Внешний вид
и габаритные размеры
Характеристики
Табл. 10.13
Не приводятся
Не приводятся
Начальное сопротивление
при Т=20 °С и В=0 мТл,
кОм
Магнитная
чувствительность
(мВ/В)/(кА/м) [(мВ/В)/мТл]
12
1,2–1,7
2
12
1,2–1,7
3
ZMY20M
пост. магн.
ZMY30
15
2–4
4
ZMZ20
12
1,2–1,7
5
ZMZ20M
пост. магн.
ZMZ30
12
1,2–1,7
15
2–4
3,7–5,7
[3–4,6]
3,7–5,7
[3–4,6]
2–4
[1,6–3,2]
3,7–5,7
[3–4,6]
3,0–7,0
[2,4–5,6]
2–4
[1,6–3,2]
6
Тип корпуса
Рабочее напряжение, В
ZMY20
Максимальная
рассеиваемая мощность
при температуре 20 °С, мВт
Тип прибора
1
Начальное выходное
напряжение
(при В = 0), мВ/В
№ п/п
Таблица 10.13. Основные параметры тонкопленочных магниторезисторных мостов серий ZMY, ZMZ,
выпускаемых фирмой Zetex Semicondactors
±1,0
120
SOT223S
±1,5
120
SOT223S
±1,0
120
SOT223S
±1,0
120
SIP-4
±1,5
120
SIP-4
±1,0
120
SIP-4
Страница 75
10.2.9. Магниторезисторы типа MW010
Тип прибора
MW010
Изготовитель
Asahi Kasei Electronics
Фирменное
наименование
прибора
Магниторезистивный датчик
Основные
особенности
Диапазон номинальных сопротивлений 5300–11000
Ом
Максимальная рассеиваемая мощность до 20 мВт
Диапазон рабочих частот 0–1 МГц
Диапазон рабочих температур –40...+85 °С
Малые габаритные размеры
Назначение
и области
применения
Датчики угла поворота
Датчики скорости вращения многополюсных
магнитов
Бытовая и промышленная техника
Основные
параметры
Внешний вид
и габаритные размеры
Характеристики
Табл. 10.14
Рис. 10.67
Рис. 10.68
MW010
2
0,2
15
4,2x3,4
1,0
1
B
3
а)
б)
Рис. 10.67. Внешний вид (а) и (б) электрическая схема магниторезистора типа MW010
8
UВЫХ ,В
MW010
7
UП = 10 В
6
Ма
гн
ит
5
4
3
φ, град
2
0
30
60
90
120
150
а)
180 210
240 270
300 330
360
б)
Рис. 10.68. Выходная характеристика (а) магниторезистора типа MW010 при использовании его в
качестве датчика угла поворота(б)
Страница 76
Таблица 10.14. Основные параметры тонкопленочных магниторезисторов типа MW010, выпускаемых
фирмой Asahi Kasei Electronics
№
п/п
1
2
3
4
5
6
7
Параметр
Рабочее напряжение UП
Начальное сопротивление при Т=20 °С и В=0 мТл
Относительное изменение сопротивления R 0/RB при В = 0,4 Тл
Начальное выходное напряжение при В = 0
Выходное напряжение при В = 0,4 Тл
Максимальные габаритные размеры прибора (без выводов)
Диапазон рабочих температур
Единица
измерения
B
кОм
о. е.
В
В
мм
°С
Значение
параметра
10
5,3–11
2–3
±0,1
4,8–5,2
4,2×3,4×1,0
–40...+85
Страница 77
Глава 11. Кремниевые магнитодиоды и магнитотранзисторы
В настоящей главе приведены основные параметры и характеристики наиболее известных типов
кремниевых магнитодиодов и магнитотранзистора, разработанных в СССР.
11.1. Магнитодиоды серии КД301
Тип прибора
КД301А, КД301Б, КД301В, КД301Г, КД301Д,
КД301Е, КД301Ж
Изготовитель
Предприятие МЭП СССР
Фирменное
наименование
прибора
"Торцевой" кремниевый магнитодиод
Основные
особенности
Высокая магнитная чувствительность, которая не
зависит от полярности магнитного поля
Прямой рабочий ток до 3 мА
Диапазон рабочих частот 0–1 кГц
Диапазон рабочих температур –60…+85 °С
Бескорпусное исполнение
Поставляются в специальной таре
Назначение
и области
применения
Датчики перемещения
Датчики тока
Бесконтактная клавиатура
Бытовая и промышленная техника
Основные
параметры
Внешний вид
и габаритные размеры
Характеристики
Табл. 11.1, 11.5
Рис. 11.1
Рис. 11.2, 11.3
B
Рис. 11.1. Внешний вид и габаритные размеры
магнитодиодов серии КД301
25
20
15
10
а)
б)
Рис. 11.2. Типичная вольтамперная характеристика (а) и (б) вольт-тесловые характеристики при
различных значениях тока и двух направлениях магнитного поля магнитодиодов серии КД301.
Страница 78
а)
б)
Рис. 11.3. Зависимость вольтовой (а) и (б) токовой магнитной чувствительности магнитодиодов серии
КД301от индукции управляющего магнитного поля
Таблица 11.1. Основные параметры магнитодиодов серии КД301
№
п/п
Тип магнитодиода
Постоянное
прямое
напряжение
(UF) при
токе
IF = 3 мА, В
Вольтовая магнитная чувствительность (γ U)
при IF = 3 мА и В = 0,3 Тл, В/Тл, не менее
Максимальное отклонение
UF, В
при температуре при температуре при температуре при температуре при температуре
+60±2 ºС
+25±2 ºС
+85±2 ºС
–60±2 ºС
+85±2 ºС
20
15
5
–3
2
1
КД301А
2
КД301Б
7,3–9,2
20
15
5
–3
2
3
КД301В
8,8–10,7
45
30
10
–3,5
2
4
КД301Г
10,3–12,2
45
30
10
–4
2
5
КД301Д
11,8–13,7
60
45
10
–5
2
6
КД301Е
13,3–15,2
60
45
15
–5,5
2
7
КД301Ж
14,8–20,2
90
60
20
–6
3
5,8–7,7
11.2. Магнитодиоды серии КД303
Тип прибора
КД303А, КД303Б, КД303В, КД303Г, КД303Д,
КД303Е, КД303Ж
Изготовитель
Предприятие МЭП СССР
Фирменное
наименование
прибора
Планарный кремниевый магнитодиод
Основные
особенности
Назначение
и области
применения
Высокая магнитная чувствительность, которая
зависит от полярности магнитного поля
Прямой рабочий ток 1–3 мА
Диапазон рабочих частот 0–5 кГц
Диапазон рабочих температур –60…+100 °С
Бескорпусное исполнение
Поставляются в специальной таре
Датчики перемещения
Датчики тока
Бесконтактная клавиатура
Бытовая и промышленная техника
Основные
параметры
Внешний вид
и габаритные размеры
Характеристики
Табл. 11.2, 11.5
Рис. 11.4
Рис. 11.5, 11.6
Страница 79
⊗B
Рис. 11.4. Внешний вид и габаритные размеры
магнитодиодов серии КД303
B
а)
б)
Рис. 11.5. Типичная вольтамперная характеристика (а) и вольт-тесловые характеристика (б) при
различных значениях тока и двух направлениях магнитного поля магнитодиодов серии КД303
B+
B-
а)
б)
Рис. 11.6. Зависимость вольтовой (а) и токовой (б) магнитной чувствительности магнитодиодов серии
КД303 от индукции управляющего магнитного поля при токе I = 1 мА и в двух направлениях магнитного
поля
Страница 80
Таблица 11.2. Основные параметры магнитодиодов серии КД303
Постоянное
прямое
Тип
напря№
магнито- жение (UF)
п/п
при токе
диода
IF =3 мА,
В
Разность
магниточувствительностей
(∆γ U),
при IF = 3 мА и В = 0,3 Тл,
В/Тл, не менее
Вольтовая магнитная
чувствительность (γ U)
при IF = 3 мА и В = 0,3 Тл,
В/Тл, не менее
Максимальное
отклонение
UF, В
1
КД303А
4,1–5,1
при
температуре
–60±2 °С
20
2
КД303Б
5,1–6,1
20
10
7
3
3
2
–1,5
1
3
КД303В
6,1–7,1
40
20
13
5
5
3
–2
1
при
температуре
+25±2 °С
10
при
температуре
100±2 °С
7
при
температуре
–60±2 °С
3
при
температуре
+25±2 °С
3
при
температуре
+100±2 °С
2
при
температуре
–60±2 °С
–1,5
при
температуре
+100±2 °С
1
4
КД303Г
7,1–9,1
45
30
15
10
10
5
–3
1,5
5
КД303Д
9,1–11,1
45
30
15
10
10
5
–3
1,5
6
КД303Е
11,1–13,1
52
35
17
10
10
5
–3
1,5
7
КД303Ж
13,1–15,1
60
40
29
10
10
5
–3
1,5
11.3. Магнитодиоды серии КД304А–1 – КД304Ж–1
Тип прибора
КД304А-1, КД304Б-1, КД304В-1, КД304Г-1,
КД304Д-1, КД304Е-1, КД304Ж-1
Изготовитель
Предприятие МЭП СССР
Фирменное
наименование
прибора
Планарный кремниевый магнитодиод
Основные
особенности
Назначение
и области
применения
Высокая магнитная чувствительность, которая
зависит от полярности магнитного поля
Характеристика диода не зависит от полярности
напряжения питания
Рабочий ток 1–3 мА
Диапазон рабочих частот 0–10 кГц
Диапазон рабочих температур –60…+85 °С
Бескорпусное исполнение
Поставляются в специальной таре
Датчики перемещения
Датчики тока
Бесконтактная клавиатура
Бытовая и промышленная техника
Основные параметры
Внешний вид
и габаритные размеры
Характеристики
Табл. 11.3, 11.5
Рис. 11.7
Рис. 11.8, 11.9
⊗
B
B
Рис. 11.7. Внешний вид и габаритные размеры магнитодиодов серии КД304
Страница 81
КД304А-1...КД304Ж-1
Рис. 11.8. Типичная вольтамперная характеристика магнитодиодов КД304А-1...КД304Ж-1
IF = 3 мА
IF = 2 мА
120
100 КД304А-1...КД304Ж-1
IF = 3 мА
80
IF = 2 мА
IF = 1 мА
60
40
IF = 1 мА
20
В,Тл
0
0,1
0,2
0,3
0,4
0,5
а)
б)
Рис. 11.9. Зависимость вольтовой (а) и токовой (б) магнитной чувствительности магнитодиодов серии
КД304А – КД304Ж от индукции управляющего магнитного поля при токе I = 1 мА и в двух направлениях
магнитного поля
Таблица 11.3. Основные параметры магнитодиодов КД304А–1 – КД304Ж–1
Постоянное
прямое
Тип
напряжение
№
магнито(UF)
п/п
при токе
диода
IF = 3 мА,
В
Вольтовая
магниточувствительность (γ U)
при IF = 3 мА и В = 0,3 Тл,
В/Тл, не менее
Разность
магниточувствительностей (∆γ U)
при IF = 3 мА и В = 0,3 Тл,
В/Тл, не менее
при
температуре
–60±2 °С
3
при
температуре
+25±2 °С
4
при
температуре
+100±2 °С
2
при
температуре
–60±2 °С
–1,5
Максимальное
отклонение UF, В
1 КД304А-1
2 КД304Б-1
4,0–5,1
при
температуре
–60±2 °С
20
5,1–6,1
20
11
7
5
6
2
–1,5
1
3 КД304В-1
4 КД304Г-1
6,1–7,1
30
25
15
5
6
3
–2
1
7,1–9,1
40
33
20
10
12
3
–3
1,5
5 КД304Д-1
6 КД304Е-1
9,1–11,1
40
33
20
10
12
3
–3
1,5
11,1–13,1
50
40
25
10
12
3
–3
1,5
7 КД304Ж-1
13,1–15,1
60
40
25
10
12
3
–3
1,5
при
при
темпетемпературе
ратуре
+25±2 °С +100±2 °С
10
7
при
температуре
+100±2 °С
1
Страница 82
11.4. Магнитодиоды серии КД304А1–1 – КД304Ж1–1
Тип прибора
КД304А1-1, КД304Б1-1, КД304В1-1, КД304Г1-1,
КД304Д1-1, КД304Е1-1, КД304Ж1-1
Изготовитель
Предприятие МЭП СССР
Фирменное
наименование
прибора
Планарный кремниевый магнитодиод
Основные
особенности
Назначение
и области
применения
Высокая магнитная чувствительность, которая не
зависит от полярности магнитного поля
Прямой рабочий ток 1–3 мА
Диапазон рабочих частот 0–10 кГц
Диапазон рабочих температур –60…+85 °С
Бескорпусное исполнение
Поставляются в специальной таре
Датчики перемещения
Датчики тока
Бесконтактная клавиатура
Бытовая и промышленная техника
Основные
параметры
Внешний вид
и габаритные размеры
Характеристики
Табл. 11.4, 11.5
Рис. 11.7
Рис. 11.10, 11.11
КД304А1-1...КД304Ж1-1
UF,B
Рис. 11.10. Вольт-тесловые характеристики
магнитодиодов КД304А1–1 – КД304Ж1–1 при
различных значениях тока и двух направлениях
магнитного поля.
Рис. 11.11. Типичная вольтамперная характеристика
магнитодиодов КД304А1–1 – КД304Ж1–1
Таблица 11.4. Основные параметры магнитодиодов КД304А1–1 – КД304Ж1–1
Постоянное
Вольтовая магниточувствительность (γ U)
прямое
№
Тип
напряжение при IF = 3 мА, В=0,3 Тл, В/Тл, не менее
п/п магнитодиода (UF) , В,
при токе
IF = 3 мА
при
при
при
температуре температуре температуре
–60±2 °С
+25±2 °С
+100±2 °С
1 КД304А1-1
7
7
4
3,8–6,2
2
3
4
КД304Б1-1
Максимальное отклонение UF, В,
при
температуре
–60±2 °С
–2
при
температуре
+25±2 °С
0,3
при
температуре
+100±2 °С
0,6
5,8–7,2
18
18
10
–2
0,3
0,9
КД304В1-1
6,8–9,2
23
23
13
–2
0,3
0,9
КД304Г1-1
8,8–11,1
30
30
18
–2
0,3
0,9
35
21
–2
0,3
0,9
5
КД304Д1-1
10,8–13,2
35
6
КД304Е1-1
12,8–15,2
45
45
25
–2
0,3
0,9
7
КД304Ж1-1
14,8–20,2
50
50
30
–2
0,3
0,9
Страница 83
Таблица 11.5. Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации кремниевых магнитодиодов
серий КД301, КД303 и КД304
Тип прибора
№ Наименование параметра,
п/п
единица измерения
КД301А – КД301Ж КД303А – КД303Ж
1 Диапазон рабочих частот
(∆F), кГц
2 Максимально допустимая
мощность (Рмакс.), мВт:
при Т = –60±25 °С
при Т = +85 °С
3 Максимально допустимое
обратное напряжение (UR)
при IR = 500 мкА , В, не более
4 Максимально допустимый
обратный ток (I обр.макс),
при UR = 35 В ,мА, не более
5 Диапазон рабочих
температур, °С
6 Гарантированный ресурс
работы, ч, не менее
7 Интенсивность отказов, 1/ч,
не более
8 Масса, г, не более
КД304А-1 – КД304Ж-1 КД301А1-1 – КД301Ж1-1
0–3
0–5
0–10
0–10
200
200
200
100
100
100
100
40
100
–
70
–
–
–
–
3
–60...+85
–60...+100
–60...+85
–60...+100
10000
10000
15000
15000
3×10-6
3×10-6
3×10-6
3×10-6
0,03
0,02
0,02
0,02
11.5. Магнитотранзистор типа М2АПК0522
Тип прибора
М2АПК0522
Изготовитель
ВНИИЭП (РФ)
Фирменное
наименование
прибора
Полупроводниковый ферромагнитотранзистор
Основные
параметры
и
особенности
Высокая магнитная чувствительность.
Наличие ферритового концентратора магнитного
поля.
Рабочий ток 1 мА.
Токовая магнитная чувствительность:
при В=+0,03 Тл, не менее 1000 мкА/Тл;
при В=+0,03…1 Тл, не менее 500 мкА/Тл.
Температурный коэффициент чувствительности, не
более 0,5 %/°С.
Диапазон рабочих частот 0–10 кГц
Диапазон рабочих температур –60…+100 °С
Назначение
и области
применения
Датчики линейного и углового перемещения
Датчики скорости вращения
Бытовая и промышленная техника
Внешний вид
и габаритные размеры
Характеристики
Корпус типа 2103-8
Не приводятся
Страница 84
Глава 12. Магниточувствительные ИС зарубежного производства
В настоящей главе приведены основные параметры и характеристики наиболее известных типов
магниточувствительных интегральных схем, разработанных зарубежными фирмами.
12.1. Магниточувствительные ИС типа A3507, А3508
Тип прибора
Изготовитель
Фирменное
наименование
прибора
Основные
особенности
Назначение
и области
применения
Основные
параметры
Табл. 12.3
A3507EU, A3507EUA, A3507LU,
A3507LUA, A3508SU, A3508SUA
Allegro MicroSystems
Линейная измерительная схема на эффекте Холла для
высокотемпературных применений
Повышенная магнитная чувствительность
Встроенная динамическая нагрузка
Диапазон напряжений питания 4,5–10,5 B
Диапазон рабочих частот 0–10 кГц
Малые размеры корпуса
Широкий диапазон рабочих температур –40…+150 °С
Аналоговые датчики перемещения
Датчики измерения тока и напряжения
Измерительные приборы и промышленное оборудование
Функциональная
Внешний вид
Характеристики
схема
и габаритные
размеры
Рис. 12.1
Мл-14, Мл-16
Рис. 12.2–12.5
1
A3507
A3508
3
2
Рис. 12.1. Функциональная схема МЧМС типа A3507, А3508
A3507
A3508
Магнит
Магнит из
сплава
“Альнико 8”
Рис. 12.2. Типовая зависимость напряжения на выходе (UВЫХ.) от расстояния (D) при осевом перемещении
постоянного магнита относительно чувствительной поверхности микросхем A3507 и А3508
Страница 85
A3507
A3508
Магнит из
сплава
“Альнико 8”
Рис. 12.3. Типовая зависимость напряжения на выходе (UВЫХ.) от расстояния
(D) при перемещении микросхем A3507 и
А3508 между двумя параллельными
магнитами
+
A3507
A3508
4,8
N
UП
UВЫХ.
S
D
Uвых.0
0
Рис. 12.4. Типовая зависимость напряжения на выходе (UВЫХ.) от расстояния
(D) при перемещении микросхем A3507 и
А3508 параллельно поверхности
двухполюсного магнита
Магнит из
сплава
“Альнико 8”
D,мм
--10
-5
0
5
10
0
UВЫХ. UП
5,3
A3507
A3508
Рис. 12.5. Типовая зависимость напряжения на выходе (UВЫХ.) от расстояния
(D) при перемещении микросхемы A3507 и
А3508 параллельно торцевой поверхности
магнита
Магнит из
сплава
“Альнико 8”
Uвых.0
Страница 86
12.2. Магниточувствительные ИС типа A3515, А3516, А3517, А3518
Тип прибора
A3515EU, A3515EU, A3515EUA, A3515LU, A3515LU, A3515LUA, A3516EU,
A3516EU, A3516EUA, A3516LU, A3516LU, A3516LUA, A3517LUA,
A3517SUA, A3518LUA, A3518SUA
Allegro MicroSystems
Изготовитель
Фирменное
Линейная измерительная схема на эффекте Холла для высокотемпературных
наименование
применений
прибора
Повышенная магнитная чувствительность
Встроенная динамическая нагрузка
Высокая температурная стабильность UВЫХ.0 при В = 0
Диапазон напряжений питания 4,5–5,5 В
Основные
Малые размеры корпуса
особенности
Устойчивость к механическому давлению
Устойчивость к воздействию циклического изменения температуры
Широкий диапазон рабочих температур –40…+150 °С
Использование КМОП технологии
Магнитометры, датчики измерения тока и напряжения
Назначение
Аналоговые датчики перемещения и скорости вращения
и области
применения Измерительные приборы и промышленное оборудование
Основные
Функциональная
Внешний вид
Характеристики
параметры
схема
и габаритные
размеры
Табл. 12.3
Рис. 12.6
Мл-14, Мл-16
Рис. 12.7–12.11
A3515, A3516, A3517, A3518
1
VT2
VT3
3
VT1
2
Рис. 12.6. Функциональная схема МЧМС типа А3515, А3516, А3516, А3518
60
A3515
50
40
30
A3516
20
10
0
-50
а)
UП=5В
IВЫХ= 1 мА
-25
0
25
50
75
100
б)
Рис. 12.7. Типовые зависимости: а – выходного напряжения (UВЫХ.) от температуры; б –
чувствительности (SU ) от температуры для МЧМС типа А3515 и А3516
125
150
Страница 87
5,0
4,5
UВЫХ.,В
5,0
А3515
4,5
4,0
4,0
3,5
3,5
3,0
3,0
2,5
2,5
2,0
2,0
1,5
1,5
1,0
1,0
0,5
В,мТл
0
-50 -40 -30 -20 -10
0
а)
10
20
30
А3516
UВЫХ.,В
0,5
В,мТл
0
40 50 -100 -80 -60 -40 -20
б)
0
20
40
60
80 100
Рис. 12.8. Выходные характеристики микросхем: А3515 (а) и А3516 (б). (Точные данные приведены в
таблице 12.1.)
Таблица 12.1. Основные параметры микросхем типа А3515 и А3516 при различном напряжении питания
Тип
МЧМС
А3515,
А3516
А3517,
А3518
Коэффициент
Напряжение Выходное
Магнитная
Коэффициент
нелинейности
питания
напряжение чувствительность,
симметрии,
преобразования,
(Uп), В
при В = 0, В
мВ/мТл
М, %
%
4,5
5
5,5
4,5
5
5,5
2,217
2,463
2,71
2,232
2,475
2,723
43,5
50,14
57,04
21,49
24,81
28,2
Последние комментарии
4 часов 59 минут назад
14 часов 2 минут назад
1 день 13 часов назад
1 день 13 часов назад
1 день 13 часов назад
1 день 13 часов назад