Электроника и микросхемотехника. Сборник задач [Виталий Иванович Сенько] (pdf) читать постранично
Книга в формате pdf! Изображения и текст могут не отображаться!
[Настройки текста] [Cбросить фильтры]
- 1
- 2
- 3
- . . .
- последняя (32) »
В.И.Сенько
СБОРНИК
ЗАДАЧ
Под общей редакцией
доктора
технических
наук,
профессора
А. А. КРАСНОПРОШИНОй
Допущено Государственным
комитетом СССР
по народному образованию
в качестве уч(;БНОZ{J пособия
для студеli7'ов вузов.
обучающихся ПО специальности
«ABTOJJt~TU,Ka
в
и
техни ческuх
управление
cиCTeMax~
.. ? ' >,: . 1 !: .'
;:
~al (~,/; .i-!!;-
~~
С.,
t\"::- '~.- ...;.":' .;,~..;..&,"'
ЮIF.Р
{/III -
RH
н
открыт
полностью
RH :
нагрузки
И;;-ЫХ = Ит R
I !JI'
В первом случае диод
2.4.
lIоложительной полуволны напря>кения, которое практически
+R
- ~ Ит ,
пр
максимальная амплитуда входного синусоидального напряжения;
IIj1HMoe
сопротивление диода.
15
Если
ется,
и
на
входе действует
напряжение
на
И;;'IХ
где
диод
параллельном
VD
полуволна
и нх ,
диод закрыва
составит
= ит
Rп
Rн + R06р ;::: О,
сопротивление закрытого диода.
R06p В
отрицательная
выходе
ключе (рис.
2.4,
б) при положительной
полуволне
и ВХ
открыт и шунтирует сопротивление нагрузки. Напряжение на выхо
де
и;;ых = ит R
R пр
пр
Как правило, Rorp
При
» R пр
отрицательной
+R
огр
и иt,IХ = О.
полуволне
И нх диод закрыт и напряже!ше на выходе
RH
И;'lх=Иm R +R
н
=И m ,
огр
так как R п » R orp '
Комбинируя
диодных
различные
включения
диодов
и
ключей переменного тока, можно получить
сопротивлений
различные
в
схемах
формы
и
ам
плитуды напряжений на выходе. В частности, ключи рис. 2.4 составляют
основу для построения диодных ограничителей.
Существенное влияние на работу ключей рис. 2.4 при управлении прямо
угольными
двухполярными
межэлектродная
емкость
импульсами
Сд
и
емкость
оказывают
паразитные
Си, состоящая из емкости
и емкости монтажа. Они приводят к появлению сигнала помехи
даже при закрытом диоде и искажению фронтов импульса.
Для схемы рис. 2.4, а
емкости:
нагрузки
на
выходе
и пом тах ~ Ит С Д + СО '
где Иm -амплитуда входных импульсов;
{: = 2,3 (Сд + Со) R пр '
tф" = 2,3 (С д + Со) R п .
Для схемы рис.2.4, б
Напряжение помехи в этой схеме отсутствует, так как диод включен парал·
Лельно
н и его емкость суммируется с выходной емкостью схемы .
R
. •j
Дополнительные теоретические
ведены
в
работах
ЗАДАЧИ
2.1.
Задана
сведения
и
расчетные соотношения
при'
[I9, 21, 22].
схема
=
И
УПРАЖНЕНИЯ
диодного
ключа
=
(рис.
2.2,
а). Параметры
элементов схемы R
1 кОм, RHH 0,1 кОм, RH = 00, СП = О.
Диод полагать идеальным, т. е. его прямое сопротивл('ние R пр = О,
=
обратное Rобр
00,
остаточное падение напряжения на диоде
U ОСТ
О. Напряжение источника Е = 1,5 В. Определите напряже
ние И вых при: а) И вх
5 В; б) и ВХ = -5 В.
=
=
16
Задана схема диодного КJJюча фИG. 2.2, а). Параметры элеме
1 кОм, RBH=O,l кОм, RH=lKOM, Сн=О. Диод полагать
идеальным, т. е. Rпр = О, Rо бр = 00, И ост = О. Напряжение источ
ника Е = -1,5 В. Определите Ивых прю а) И вх
5 В; б) И вх
2.2.
IITOB схемы
R=
=
В.
=-5
В схеме диодного ключа (рис.
2.3.
папряжение
логического
поступлении
на
нуля
О
И ВЫХ
И
2.2,
=
а) определите выходное
•
логическои
единицы
и!
вых при
вход соответствующих входных напряжений логи-
ческого нуля И~х = О и логической единицы И~х = 5 В. Параметры
схемы
кОм,
RBH = 0,1
Си
RH = 1
О,
=
кОм, Е
=
О. Диод считать
идеальным.
Определите
2.4.
схеме
рис.
2.2,
минимальное
значение
сопротивления
RH
в
а для обеспечения минимального входного наfIРЯ
жения логической единицы ИВ!ЫХ = 4,5 В при И~х
= 5 В, RBH =
100 Ом, Е = 1 В, R = 1 кОм. Диод считать идеальным.
2.5. Определите влияние сопротивления нагрузки RH на ~наче·
lIие выходного напряжения в схеме рис. 2.2 при RBH = О И при:
=
а) И ВХ > Е; б) И вх
2.6.
альные
На
вход
<
Е.
диодного ключа рио.
сигналы
положительной
а поступают потенци
2.2,
полярности,
характеризу~мые
IIИ3КИМ И~х и высоким И~" уровнями. Какой из режимов работы
I(люча (И~х < Е, И~х > Е u~x = Е) характеризуется минима"~ьным
Iютреблением мощности от источника питания и минимальным за
туханием BXOAHOIO сигнала?
2.7. В схеме рио. 2.2,
R пр
О, RоБР
200 кОм, Е
б) И вх = -5 В.
=
=
а
= О, R = RH = 2 кОм, Си = О,
Определите И вх при: а) Ивх = 5 В;
RBH
= 2 В.
2.8. В схеме диодного ключа (рис. 2.2, а) параметры имеют зна
R = RH = 1 кОм, Си = О, Е = 3 В. Определите диапазон
- 1
- 2
- 3
- . . .
- последняя (32) »
Последние комментарии
3 часов 3 минут назад
12 часов 6 минут назад
1 день 11 часов назад
1 день 11 часов назад
1 день 11 часов назад
1 день 11 часов назад